맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

역 전기투석용 자기-가습성 막 및 그 제조방법(Self-humidifying membranes for reverse electrodialysis and preparation method thereof)

  • 기술번호 : KST2017016673
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 방향족 탄화수소계 고분자 이온교환막의 표면에 나노-크랙의 모폴로지 패턴을 갖는 소수성 박막 코팅층을 포함하는 자기-가습성 막을 제조하여 역 전기투석 공정에 응용하는 기술에 관한 것이다.본 발명에 따라 제조된, 방향족 탄화수소계 고분자 이온교환막의 표면에 나노-크랙의 모폴로지 패턴을 갖는 소수성 박막 코팅층을 포함하는 자기-가습성 막은 이온교환막의 낮은 벌크 저항을 구현하면서 이온 선택도가 현저하게 향상됨으로써, 막 저항과 이온 선택도의 트레이드-오프 관계를 극복할 수 있어, 역 전기투석 장치의 음이온 및 양이온 교환막으로 상용화 가능하다.
Int. CL C08J 5/22 (2016.05.25) F03G 7/04 (2016.05.25) C08G 61/12 (2016.05.25) C08L 81/02 (2016.05.25) C08J 7/12 (2016.05.25) H01M 6/34 (2016.05.25) C02F 1/469 (2016.05.25) B01D 61/42 (2016.05.25) B01J 39/04 (2016.05.25)
CPC C08J 5/2293(2013.01) C08J 5/2293(2013.01) C08J 5/2293(2013.01) C08J 5/2293(2013.01) C08J 5/2293(2013.01) C08J 5/2293(2013.01) C08J 5/2293(2013.01) C08J 5/2293(2013.01) C08J 5/2293(2013.01) C08J 5/2293(2013.01)
출원번호/일자 1020160048531 (2016.04.21)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0120282 (2017.10.31) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.04.21)
심사청구항수 11

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이영무 대한민국 서울특별시 서초구
2 박치훈 대한민국 경상남도 진주시 모덕로번길
3 이소영 대한민국 서울특별시 관악구
4 황두성 대한민국 서울특별시 송파구
5 신동원 대한민국 서울특별시 은평구
6 조두희 대한민국 경기도 용인시 수지구
7 이강혁 대한민국 서울특별시 노원구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.04.21 수리 (Accepted) 1-1-2016-0382386-12
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.12.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.02.10 수리 (Accepted) 9-1-2017-0004921-62
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.04.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0253352-59
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2017.06.07 수리 (Accepted) 1-1-2017-0538868-11
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2017.07.10 수리 (Accepted) 1-1-2017-0655856-29
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2017.08.09 수리 (Accepted) 1-1-2017-0769436-52
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.08.30 수리 (Accepted) 1-1-2017-0840153-36
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.08.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0840171-58
10 등록결정서
Decision to grant		 2018.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0068549-96
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
a) 방향족 탄화수소계 고분자 이온교환막; 및b) 상기 이온교환막의 표면에 나노-크랙의 모폴로지 패턴을 갖는 소수성 박막 코팅층;을 포함하는 역 전기투석용 자기-가습성 막
2 2
제1항에 있어서, 상기 방향족 탄화수소계 고분자는 폴리벤즈이미다졸계, 폴리벤즈옥사졸계, 폴리이미드계, 폴리에테르이미드계, 폴리페닐렌술파이드계, 폴리술폰계, 폴리에테르술폰계, 폴리에테르케톤계, 폴리에테르에테르케톤계, 폴리페닐퀴녹살린계, 또는 이들의 공중합체, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 역 전기투석용 자기-가습성 막
3 3
제1항에 있어서, 상기 방향족 탄화수소계 고분자 이온교환막은 하기 화학식 1로 표현되는 제1 반복 단위 및 하기 화학식 2로 표현되는 제2 반복 단위를 포함하는 방향족 탄화수소계 고분자; 하기 화학식 3, 화학식 4 또는 화학식 5로 표현되는 방향족 탄화수소계 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 역 전기투석용 자기-가습성 막
4 4
제1항에 있어서, 상기 소수성 박막 코팅층은 -CF2-, -CF3 또는 이들의 조합인 소수성 작용기를 포함하는 것을 특징으로 하는 역 전기투석용 자기-가습성 막
5 5
제1항에 있어서, 상기 소수성 박막 코팅층은 그 두께가 10~1000 nm인 것을 특징으로 하는 역 전기투석용 자기-가습성 막
6 6
방향족 탄화수소계 고분자 이온교환막을 상압 플라즈마로 3 내지 40회 반복적으로 처리하는 공정을 포함하며,상기 상압 플라즈마 처리 공정은 아르곤 가스, 질소 가스, 산소 가스, 헬륨 가스 및 이들의 조합에서 선택되는 제1 가스; 및 하이드로카본 가스, 플루오로카본 가스 및 이들의 조합에서 선택되는 제2 가스를 불어넣으면서 수행함으로써, 상기 이온교환막의 표면에 나노-크랙의 모폴로지 패턴을 갖는 소수성 박막 코팅층을 형성하는 것을 특징으로 하는 역 전기투석용 자기-가습성 막의 제조방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 방향족 탄화수소계 고분자 이온교환막을 상압 플라즈마로 3 내지 10회 반복적으로 처리하는 것을 특징으로 하는 역 전기투석용 자기-가습성 막의 제조방법
8 8
제6항에 있어서, 상기 방향족 탄화수소계 고분자 이온교환막은 하기 화학식 1로 표현되는 제1 반복 단위 및 하기 화학식 2로 표현되는 제2 반복 단위를 포함하는 방향족 탄화수소계 고분자; 하기 화학식 3, 화학식 4 또는 화학식 5로 표현되는 방향족 탄화수소계 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 역 전기투석용 자기-가습성 막의 제조방법
9 9
삭제
10 10
제6항에 있어서, 상기 하이드로카본 가스는 CH4 가스 또는 C2H2 가스인 것을 특징으로 하는 역 전기투석용 자기-가습성 막의 제조방법
11 11
제6항에 있어서, 상기 플루오로카본 가스는 C4F8 가스, CF4 가스 또는 이들의 조합인 것을 특징으로 하는 역 전기투석용 자기-가습성 막의 제조방법
12 12
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 따른 역 전기투석용 자기-가습성 막을 포함하는 역 전기투석 장치
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20190126212 US 미국 FAMILY
2 WO2017183890 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2019126212 US 미국 DOCDBFAMILY
2 WO2017183890 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.