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비원형 실리콘 잉곳 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조되는 비원형 실리콘 잉곳(Method for fabricating non-circular silicon ingot and its non-circular silicon ingot)

  • 기술번호 : KST2017016642
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 4각 기둥형 등 비원형 실리콘 잉곳을 제조할 수 있게 하는 비원형 실리콘 잉곳 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조되는 비원형 실리콘 잉곳에 관한 것으로서, 도가니에 실리콘 용탕을 준비하는 용탕 준비 단계; 시드를 회전 및 들어 올리면서 상기 실리콘 용탕으로부터 실리콘 단결정 잉곳을 생성하는 결정 성장 단계; 및 결정 성장시 상기 잉곳이 비원형을 이루도록 상기 잉곳의 성장을 방해하는 성장 저해 부재를 상기 시드의 회전 속도와 동일한 동기 속도로 회전시키는 성장 저해 부재 회전 단계;를 포함할 수 있다.
Int. CL H01L 31/18 (2017.10.25) C30B 15/00 (2017.10.25) C30B 15/10 (2017.10.25) C30B 29/06 (2017.10.25)
CPC
출원번호/일자 1020170134237 (2017.10.16)
출원인 영남대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0120058 (2017.10.30) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2016-0017465 (2016.02.15)
관련 출원번호 1020160017465
심사청구여부/일자 Y (2017.10.16)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 영남대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 경산시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정재학 대구광역시 수성구
2 조민제 경상북도 경산시
3 이유리 대구광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김남식 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2 이인행 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 영남대학교 산학협력단 경상북도 경산시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2017.10.16 수리 (Accepted) 1-1-2017-1017990-76
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2017-5175631-14
3 등록결정서
Decision to grant		 2018.01.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0035722-26
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5220555-67
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번호 청구항
1 1
도가니에 실리콘 용탕을 준비하는 용탕 준비 단계;시드를 회전 및 들어 올리면서 상기 실리콘 용탕으로부터 실리콘 단결정 잉곳을 생성하는 결정 성장 단계; 및결정 성장시 상기 잉곳이 비원형을 이루도록 상기 잉곳의 성장을 방해하는 성장 저해 부재를 상기 시드의 회전 방향과 같은 방향으로 회전하고, 상기 시드의 회전 속도와 동일한 동기 속도로 회전시키는 성장 저해 부재 회전 단계;를 포함하고,상기 성장 저해 부재는 수직 배치형 영구자석 또는 수직 배치형 전자석을 포함하며, 상기 성장 저해 부재로부터의 자기력선의 방향이 상기 실리콘 용탕과 상기 잉곳의 경계 부분에의 상기 실리콘 용탕의 유동 방향과 동일한 방향을 포함할 수 있도록 배치되며, 상기 실리콘 용탕과 상기 잉곳의 경계 부분에의 상기 실리콘 용탕의 유동은 중심 하강형 열대류 이거나 또는 중심 상승형 열대류를 포함하는, 비원형 실리콘 잉곳 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 성장 저해 부재 회전 단계에서,수직 배치형 영구자석 또는 수직 배치형 전자석을 이용하여 위로 방출되어 아래로 형성되거나, 아래로 방출되어 위로 형성되는 자기력선을 상기 용탕에 인가하는, 비원형 실리콘 잉곳 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 성장 저해 부재 회전 단계에서,상기 잉곳의 하부 영역의 용탕 흐름이 위에서 아래로 흐르게 유도할 수 있는 방향으로 자기력선이 방출되는 영구 자석 또는 전자석을 이용하는, 비원형 실리콘 잉곳 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 결정 성장 단계에서, 상기 시드의 회전 속도를 측정하고,상기 성장 저해 부재 회전 단계에서, 상기 시드의 회전 속도와 동일한 동기 속도로 상기 성장 저해 부재를 회전시키는, 비원형 실리콘 잉곳 제조 방법
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 영남대학교 산학협력단 지역특화산업육성 대경 태양전지 지역혁신센터(8차년도 교비대응)