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제1 기공을 갖는 다공성 고분자 필름 지지층을 제1 고분자 함유 용액 내에 침지하는 단계;상기 지지층을 비용매 내에 침지하여 상기 제1 고분자를 고형화하여 상기 지지층에 존재하는 공극을 채워 상기 제1 기공의 부피를 감소시킴과 동시에 상기 지지층을 친수화시키는 제1 고분자층을 형성시키는 단계; 및상기 제1 고분자층이 형성된 지지층을 제2 고분자 함유 용액 중에 침지한 후 압착하여 제2 고분자층을 구비시켜, 상기 제1 기공보다 작은 크기의 나노 크기인 제2 기공을 갖는 멤브레인를 제조하는 단계;를 포함하고,상기 지지층은 소수성이고, 상기 제1 및 제2 고분자층은 친수성인 수처리용 나노급 멤브레인의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제2 고분자는 계면중합되어 상기 지지층 및 상기 제1 고분자층의 표면에 코팅되는 수처리용 나노급 멤브레인의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1 기공은 평균 크기가 0
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제3항에 있어서,상기 제2 기공은 평균 크기가 1 nm 내지 5 nm인 수처리용 나노급 멤브레인의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 지지층은 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 및 이들의 조합을 포함하고, 상기 제1 고분자층은 폴리(비닐알콜-co-에틸렌) (poly(vinyl alcohol-co-ethylene))을 포함하며, 상기 제2 고분자층은 폴리아미드, 폴리우레탄 및 이들의 조합을 포함하는 수처리용 나노급 멤브레인의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 제1 고분자 함유 용액의 전체 100 중량%에 대하여 제1 고분자의 함량은 5 중량% 내지 20 중량%인 수처리용 나노급 멤브레인의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 폴리(비닐알콜-co-에틸렌)의 전체 몰%에 대하여 에틸렌의 몰%는 20 몰% 내지 50 몰%인 수처리용 나노급 멤브레인의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 지지층의 표면에는 표면조도 (roughness)가 구비되되, 상기 제2 고분자층은 상기 표면조도를 덮도록 구비되는 수처리용 나노급 멤브레인의 제조방법
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제1 기공을 갖는 다공성 고분자 필름 지지층;상기 지지층의 외면에 구비되고, 상기 지지층에 존재하는 공극을 채워 상기 제1 기공의 부피를 감소시킴과 동시에 상기 지지층을 친수화시키는 제1 고분자층;상기 지지층 및 제1 고분자층을 덮도록 구비되는 제2 고분자층;을 포함하는 멤브레인으로,상기 멤브레인은 상기 제1 기공보다 작은 크기의 나노 크기인 제2 기공을 갖고, 상기 지지층은 소수성이고, 상기 제1 및 제2 고분자층은 친수성인 제1항 내지 제8항 중 어느 하나의 항에 의하여 제조된 수처리용 나노급 멤브레인
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제9항에 있어서,상기 수처리용 나노급 멤브레인은 반도체 공정에서 포토레지스트 용액 내의 불순물을 제거하는 것인 수처리용 나노급 멤브레인
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제9항의 수처리용 나노급 멤브레인을 포함하고, 불순물을 제거하는 수처리용 장치
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제11항에 있어서,상기 불순물은 반도체 공정에서의 포토레지스트 용액 내의 금속 입자와 유기물 응집 입자를 포함하는 수처리용 장치
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반도체 공정에서 불순물이 포함된 포토레지스트 용액을 재사용하는 방법에 있어서,제9항의 수처리용 나노급 멤브레인을 준비하는 단계; 및상기 수처리용 나노급 멤브레인을 이용하여 포토레지스트 용액 내의 금속 입자와 유기물 응집 입자를 제거하는 단계;를 포함하는 방법
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