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P형 실리콘층과 N형 실리콘층을 포함하는 PN 접합 반도체층; 및상기 PN 접합 반도체층의 N형 실리콘층 상에 직접 형성되는 니켈 옥사이드(NiO)층을 포함하는, 니켈 옥사이드를 이용한 태양전지
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청구항 1에 있어서,상기 PN 접합 반도체층은 PN 접합 태양전지로서 동작하고,상기 PN 접합 반도체층의 N형 실리콘층과 상기 니켈 옥사이드층은 쇼트키 접합 태양전지로서 동작하는, 니켈 옥사이드를 이용한 태양전지
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청구항 2에 있어서,상기 니켈 옥사이드층은 상기 태양전지로 입사되는 가시광에 대한 반사 방지막으로서 더 동작하고, 자외선을 흡수하도록 더 동작하는, 니켈 옥사이드를 이용한 태양전지
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청구항 3에 있어서,상기 니켈 옥사이드층의 두께는 1㎚ 내지 200㎚인, 니켈 옥사이드를 이용한 태양전지
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청구항 4에 있어서,상기 PN 접합 반도체층의 P형 실리콘층의 하면에 형성된 제1 전극; 및상기 니켈 옥사이드층의 상면에 형성된 제2 전극을 더 포함하는, 니켈 옥사이드를 이용한 태양전지
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청구항 5에 있어서,상기 PN 접합 반도체층과 상기 니켈 옥사이드층의 표면은 피라미드 구조의 요철면을 갖는, 니켈 옥사이드를 이용한 태양전지
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7
(a) P형 실리콘층과 N형 실리콘층을 포함하는 PN 접합 반도체층을 형성하는 단계; 및(b) 상기 PN 접합 반도체층의 N형 실리콘층 상에 니켈 옥사이드(NiO)층을 직접 형성하는 단계를 포함하는, 니켈 옥사이드를 이용한 태양전지 제조 방법
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청구항 7에 있어서,상기 PN 접합 반도체층은 PN 접합 태양전지로서 동작하고,상기 PN 접합 반도체층의 N형 실리콘층과 상기 니켈 옥사이드층은 쇼트키 접합 태양전지로서 동작하는, 니켈 옥사이드를 이용한 태양전지 제조 방법
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청구항 8에 있어서,상기 니켈 옥사이드층은 상기 태양전지로 입사되는 가시광에 대한 반사 방지막으로서 더 동작하고, 자외선을 흡수하도록 더 동작하는, 니켈 옥사이드를 이용한 태양전지 제조 방법
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청구항 9에 있어서,상기 니켈 옥사이드층의 두께는 1㎚ 내지 200㎚인, 니켈 옥사이드를 이용한 태양전지 제조 방법
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11
청구항 10에 있어서,(c) 상기 PN 접합 반도체층의 P형 실리콘층의 하면에 제1 전극을 형성하는 단계; 및(d) 상기 니켈 옥사이드층의 상면에 제2 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는, 니켈 옥사이드를 이용한 태양전지 제조 방법
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청구항 7에 있어서,상기 PN 접합 반도체층과 상기 니켈 옥사이드층의 표면은 피라미드 구조의 요철면을 갖는, 니켈 옥사이드를 이용한 태양전지 제조 방법
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