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소정의 평탄면에 복수 개의 불순물 도핑 라인을 갖는 반도체 기판; 상기 기판상에 수평으로 서로 이격되어 형성된 복수 개의 전극 라인; 및상기 각 전극 라인에 하나 이상 일체로 형성되어 상기 기판상에 부양되며 수평으로 서로 이격되어 일정 길이로 나란히 배치된 복수 개의 캔틸레버 빔을 포함하여 구성되되,상기 복수 개의 전극 라인은 상기 기판상에 각각 국부적으로 형성된 절연막으로 지지되며 제 1 수평방향으로 일정거리 이격되어 형성된 제 1, 2 전극 라인과 상기 제 1, 2 전극 라인과 이웃하여 상기 복수 개의 캔틸레버 빔 중 하나와 일체로 형성된 중앙 빔 라인을 포함하여 구성되고,상기 복수 개의 캔틸레버 빔은 상기 중앙 빔 라인에 연결된 중앙 캔틸레버 빔과, 상기 중앙 캔틸레버 빔을 가운데 두고 상기 제 1 전극 라인 및 상기 제 2 전극 라인에 각각 연결된 좌, 우측 캔틸레버 빔을 포함하여 구성되고, 상기 중앙 캔틸레버 빔과 상기 좌, 우측 캔틸레버 빔은 상기 제 1, 2 전극 라인 사이에서 상기 제 1 수평방향과 수직인 제 2 수평방향으로 일정 길이로 나란히 배치되고,상기 중앙 빔 라인과 상기 제 1, 2 전극 라인은 각각 상기 절연막 내에 형성된 컨택 플러그를 통하여 상기 기판에 형성된 상기 복수 개의 불순물 도핑 라인 중 하나와 전기적으로 연결된 것을 특징으로 하는 수평 구동 전기기계 스위칭 소자
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제 2 항에 있어서,상기 중앙 빔 라인은 상기 제 1, 2 전극 라인의 일 측면에 상기 제 1 수평방향으로 형성되고, 상기 제 1, 2 전극 라인은 상기 제 2 수평방향으로 형성되고,상기 중앙 캔틸레버 빔과 상기 좌, 우측 캔틸레버 빔은 상기 제 1 수평방향으로 일정거리 이격되며 상기 제 2 수평방향으로 부양된 소정의 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 수평 구동 전기기계 스위칭 소자
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소정의 평탄면을 갖는 반도체 기판상에 상기 기판의 도전형과 반대되는 도전형을 갖는 불순물을 도핑 하여 복수 개의 불순물 도핑 라인을 형성한 다음 절연막 층을 형성하는 제 1 단계;상기 절연막 층 상에 도전층을 형성하는 제 2 단계;상기 도전층을 식각하여 중앙 빔 라인, 제 1, 2 전극 라인, 중앙 캔틸레버 빔과 좌, 우측 캔틸레버 빔을 형성하는 제 3 단계; 및상기 중앙 빔 라인, 제 1, 2 전극 라인, 중앙 캔틸레버 빔 및 좌, 우측 캔틸레버 빔을 마스크로 하여 상기 절연막 층을 식각하여, 상기 중앙 캔틸레버 빔과 상기 좌, 우측 캔틸레버 빔이 상기 기판상에서 부양되도록 하는 제 4 단계를 포함하여 구성되되,상기 제 1 단계와 상기 제 2 단계 사이에는, 상기 절연막 층 상에 상기 복수 개의 불순물 도핑 라인과 만나는 상기 중앙 빔 라인과 상기 제 1, 2 전극 라인의 컨택 플러그용 컨택 홀을 형성하는 단계를 더 진행하는 것을 특징으로 하는 수평 구동 전기기계 스위칭 소자의 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 제 2 단계와 상기 제 3 단계 사이에는, 상기 중앙 캔틸레버 빔과 상기 좌, 우측 캔틸레버 빔의 폭과 사이 간격, 상기 좌측 캔틸레버 빔과 상기 제 1 전극 라인 사이 간격 및 상기 우측 캔틸레버 빔과 상기 제 2 전극 라인 사이 간격을 결정하기 위한 미세 패턴 형성 공정을 더 진행하는 것을 특징으로 하는 수평 구동 전기기계 스위칭 소자의 제조방법
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