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나노와이어 구조체 및 그 제조방법(Nanowire structure and method for manufacturing the same)

  • 기술번호 : KST2017016872
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 따른 나노와이어 구조체는, 기판 상에서 성장된 속이 빈 형태를 갖는 복수의 나노와이어; 및 상기 복수의 나노와이어 각각의 원주 방향을 따라 성장된 다중 양자우물 구조 층;을 포함한다.
Int. CL B82B 1/00 (2016.05.27) B82B 3/00 (2016.05.27) B82Y 20/00 (2016.05.27) H01L 31/0352 (2016.05.27)
CPC B82B 1/005(2013.01) B82B 1/005(2013.01) B82B 1/005(2013.01) B82B 1/005(2013.01) B82B 1/005(2013.01)
출원번호/일자 1020160052380 (2016.04.28)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0123127 (2017.11.07) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.04.28)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이철로 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
2 박지현 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인필앤온지 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2016-0411351-95
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.11.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0792382-61
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.01.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0048178-45
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.01.15 수리 (Accepted) 1-1-2018-0048177-00
5 등록결정서
Decision to grant		 2018.03.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0215375-53
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
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번호 청구항
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(a) 기판을 준비하는 단계;(b) 상기 기판 상에 나노와이어의 성장을 위한 패턴을 형성하는 단계;(c) 상기 패턴 상에서 나노와이어를 성장시키되 성장된 나노와이어가 속이 빈 형태를 갖도록 성장시키는 단계; 및(d) 상기 나노와이어의 원주 방향을 따라 다중 양자우물 구조 층을 성장시키는 단계;를 포함하며,상기 (b)단계는,(b1) 상기 기판 상에 스핀코팅에 의해 비드를 형성하는 단계;(b2) 형성된 상기 비드 상에 플라즈마 처리를 통해 에칭을 하는 단계;(b3) 에칭된 상기 비드가 외부로 노출되도록 상기 기판 상에 마스킹 층을 형성하는 단계; 및(b4) 에슁 처리를 통해 비드를 제거함으로써 상기 나노와이어가 성장할 수 있는 영역을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 (c)단계는,850℃ 내지 980℃ 범위의 온도조건 및 400torr 내지 600torr 범위의 압력 조건 하에서 갈륨의 전구체 및 질소의 전구체를 공급하여 GaN으로 이루어진 나노와이어를 성장시키되, 갈륨의 분압이 2
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 전북대학교 중견연구자지원사업 Coaxial AlxGa1-xN NW + Graphene + Ag@Sio2 hybrid에 의한 신개념 UV(A,B,C)-LED 제작 기술 연구