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금속 및 금속 산화물을 포함하는 도금층; 및상기 도금층의 일면에 형성되며, 금속 산화물을 포함하는 보호층을 포함하는 도금 필름
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제 1 항에 있어서,금속은, Al, Si, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Zr, Mo, Ta 및 W 중 1 종 이상을 포함하는 도금 필름
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제 1 항에 있어서,금속 산화물은, Al, Si, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Zr, Mo, Ta 및 W 중 1 종 이상의 산화물을 포함하는 도금 필름
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제 1 항에 있어서,도금 필름의 두께는 200 내지 600 nm 범위인 도금 필름
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제 1 항에 있어서,보호층 상에 표면개질층을 더 포함하는 도금 필름
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기재 상에, 금속 및 금속 산화물을 포함하는 혼합물을, 방전 가스 및 반응성 가스 중 1 종 이상의 유입 조건에서 증착하여 도금층을 형성하는 단계; 및상기 도금층 상에 금속 산화물을 포함하는 용액을 이용하여 보호층을 형성하는 단계를 포함하는 도금 방법
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7
제 6 항에 있어서,도금층을 형성하는 단계는 반응성 마그네트론 스퍼터링 방법을 통해 수행하는 도금 방법
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8
제 6 항에 있어서,도금층을 형성하는 단계에서, 금속 및 금속 산화물의 중량비는 1:0
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제 6 항에 있어서,도금층을 형성하는 단계에서, 방전 가스는 Ar, Kr 및 Xe 중 1 종 이상을 포함하고,반응성 가스는 N2, O2, CH4, C2H2, H2S 및 NH3 중 1 종 이상을 포함하는 도금 방법
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10
제 6 항에 있어서,도금층을 형성하는 단계에서, 방전 가스의 유량은 1 내지 30 sccm이고,반응성 가스의 유량은 0 내지 5 sccm인 도금 방법
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제 6 항에 있어서,금속 타겟 및 금속 산화물 타겟에 대한 인가 전력은 각각 1 내지 10 W/cm2 범위인 도금 방법
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제 6 항에 있어서,금속 타겟은 DC 반응성 마그네트론 스퍼터링 방법을 통해 수행하고, 금속 산화물 타겟은 RF 반응성 마그네트론 스퍼터링 방법을 통해 수행하는 도금 방법
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13
제 6 항에 있어서,기재 상에, 금속 및 금속 산화물을 포함하는 혼합물을, 방전 가스 및 반응성 가스 유입 조건에서 증착하여 도금층을 형성하는 단계에서, 초기 진공도는 10-8 내지 10-4 Torr 범위이고,증착 진공도는 10-1 내지 10-5 Torr 범위인 도금 방법
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14
제 6 항에 있어서,보호층을 형성하는 단계 후에,상기 보호층 상에 전자빔 처리하는 단계를 더 포함하는 도금 방법
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제 14 항에 있어서,전자빔 처리 시, RF 안테나 전력은 100 내지 300 W 범위이고, 전압은 100 내지 1000 eV인 도금 방법
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