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모기판의 표면에너지를 조절하는 단계;상기 모기판 상에 시드층을 형성하는 단계;상기 시드층 상에 시드 보호층을 형성하는 단계;전기 도금 공정으로 상기 시드 보호층 상에 도금층을 형성하는 단계; 및 상기 모기판으로부터 상기 도금층을 분리하는 단계;를 포함하는 전자소자용 금속 기판의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 표면에너지를 조절하는 단계에서는 상기 모기판의 표면을 플라즈마 처리하는, 전자소자용 금속 기판의 제조 방법
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제2항에 있어서,상기 플라즈마 처리는 상기 모기판과 상기 시드층 사이의 결합력을 조절하는, 전자소자용 금속 기판의 제조 방법
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제2항에 있어서,상기 플라즈마 처리에 사용되는 기체는 O2, N2, He, Ar, SiH4, NF3, CF4, N2O, Cl2, BCl4, NH3로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함하는, 전자소자용 금속 기판의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 시드층은 가시광선 영역에서 광 반사도가 90% 이상인 물질을 포함하는, 전자소자용 금속 기판의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 시드층은 50㎚ ~ 1000㎚의 두께로 형성되는, 전자소자용 금속 기판의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 시드 보호층은 전기 도금 공정에서 용액의 침투를 방지하도록 상기 시드층과 복수의 층상 구조로 형성되는, 전자소자용 금속 기판의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 도금층은 Mo, Mg, Al, Ti, Ag, Au, V, Cr, Fe, Ni, Cu, Y, Nb, Tc, Rh, W, Pd, Co, Sn로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함하는, 전자소자용 금속 기판의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 도금층은 5㎛ ~ 100㎛의 두께로 형성되는, 전자소자용 금속 기판의 제조 방법
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10
제1항에 있어서,상기 모기판은 유리, 고분자 화합물, 금속으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함하는, 전자소자용 금속 기판의 제조 방법
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11
제10항에 있어서,상기 모기판은 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리디메틸실록산(PDMS), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리우레아(PUA), 폴리이미드(Polyimide), SU-8(에폭시 계열의 광경화수지)와 같이 C-H-O의 결합으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함하는, 전자소자용 금속 기판의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 모기판은 Al, Cu, Mo, Ni, Fe를 포함하여 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나 이상의 물질을 포함하여 금속 압연 주조 방식으로 형성된, 전자소자용 금속 기판의 제조 방법
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