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PMOS; 및상기 PMOS와 상보적으로 배치되는 NMOS를 포함하고,상기 PMOS는, 순방향 바디 바이어스(Forward Body Bias, FBB)를 인가하는 반도체 소자
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제 1 항에 있어서,상기 반도체 소자는,부하소자 및 구동소자를 포함하는 CMOS로 마련되는 반도체 소자
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제 2 항에 있어서,상기 PMOS는, 상기 부하소자로 배치되고, 상기 NMOS는,상기 구동소자로 배치되는 반도체 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 PMOS는,출력 노드에 연결되는 PMOS 바디(Body);를 포함하는 반도체 소자
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제 4 항에 있어서,상기 PMOS는,상기 출력 노드에 연결되는 PMOS 드레인(Drain); 전원에 연결되는 PMOS 소스(Source); 및입력 노드에 연결되는 PMOS 게이트(Gate);를 더 포함하는 반도체 소자
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제 5 항에 있어서,상기 NMOS는,접지에 연결되는 NMOS 소스;상기 출력 노드에 연결되는 NMOS 드레인; 및상기 입력 노드에 연결되는 NMOS 게이트;를 포함하는 반도체 소자
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제 6 항에 있어서,상기 NMOS는,상기 접지에 연결되는 NMOS 바디;를 더 포함하는 반도체 소자
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제 1 항에 있어서,상기 PMOS는,논리값 1이 입력될 경우, 상기 순방향 바디 바이어스를 인가하는 반도체 소자
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제 6 항에 있어서,상기 반도체 소자는, 표준셀(standard cell)과 전기적으로 연결되는 반도체 소자
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제 9 항에 있어서,상기 반도체 소자는, 상기 표준셀과 교차 배치되는 반도체 소자
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제 9 항에 있어서,상기 반도체 소자는, 탭셀(Tap cell)의 내부에 마련되어 FBB 탭셀(Forward Body Bias Tap cell)을 구성하고, 상기 FBB 탭셀을 통해 상기 전원 및 접지에 연결되는 반도체 소자
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제 10 항에 있어서,상기 FBB 탭셀은,상기 표준셀과 교차 배치되고, 상기 반도체 소자는, 상기 FBB 탭셀의 배치를 통해 상기 표준셀과 교차 배치되는 반도체 소자
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