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기판;상기 기판 상에 형성되고, 금속 입자를 포함하고, 상기 금속입자가 단층으로 형성된 감지부; 상기 기판 상에 형성되는 전도성 섬유; 상기 기판 상에 형성되고, 상기 감지부와 상기 전도성 섬유를 전기적으로 연결시키고, 리퀴드 메탈을 포함하는 접합부; 및상기 감지부 및 접합부를 밀봉하는 커버;를 포함하는 무선 패치 센서
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제1항에 있어서,상기 감지부가 스트레인 변화에 따라 전기적 신호 변화를 유도하는 것을 특징으로 하는 무선 패치 센서
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제2항에 있어서,상기 전기적 신호가 저항인 것을 특징으로 하는 무선 패치 센서
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제1항에 있어서,상기 무선 패치 센서는 두께가 10 ㎛ 내지 1 mm인 것을 특징으로 하는 무선 패치 센서
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제1항에 있어서,상기 기판이 PDMS(polydimethylsiloxane), PB(polybutadiene), PU(polyurethane), PUA(polyurethane acrylate), SBR(styrene-butadiene rubber), PVDF(polyvinylidene fluoride) 및 PVDF-TrFE(poly(vinylidenefluoride-co-trifluoroethylene)) 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 무선 패치 센서
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제5항에 있어서,상기 기판의 모듈러스(modulus)가 0
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제1항에 있어서,상기 감지부에 포함된 금속 입자가 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 몰리브덴(Mo), 오스뮴(Os), 이리듐(Ir), 레늄(Re), 팔라듐(Pd), 바나듐(V), 텅스텐(W), 코발트(Co), 철(Fe), 셀레늄(Se), 비스무트(Bi), 주석(Sn), 크롬(Cr), 타이타늄(Ti), 세륨(Ce) 및 구리(Cu) 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 무선 패치 센서
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제7항에 있어서,상기 감지부의 폭이 40 내지 1,000 ㎛인 것을 특징으로 하는 무선 패치 센서
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제1항에 있어서,상기 리퀴드 메탈이 공정 갈륨-인듐 합금(eutectic gallium-indium alloy)을 포함하는 것을 특징으로 하는 무선 패치 센서
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제1항에 있어서,상기 전도성 섬유가 금(Au), 니켈(Ni), 은(Ag), 백금(Pt), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 몰리브덴(Mo), 오스뮴(Os), 이리듐(Ir), 레늄(Re), 팔라듐(Pd), 바나듐(V), 텅스텐(W), 코발트(Co), 철(Fe), 셀레늄(Se), 비스무트(Bi), 주석(Sn), 크롬(Cr), 타이타늄(Ti), 세륨(Ce) 및 구리(Cu) 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 무선 패치 센서
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제1항에 있어서,상기 커버가 PDMS(polydimethylsiloxane), PB(polybutadiene), PU(polyurethane), PUA(polyurethane acrylate), SBR(styrene-butadiene rubber), PVDF(polyvinylidene fluoride) 및 PVDF-TrFE(poly(vinylidenefluoride-co-trifluoroethylene)) 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 무선 패치 센서
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(a) 기판 상의 일부분에 산화막을 형성하여 산화막 패턴을 형성하는 단계;(b) 상기 산화막이 형성되지 않은 상기 기판상의 타부분에 금속 입자를 형성하여 감지부를 형성하는 단계;(c) 상기 감지부 상에 고분자를 코팅하는 단계; (d) 전도성 섬유를 상기 기판상에서 위치시키는 단계;(e) 상기 감지부와 상기 전도성 섬유를 전기적으로 연결시키는 리퀴드 메탈을 포함하는 접합부를 형성하는 단계; 및(f) 상기 감지부 및 상기 접합부를 밀봉하는 커버를 형성하여 제1항의 무선 패치 센서를 제조하는 단계;를 포함하는 무선 패치 센서의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 산화막 패턴은 산화막 사이의 갭을 포함하고, 상기 갭의 폭이 40 내지 1,000 ㎛인 것을 특징으로 하는 무선 패치 센서의 제조방법
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제12항에 있어서,단계 (b)에서 상기 기판의 모듈러스가 10 kPa 내지 2 Mpa 인 것을 특징으로 하는 무선 패치 센서의 제조방법
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제14항에 있어서,단계 (b)에서 상기 산화막이 형성되지 않은 상기 기판상의 타부분에 파우더 형태의 금속 입자를 위치시키고, 고무로 문질러 상기 감지부를 형성하는 것을 특징으로 하는 무선 패치 센서의 제조방법
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제15항에 있어서,상기 고무가 PDMS(polydimethylsiloxane), PB(polybutadiene), PU(polyurethane), PUA(polyurethane acrylate), SBR(styrene-butadiene rubber), PVDF(polyvinylidene fluoride) 및 PVDF-TrFE(poly(vinylidenefluoride-co-trifluoroethylene)) 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 무선 패치 센서의 제조방법
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제16항에 있어서,단계 (b) 이후에, (b') 상기 기판을 열처리하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 무선 패치 센서의 제조방법
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제17항에 있어서,단계 (b') 이후에, 상기 기판의 모듈러스가 0
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제12항에 있어서, 단계 (c)에서, 상기 고분자가 PDMS(polydimethylsiloxane), PB(polybutadiene), PU(polyurethane), PUA(polyurethane acrylate), SBR(styrene-butadiene rubber), PVDF(polyvinylidene fluoride) 및 PVDF-TrFE(poly(vinylidenefluoride-co-trifluoroethylene)) 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 무선 패치 센서의 제조방법
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제12항에 있어서,단계 (f)에서, 상기 기판 및 상기 커버를 플라즈마 처리한 후 부착하고, 압력을 가하여 상기 감지부 및 상기 접합부를 밀봉하는 것을 특징으로 하는 무선 패치 센서의 제조방법
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