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단결정 이황화 몰리브덴 박막의 제조방법(Method for manufacturing single crystalline molybdenum disulfide)

  • 기술번호 : KST2017016648
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 단결정 이황화 몰리브덴 박막의 제조방법에 대한 것으로, 보다 구체적으로는 단결정 이황화몰리브덴 박막을 기판상에 원하는 위치 및 두께로 형성할 수 있으며, 이를 이용하여 박막트랜지스터를 제조할 수 있는 방법에 관한 것이다.본 발명의 단결정 이황화몰리브덴 박막의 제조방법에 의하면 성장 위치를 제어함으로써 고품질 단결정의 이황화몰리브덴을 제조할 수 있는 효과가 있다. 또한, 본 발명의 박막트랜지스터의 제조방법에 의하면 단결정 이황화몰리브덴 박막의 성장 두께 및 위치를 제어하여 매트릭스 정렬 위치를 조절할 수 있어 플렉시블 디스플레이에 적용가능한 박막트랜지스터를 제조할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL C30B 25/04 (2016.06.17) C01G 39/06 (2016.06.17) C30B 29/46 (2016.06.17) H01L 21/027 (2016.06.17) H01L 21/02 (2016.06.17) H01L 21/205 (2016.06.17)
CPC C30B 25/04(2013.01) C30B 25/04(2013.01) C30B 25/04(2013.01) C30B 25/04(2013.01) C30B 25/04(2013.01) C30B 25/04(2013.01) C30B 25/04(2013.01) C30B 25/04(2013.01)
출원번호/일자 1020160049120 (2016.04.22)
출원인 조선대학교산학협력단, 한국광기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0120795 (2017.11.01) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.04.22)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 조선대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 동구
2 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권민기 대한민국 광주광역시 북구
2 김두형 대한민국 광주광역시 광산구
3 김자연 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 조선대학교 산학협력단 광주광역시 동구
2 한국광기술원 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2016-0387421-84
2 보정요구서
Request for Amendment
2016.05.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0066249-24
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2016.05.18 수리 (Accepted) 1-1-2016-0474338-11
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.08.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.10.10 수리 (Accepted) 9-1-2016-0043066-53
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.01.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0075247-32
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2017-0316780-41
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2017-0418323-69
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.05.31 수리 (Accepted) 1-1-2017-0519322-15
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2017-0631565-97
11 보정요구서
Request for Amendment
2017.07.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0091202-11
12 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2017.07.06 수리 (Accepted) 1-1-2017-0638168-82
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.07.31 수리 (Accepted) 1-1-2017-0734640-51
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.07.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0734642-42
15 등록결정서
Decision to grant
2017.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0755379-11
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.12.06 수리 (Accepted) 4-1-2017-5199091-10
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2020-5071333-01
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2020-5088703-88
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
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번호 청구항
1 1
기판상에 몰리브덴(Mo)패턴층을 형성하는 단계; 및상기 몰리브덴패턴층을 술폰화하여 단결정 이황화몰리브덴(MoS2) 박막패턴을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 단결정 이황화몰리브덴(MoS2) 박막패턴을 형성하는 단계는 화학기상증착법(CVD법)을 이용하는데, 황(S)을 녹는점 이상의 온도로 가열하고 상기 몰리브덴패턴층으로 유입하여 술폰화하여 형성하며, 각각의 몰리브덴패턴의 가장자리에서 핵생성이 이루어진 다음 삼각형 구조의 이황화몰리브덴(MoS2) 결정상들이 가장자리에서 안쪽으로 성장하고 병합하여 단결정 이황화몰리브덴 박막패턴이 형성되는 것을 특징으로 하는 단결정 이황화몰리브덴 박막의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 단결정 이황화몰리브덴(MoS2) 박막패턴을 형성하는 단계는 상기 황(S)의 원료로서 H2S 기체소스 또는 H2SO4 액체소스를 이용하는 것을 특징으로 하는 단결정 이황화몰리브덴 박막의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 몰리브덴패턴층의 두께와 유입되는 상기 황(S)의 양을 조절하여 단결정 이황화몰리브덴 박막패턴을 단일박막 또는 다층박막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 단결정 이황화몰리브덴 박막의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 기판은 세라믹 또는 금속 소재로 이루어진 것을 특징으로 하는 단결정 이황화몰리브덴 박막의 제조방법
5 5
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 몰리브덴(Mo)패턴층을 형성하는 단계는상기 기판 상에 포토레지스트(PR)패턴을 형성하는 단계;상기 포토레지스트패턴 상에 몰리브덴(Mo)을 증착하는 단계; 및상기 포토레지스트패턴을 제거하여 몰리브덴패턴층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정 이황화몰리브덴 박막의 제조방법
6 6
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 몰리브덴(Mo)패턴층을 형성하는 단계는상기 기판 상에 몰리브덴(Mo)층을 증착하는 단계;상기 몰리브덴층 상에 포토레지스트(PR)패턴을 형성하는 단계; 및식각공정을 이용하여 몰리브덴을 식각하고, 상기 포토레지스트패턴을 제거하여 몰리브덴패턴층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정 이황화몰리브덴 박막의 제조방법
7 7
기판상에 구비하고자 하는 박막트랜지스터(TFT)의 매트릭스 정렬 위치를 결정하는 단계;결정된 상기 박막트랜지스터의 매트릭스 정렬 위치에 대응하도록 상기 기판상에 몰리브덴(Mo)패턴층을 형성하는 단계;상기 몰리브덴패턴층을 술폰화하여 단결정 이황화몰리브덴(MoS2) 박막패턴을 형성하는 단계; 및상기 단결정 이황화몰리브덴(MoS2) 박막패턴 상에 전극을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 단결정 이황화몰리브덴(MoS2) 박막패턴을 형성하는 단계는 화학기상증착법(CVD법)을 이용하는데, 황(S)을 녹는점 이상의 온도로 가열하고 상기 몰리브덴패턴층으로 유입하여 술폰화하여 형성하며, 각각의 몰리브덴패턴의 가장자리에서 핵생성이 이루어진 다음 삼각형 구조의 이황화몰리브덴(MoS2) 결정상들이 가장자리에서 안쪽으로 성장하고 병합하여 단결정 이황화몰리브덴 박막패턴이 형성되는 것을 특징으로 하는 단결정 이황화몰리브덴 박막을 이용한 박막트랜지스터의 제조방법
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
삭제
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순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 중소기업청 올릭스 시장창출형 창조기술개발 (조사분석사업명 : 시장창출형창조기술개발) 친환경 Deep blue LED를 이용한 고효율, 고연색 의료용 광원 개발