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리지 형태의 III-V족 질화물계 레이저 다이오드 및 이의 제조방법(RIDGE TYPE LASER DIODE AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF)

  • 기술번호 : KST2017016900
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 리지 형태의 III-V족 질화물계 레이저 다이오드 및 제조 방법에 관한 것으로서, 기판 상면에 형성된 n-반도체층을 기준으로 측면 성장 기법을 통해 무극성 또는 반극성 면 성장 방향의 리지를 가지는 레이저 다이오드를 제조함에 따라 리지 부분에서의 에너지 밴드의 틸팅이 방지할 수 있고 측면 성장 속도의 조절로 인해 매끄러운 표면을 형성할 수 있어 발광 다이오드의 광효율 특성을 향상시킬 수 있게 된다.
Int. CL H01S 5/22 (2016.06.04) H01S 5/022 (2016.06.04) H01S 5/042 (2016.06.04)
CPC H01S 5/2206(2013.01) H01S 5/2206(2013.01) H01S 5/2206(2013.01) H01S 5/2206(2013.01)
출원번호/일자 1020160052235 (2016.04.28)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0123060 (2017.11.07) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.04.28)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 주진우 대한민국 광주광역시 광산구
2 백종협 대한민국 대전광역시 서구
3 김윤석 대한민국 광주광역시 광산구
4 정태훈 대한민국 광주광역시 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이은철 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, H비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)
2 이우영 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, H비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2016-0410377-03
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.05.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0073634-20
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.05.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0355305-83
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2017-0708496-17
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.07.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0708495-72
7 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2017.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2017-5015540-13
8 보정요구서
Request for Amendment
2017.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0105674-10
9 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2017.08.08 수리 (Accepted) 1-1-2017-0740225-13
10 등록결정서
Decision to grant
2017.12.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0889320-93
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판; 상기 기판 상부에 N-형 불순물이 도핑된 질화갈륨(GaN) 반도체층(n-GaN)을 형성하는 n-반도체층; 상기 n-반도체층의 c 면에서 무극성 또는 반극성 방향으로 측면 성장 기법을 이용하여 성장된 활성층; 상기 활성층의 측부에 마련된 P형 불순물이 도핑된 질화갈륨(GaN) 반도체층(p-GaN)으로 형성된 p-반도체층; 및상기 n-반도체층 및 p-반도체층 노출 영역에 솔더 공정을 통해 형상하는 n-전극층 및 p- 전극층을 포함하고,상기 n-반도체층은, c면 기판을 사용하여 c면 위에 성장하는 n-컨택층; 기판의 c면을 이용한 수직 성장을 억제하고 리지의 측면 성장을 향상하기 위해, 상기 n-컨택층의 측부에 무극성 또는 반극성 면으로 측면 성장 기법을 이용하여 측면 성장하는 n- 클래드층; 및 n-클래드층의 측부에 무극성 또는 반극성 면으로 측면 성장하는 n-광가이드층으로 포함하는 것을 특징으로 하는 리지 형태의 III-V족 질화물계레이저 다이오드
2 2
제1항에 있어서, 상기 기판은 에피탁시층의 성장 표면을 제공하고, c-면 사파이어 기판으로 구비되는 것을 특징으로 하는 리지 형태의 III-V족 질화물계 레이저 다이오드
3 3
제2항에 있어서, 상기 측면 성장 기법은, ELOG(Epixtaxial Lateral Over Growth) 방식인 것을 특징으로 하는 리지 형태의 III-V족 질화물계 레이저 다이오드
4 4
삭제
5 5
제3항에 있어서, 상기 활성층은, 상기 n-반도체층의 n-광 가이드층 측부에 측면 성장 기법을 이용하여 무극성 또는 반극성의 성장 방향으로 형성하도록 구비되는 것을 특징으로 하는 리지 형태의 III-V족 질화물계 레이저 다이오드
6 6
제5항에 있어서, 상기 p-반도체층은, 상기 활성층의 측부에 측면 성장하는 p-광가이드층; 상기 p-광가이드층의 측부에 성장 방향 무극성 또는 반극성 면으로 측면 성장 기법으로 성장하는 p- 클래드층; 및 상기 p-클래드층의 측부에 무극성 또는 반극성 면 성장 방향으로 성장하는 p-컨택층으로 포함하는 것을 특징으로 하는 리지 형태의 III-V족 질화물계 레이저 다이오드
7 7
기판 상부에 N-형 불순물이 도핑된 질화갈륨(GaN) 반도체층(n-GaN)의 n-반도체층을 형성하는 단계; 상기 n-반도체층의 c 면에서 무극성 또는 반극성 방향으로 측면 성장 기법을 이용하여 측면 성장된 활성층을 형성하는 단계; 상기 활성층의 측부에 마련된 P형 불순물이 도핑된 질화갈륨(GaN) 반도체층(p-GaN)으로 p-반도체층을 형성하는 단계; 및상기 n-반도체층 및 p-반도체층의 노출 상면에 솔더 공정을 통해 형성하는 n-전극층 및 p-전극층을를 포함하고,상기 n-반도체층은, c면 기판을 사용하여 c면 위에 성장하는 n-컨택층을 형성하고, 기판의 c면을 이용한 수직 성장을 억제하고 리지의 측면 성장을 향상하기 위해, 상기 n-컨택층의 측부에 무극성 또는 반극성 면으로 측면 성장 기법을 이용하여 측면 성장하는 n- 클래드층을 형성하며,n-클래드층의 측부에 무극성 또는 반극성 면으로 측면 성장하는 n-광가이드층을 형성하는 것을 특징으로 하는 리지 형태의 III-V족 질화물계 레이저 다이오드 제조 방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 측면 성장 기법은, ELOG(Epixtaxial Lateral Over Growth) 방식으로 구비되는 것을 특징으로 하는 리지 형태의 III-V족 질화물계 레이저 다이오드 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국광기술원 전자정보디바이스 산업원천기술개발사업(LED/광) Green LED/LD용 에피웨이퍼 기술 개발