| 1 |
1
기판 상에 형성된 그래핀 전극; 및상기 그래핀 전극 상에 형성되는 도펀트층을 포함하고,상기 도펀트층은 불화산계 도펀트층인 것을 특징으로 하는 도핑된 그래핀 전극
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 불화산계 도펀트층은 트리플레이트계, 트리플루오로술폰계, 트리플루오로보레이트계, 헥사플루오로포스페이트계, 플루오로안티몬산계 및 불화탄소계로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 가지는 것을 특징으로 하는 도핑된 그래핀 전극
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 불화산계 도펀트층은 유기산으로 카르복실산 (RCOOH), 술폰산 (RSO3H), 술핀산(RSO2H), 페놀 (ArOH), 에놀(RCH=C(OH)R), 이미드(RCONHCOR), 방향족 술폰 아미드 및 니트로 화합물 (RCH2NO2, R2CHNO2)계로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 가지는 것을 특징으로 하는 도핑된 그래핀 전극
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 불화산계 도펀트층은 상기 그래핀 전극과 반데르발스 결합을 형성하는 것을 특징으로 하는 도핑된 그래핀 전극
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 기판과 상기 그래핀 전극 사이 및 상기 그래핀 전극과 상기 불화산계 도펀트층 사이에는 상기 그래핀 전극의 전사과정에서 도입되는 선처리 도펀트가 더 포함된 것을 특징으로 하는 도핑된 그래핀 전극
|
| 6 |
6
제5항에 있어서,상기 선처리 도펀트는 HCl, H2PO4, CH3COOH, H2SO4, HNO3, NO2BF4, NOBF4, NO2SbF6, HPtCl4, AuCl3, HAuCl4, AgOTfs, AgNO3, H2PdCl6, Pd(Oac)2, Cu(CN)2, 디클로로디시아노퀴논, 옥손, 디미 리스토일포스파티딜이노시톨 및 트리플루오로메탄술폰이미드 로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 가지는 것을 특징으로 하는 도핑된 그래핀 전극
|
| 7 |
7
촉매금속이 구비된 전사용 기판 상에 그래핀을 성장시키는 단계;상기 그래핀이 성장된 상기 전사용 기판에 식각 용액을 도입하여 상기 촉매금속을 제거하고, 상기 식각 용액 내에 포함된 선처리 도펀트를 상기 그래핀 상에 잔류시키는 단계; 및상기 선처리 도펀트가 잔류된 상기 그래핀을 기판에 부착시키는 단계를 포함하는 도핑된 그래핀 전극의 제조방법
|
| 8 |
8
제7항에 있어서,상기 그래핀을 성장시키는 단계 이후에,상기 그래핀 상에 고분자수지 필름을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 도핑된 그래핀 전극의 제조방법
|
| 9 |
9
제8항에 있어서,상기 선처리 도펀트가 잔류된 상기 그래핀/고분자수지 필름을 상기 기판에 형성하는 단계 이후에,상기 고분자 수지 필름을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는도핑된 그래핀 전극의 제조방법
|
| 10 |
10
제9항에 있어서,상기 고분자 수지 필름을 제거하는 단계는, 아세톤 및 TMAH(Tetramethyl ammounium hydroxide)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 이용하여 상기 고분자 수지 필름을 제거하는 것을 특징으로 하는 도핑된 그래핀 전극의 제조방법
|
| 11 |
11
제8항에 있어서,상기 고분자 수지 필름은 PET(polyethylene terephthalate), PDMS(Polydimethylsiloxane), PMMA(Poly(methyl methacrylate)), Polyimide, Polycarbonate, PVDF(Polyvinylidene fluoride) 및 PANI(Polyaniline)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 가지는 것을 특징으로 하는 도핑된 그래핀 전극의 제조방법
|
| 12 |
12
제7항에 있어서,상기 선처리 도펀트는 HCl, H2PO4, CH3COOH, H2SO4, HNO3, NO2BF4, NOBF4, NO2SbF6, HPtCl4, AuCl3, HAuCl4, AgOTfs, AgNO3, H2PdCl6, Pd(Oac)2, Cu(CN)2, 디클로로디시아노퀴논, 옥손, 디미 리스토일포스파티딜이노시톨 및 트리플루오로메탄술폰이미드 로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 가지는 것을특징으로 하는 도핑된 그래핀 전극의 제조방법
|
| 13 |
13
제7항에 있어서,상기 그래핀을 상기 기판에 부착시키는 단계 이후에,불화산계 도펀트층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 도핑된 그래핀 전극의 제조방법
|
