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발광소자용 반사전극 및 이의 제조방법(REFLECTING ELECTRODE FOR LIGHT EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF)

  • 기술번호 : KST2017016946
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 발광소자용 반사전극 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 반도체층 상에 형성된 10O nm 내지 5 ㎛ 두께의 Ag 반사층; 을 포함하고, 상기 Ag 반사층은, 제1 Ag 층; 제2 Ag 층; 및 상기 제1 Ag 층 및 상기 제2 Ag 층 사이에 형성된 나노입자층을 포함하는 발광소자용 반사전극 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은, 열 안정성이 우수하여 안정적인 반사특성을 제공할 수 있는 Ag 기반 발광소자용 반사전극을 제공할 수 있다.
Int. CL H01L 33/40 (2016.06.01) H01L 33/46 (2016.06.01) H01L 33/10 (2016.06.01) H01L 33/00 (2016.06.01)
CPC H01L 33/405(2013.01) H01L 33/405(2013.01) H01L 33/405(2013.01) H01L 33/405(2013.01) H01L 33/405(2013.01) H01L 33/405(2013.01) H01L 33/405(2013.01)
출원번호/일자 1020160051326 (2016.04.27)
출원인 한국산업기술대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0122419 (2017.11.06) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.04.27)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국산업기술대학교산학협력단 대한민국 경기도 시흥시 산기대학로

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김경국 대한민국 경기도 시흥시 산
2 백지영 대한민국 경기도 시흥시 산
3 권준성 대한민국 경기도 시흥시 산
4 김소현 대한민국 경기도 시흥시 산
5 신순철 대한민국 경기도 시흥시 산

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 무한 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2016-0404155-88
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.05.24 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.05.25 수리 (Accepted) 9-1-2017-0016820-85
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.06.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0403456-28
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.08.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0763000-20
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.08.08 수리 (Accepted) 1-1-2017-0762999-26
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2017.09.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0666530-55
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2017-1158954-50
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.11.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-1158955-06
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.12.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0869800-38
11 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
2018.01.12 무효 (Invalidation) 1-1-2018-0041273-77
12 보정요구서
Request for Amendment
2018.01.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0015432-79
13 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation
2018.03.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0035639-81
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번호 청구항
1 1
반도체층 상에 형성된 10O nm 내지 5 ㎛ 두께의 Ag 반사층; 을 포함하고,상기 Ag 반사층은, 제1 Ag 층; 제2 Ag 층; 및 상기 제1 Ag 층 및 상기 제2 Ag 층 사이에 형성된 나노입자층; 을 포함하는 것인, 발광소자용 반사전극
2 2
제1항에 있어서,상기 나노입자층은 Cu, Ag, Ni, In, Al, Pt, Pb, Ti, Cr, Au, Sn 및 ITO로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나 이상의 물질이 포함된 나노입자를 포함하는 것인, 발광소자용 반사전극
3 3
제1항에 있어서,상기 나노입자층은 20 nm 이하 직경을 가지는 나노입자를 포함하는 것인, 발광소자용 반사전극
4 4
제1항에 있어서,상기 제1 Ag 층 및 상기 제2 Ag 층의 두께는 각각, 50 nm 내지 1 ㎛ 이하이고,상기 제1 Ag 층 및 상기 제2 Ag 층의 두께는, 서로 동일하거나 또는 상이한 것인, 발광소자용 반사전극
5 5
반도체층을 준비하는 단계;상기 반도체층 상에 제1 Ag 층을 형성하는 단계;상기 제1 Ag 층 상에, Cu, Ag, Ni, In, Ga, Pt 및 Pd으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나 이상의 물질을 포함하는, 20 nm 이하의 직경을 가지는 나노입자를 포함하는 나노입자층을 형성하는 단계; 및상기 나노입자층 상에 제2 Ag 층을 형성하는 단계;를 포함하는 것인, 발광소자용 반사전극의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 영남대학교 산학협력단 수송기기 특화조명 핵심기술 개발 전문인력양성 자동차 조명용 LED-IT 융합 핵심기술 전문인력양성