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반도체 제조장치에 있어서,상기 반도체 제조장치는 증기 세척 방식을 이용하여 기판을 세척하는 세척 공정 챔버;원자층 증착법을 이용하여 상기 기판 상부에 플라즈마 패시베이션 막을 형성하는 PEALD 공정 챔버; 상기 플라즈마 패시베이션 막 상부에 절연층을 형성하는 열 ALD 공정 챔버; 및 상기 세척 공정 챔버, PEALD 공정 챔버, 및 열 ALD 공정 챔버와 각각 일측변과 접하도록 형성되어 상기 기판을 연속해서 진공상태에서 in-situ로 세척 공정 챔버에서, PEALD 공정 챔버 및 열 ALD 공정 챔버로 이송시키는 이송챔버를 포함하고상기 세척공정챔버는 상기 기판을 HCL 또는 암모니아수(NH4OH) 와 초순수(Deionized Water)를 일정 비율로 섞은 용액으로 1~2분 동안 세척을 실시하고, 이후 연속적으로 (NH4)2S용액에서 10~30분간 세척을 실시하고,상기 PEALD 공정 챔버는 상기 세척 공정 챔버에서 세척 공정이 완료된 기판을 기판 홀더에 로딩을 한 후, 30초간 N2로 챔버를 퍼지시킨 다음, NH3 가스를 분당 100cc로 샤워 헤드를 통하여 챔버 내부로 주입한 후, Ar, H₂, N₂, O₂, N₂O 및 NH₃ 중 적어도 하나 또는 그 조합의 가스를 10~200sccm의 가스 플로우를 이용하여, 0
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