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광 추출 효율 개선을 위한 LED 소자(light emitting diodes for enhancing light extraction efficiency)

  • 기술번호 : KST2017016546
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 GaN 발광 다이오드 소자를 제공한다. 이 GaN 발광 다이오드 소자는 사파이어 기판; 상기 사파이어 기판 상에 적층된 n형 GaN 층; 상기 n형 GaN 층 상에 적층된 활성층; 상기 활성층에 적층된 p형 GaN층; 상기 p형 GaN층 상에 적층된 투명 전도성 금속 산화물을 포함하는 전류 퍼짐층; 상기 전류 퍼짐층 상에 형성된 상부 전극 패턴; 및 상기 상부 전극 패턴 상에 형성된 상부 전극 패드를 포함한다. 상기 상부 전극 패턴은 차례로 적층된 제1 상부 전극 패턴 및 제2 상부 전극 패턴을 포함하고, 상기 제1 상부 전극 패턴은 적층된 은(Ag) 또는 은 합금 박막이고,상기 제2 상부 전극 패턴은 투명 전도성 금속 산화물 박막을 포함하고, 상기 상부 전극 패턴과 상기 전류 퍼짐층은 청색 또는 녹색 영역에서 85 퍼센트 이상의 투과도를 가지는 광학 필터로 동작한다.
Int. CL H01L 33/36 (2016.05.19) H01L 33/40 (2016.05.19) H01L 33/62 (2016.05.19)
CPC H01L 33/36(2013.01) H01L 33/36(2013.01) H01L 33/36(2013.01) H01L 33/36(2013.01) H01L 33/36(2013.01)
출원번호/일자 1020160048170 (2016.04.20)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1792940-0000 (2017.10.26)
공개번호/일자 10-2017-0119906 (2017.10.30) 문서열기
공고번호/일자 (20171120) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.04.20)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성태연 대한민국 서울특별시 서초구
2 김대현 대한민국 서울특별시 동대문구
3 이지윤 대한민국 부산광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 누리 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 **-*(역삼동, IT빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.04.20 수리 (Accepted) 1-1-2016-0379558-97
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.02.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0084556-46
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.03.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0290268-87
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.03.23 수리 (Accepted) 1-1-2017-0290269-22
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2017.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0602073-13
6 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2017.09.19 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0908760-13
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.09.19 수리 (Accepted) 1-1-2017-0908761-58
8 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2017.10.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0707289-41
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
사파이어 기판;상기 사파이어 기판 상에 적층된 n형 GaN 층;상기 n형 GaN 층 상에 적층된 활성층;상기 활성층에 적층된 p형 GaN층; 상기 p형 GaN층 상에 적층된 투명 전도성 금속 산화물을 포함하는 전류 퍼짐층; 상기 전류 퍼짐층 상에 형성된 상부 전극 패턴; 상기 상부 전극 패턴 상에 형성된 상부 전극 패드; 상기 p형 GaN 층 및 상기 활성층을 관통하고 상기 n 형 GaN의 일부를 식각한 트렌치에서 상기 n 형 GaN에 접촉하여 배치된 하부 전극 패턴; 및 상기 하부 전극 패턴 상에 배치된 하부 전극 패드를 포함하고,상기 상부 전극 패턴은 차례로 적층된 제1 상부 전극 패턴 및 제2 상부 전극 패턴을 포함하고,상기 제1 상부 전극 패턴은 적층된 은(Ag) 또는 은 합금 박막이고,상기 제2 상부 전극 패턴은 투명 전도성 금속 산화물 박막을 포함하고,상기 상부 전극 패턴과 상기 전류 퍼짐층은 청색 또는 녹색 영역에서 85 퍼센트 이상의 투과도를 가지는 광학 필터로 동작하고,상기 전류 퍼짐층, 상기 p형 GaN층, 및 상기 활성층은 서로 수직으로 정렬되고,상기 상부 전극 패턴은 상기 전류 퍼짐층와 중첩되어 그 일부에만 배치되고,상기 상부 전극 패드는 상기 상부 전극 패턴과 중첩되어 그 일부에만 배치되고,상기 하부 전극 패턴은:상기 n 형 GaN에 접촉하여 배치된 제1 하부 전극 패턴;상기 제1 하부 전극 패턴 상에 배치된 제2 하부 전극 패턴; 및상기 제2 하부 전극 패턴 상에 배치된 제3 하부 전극 패턴을 포함하고,상기 제2 하부 전극 패턴은 적층된 은(Ag) 또는 은 합금 박막이고,상기 제1 하부 전극 패턴 및 상기 제3 하부 전극 패턴은 투명 전도성 금속 산화물 박막이고,상기 제1 하부 전극 패턴, 상기 제2 하부 전극 패턴, 및 상기 제3 하부 전극 패턴은 서로 수직으로 정렬되고,상기 하부 전극 패드는 상기 하부 전극 패턴과 중첩되어 그 일부에만 배치되고,상기 제1 하부 전극 패턴의 두께는 10 내지 50 nm이고,상기 제2 하부 전극 패턴의 두께는 15 내지 20 nm이고, 상기 제3 하부 전극 패턴의 두께는 10 내지 50 nm인 것을 특징으로 하는 GaN 발광 다이오드 소자
2 2
제1 항에 있어서,상기 제1 하부 전극 패턴 및 상기 제3 하부 전극 패턴은 ITO(Indium tin oxide), ZnO, Sn2O3, TiO2, 및 IGZO(Indium gallium zinc oxide ) 중에서 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 GaN 발광 다이오드 소자
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1 WO2017183911 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 WO2017183911 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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