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기재층; 및상기 기재층의 일면에 형성된 전도성 고분자층을 포함하고,상기 전도성 고분자층은 하기 일반식 1을 만족하는 투명 전극:[일반식 1]Tmin/Tmax × 100 003e# 93 (%)상기 일반식 1에서 Tmin 및 Tmax은 각각 400 내지 800 nm의 파장에서 측정한 상기 전도성 고분자층의 투과도의 최소값 및 최대값을 나타낸다
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제 1 항에 있어서,기재층은 유리, 사파이어, 실리콘, 실리콘 산화물, 금속 호일(metal foil), 스틸, 금속 산화물 및 고분자 기판(polymer substrate)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함하는 투명 전극
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제 1 항에 있어서,전도성 고분자는 폴리티오펜, 폴리아닐린, 폴리피롤, 폴리스티렌, 폴리스티렌설포네이트, 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜), 셀프-도핑 전도성 고분자, 이들의 유도체 또는 이들의 조합을 포함하는 투명 전극
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제 1 항에 있어서,전도성 고분자층은 두께가 100 nm 이하인 투명 전극
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제 1 항에 있어서,하기 일반식 2를 만족하는 투명 전극:[일반식 2]Tc/Ts × 100 003e# 97(%)상기 일반식 2에서 Tc 및 Ts는 각각 400 nm 내지 800 nm의 파장에서 전도성 고분자층 및 기재층의 평균 투과도를 나타낸다
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기재층; 및상기 기재층의 일면에 형성된 전도성 고분자층; 및상기 전도성 고분자층의 일면에 형성되어 있는 저항 조절층을 포함하고, 하기 일반식 3을 만족하는 투명 전극:[일반식 3]5 (%) 003c# Sr/Sc × 100 003c# 30 (%)상기 일반식 3에서 Sr 및 Sc은 각각 상기 저항 조절층 및 전도성 고분자층의 투영 면적을 나타낸다
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제 6 항에 있어서,기재층은 유리, 사파이어, 실리콘, 실리콘 산화물, 금속 호일(metal foil), 스틸, 금속 산화물 및 고분자 기판(polymer substrate)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 투명 전극
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제 6 항에 있어서,전도성 고분자층은 하기 일반식 1을 만족하는 투명 전극:[일반식 1]Tmin/Tmax × 100 003e# 93 (%)상기 일반식 1에서 Tmin 및 Tmax은 각각 400 nm 내지 800 nm의 파장에서 측정한 상기 전도성 고분자층의 투과도의 최소값 및 최대값을 나타낸다
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제 6 항에 있어서,전도성 고분자는 폴리티오펜, 폴리아닐린, 폴리피롤, 폴리스티렌, 폴리스티렌설포네이트, 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜), 셀프-도핑 전도성 고분자, 이들의 유도체 또는 이들의 조합을 포함하는 투명 전극
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제 6 항에 있어서,전도성 고분자층은 두께가 100 nm 이하인 투명 전극
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제 6 항에 있어서,하기 일반식 2를 만족하는 투명 전극:[일반식 2]Tc/Ts × 100 003e# 97(%)상기 일반식 2에서 Tc 및 Ts는 각각 400 nm 내지 800 nm의 파장에서 전도성 고분자층 및 기재층의 평균 투과도를 나타낸다
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제 6 항에 있어서,저항 조절층은 시트(sheet), 입자(particle), 와이어(wire), 리본(ribbon), 튜브(tube) 및 그리드(grid)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 투명 전극
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제 6 항에 있어서,저항 조절층은 탄소나노튜브 또는 그래핀을 포함하는 탄소동위체; Ag, Au, Cu, Al, Ni 및 Pt로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 금속; 또는 ZnO 및 ITO로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 금속 산화물을 포함하는 투명 전극
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제 12 항에 있어서,그리드는 0
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기재층의 일면에 전도성 고분자층을 형성하는 단계; 및상기 전도성 고분자층의 표면을 플라즈마 처리하는 단계를 포함하는 투명 전극의 제조 방법
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제 15 항에 있어서,플라즈마 처리는 1 분 초과 내지 14 분 동안 산소의 존재 하에 에칭하여 수행되는 투명 전극의 제조 방법
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제 15 항에 있어서,전도성 고분자층 상에 저항 조절층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 투명 전극의 제조 방법
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제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항의 투명 전극을 포함하는 유기 광전자 소자
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제 18 항에 있어서,개방 회로 전압이 0
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제 18 항에 있어서,투명 전극은 하기 일반식 4를 만족하는 유기 광전자 소자
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