| 요약 |
본 발명의 실시 예에 따른 메모리 장치는 제 1 어드레스 신호를 기반으로 제 1 행 신호 및 제 1 열 신호들을 출력하는 행 및 열 정보 생성회로, 제 1 행 신호 중 제 1 최하위 행 비트 신호를 제외한 제 1 나머지 행 신호 및 제 1 열 신호 중 제 1 최하위 열 비트 신호를 제외한 제 1 나머지 열 신호를 기반으로 쓰기 어드레스 신호를 출력하는 쓰기 어드레스 생성회로, 제 1 최하위 행 비트 및 제 1 최하위 열 비트를 기반으로 칩 인에이블 신호를 출력하는 선택 신호 생성회로, 제 2 어드레스 신호를 기반으로 제 1 내지 제 4 메모리 읽기 어드레스 신호들을 출력하고, 제 2 최하위 행 비트 신호 및 제 2 최하위 열 비트 신호를 출력하는 읽기 어드레스 생성회로, 칩 인에이블 신호 및 쓰기 인에이블 신호를 기반으로 수신된 쓰기 데이터를 순차적으로 저장하고, 제 1 내지 제 4 메모리 읽기 어드레스 신호들 및 읽기 인에이블 신호들을 기반으로 쓰기 데이터를 동시에 출력하는 제 1 내지 제 4 메모리들, 제 2 최하위 열 비트 신호의 레벨에 따라 제 1 및 제 2 메모리의 출력 신호들을 교환하여 출력하거나 그대로 출력하는 제 1 열 교환회로, 제 2 최하위 열 비트 신호의 레벨에 따라 제 3 및 제 4 메모리의 출력 신호들을 교환하여 출력하거나 그대로 출력하는 제 1 열 교환회로 및 제 2 최하위 행 비트 신호의 레벨에 따라 제 1 교환회로의 출력 신호들 및 제 2 교환회로의 출력 신호들을 교환하여 출력하거나 그대로 출력하는 행 교환회로를 포함한다.
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