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광추출효율 향상을 위한 p-형 오믹 접합 전극 패턴을 구비한 자외선 발광 다이오드 소자(Ultraviolet Light-Emitting Diode with p-type ohmic contact electrode pattern to enhance the light extraction)

  • 기술번호 : KST2017017052
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 자외선 발광 다이오드 소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 이 자외선 발광 다이오드 소자는 도전성 기판; 상기 도전성 기판 상에 배치된 금속 반사층; 상기 금속 반사층 상에 배치된 p 전극 패턴; 상기 p 전극 패턴 사이를 채우는 절연층; 상기 p 전극 패턴 및 상기 절연층 상에 배치되는 p형 GaN층; 상기 p형 GaN층 상에 배치되는 활성층; 상기 활성층 상에 배치된 n형 AlGaN층; 및 상기 n형 AlGaN층 상에 배치된 n 전극 패턴을 포함한다. 상기 금속 반사층은 알루미늄 또는 알루미늄 합금이고, 상기 p 전극 패턴은 ITO 또는 은을 포함한다.
Int. CL H01L 33/02 (2016.06.01) H01L 33/00 (2016.06.01) H01L 33/40 (2016.06.01) H01L 33/38 (2016.06.01) H01L 33/06 (2016.06.01)
CPC H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01)
출원번호/일자 1020160053014 (2016.04.29)
출원인 엘지이노텍 주식회사, 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0123847 (2017.11.09) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.04.29)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구
2 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성태연 대한민국 서울특별시 서초구
2 김대현 대한민국 서울특별시 동대문구
3 원준연 대한민국 서울특별시 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김기문 대한민국 서울시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동 현죽빌딩)(한미르특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구
2 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-0415334-12
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2016.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2016-0615818-33
3 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2016.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2016-0615865-79
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.02.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0120088-14
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.03.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0311733-44
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2017-0311732-09
8 등록결정서
Decision to grant		 2017.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0609844-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
도전성 기판;상기 도전성 기판 상에 배치된 금속 반사층;상기 금속 반사층 상에 배치된 p 전극 패턴;상기 p 전극 패턴 사이를 채우는 절연층;상기 p 전극 패턴 및 상기 절연층 상에 배치되는 p형 GaN층;상기 p형 GaN층 상에 배치되는 활성층;상기 활성층 상에 배치되며 표면의 적어도 일부에 요철을 포함하는 n형 AlGaN층;상기 n형 AlGaN층 상에 배치된 n 전극 패턴; 및상기 p형 GaN층, 상기 활성층, 상기 n형 AlGaN층의 측면과 상기 n형 AlGaN층의 상면 일부에 배치된 보호막을 포함하고,상기 n형 AlGaN층 상면 에지 영역의 평탄한 면에 상기 n 전극 패턴이 배치되며,상기 n전극 패턴과 상기 보호막은 상기 상기 n형 AlGaN층 상면의 에지 영역에서 접하는 접촉부를 포함하고,상기 접촉부는 상기 p 전극패턴과 수직으로 중첩되는 자외선 발광 다이오드 소자
2 2
제1항에 있어서,상기 p 전극 패턴은 다각형 단위 패턴을 구비한 메쉬 구조인 자외선 발광 다이오드 소자
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 절연층은 실리콘산화막 또는 플루오린화 마그네슘(MgF2)인 자외선 발광 다이오드 소자
4 4
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 도전성 기판과 상기 금속 반사층 사이에 배치된 웨이퍼 결합층; 및상기 p형 GaN층과 상기 활성층 사이에 배치된 전자 블록킹층; 중에서 적어도 하나를 더 포함하는 자외선 발광 다이오드 소자
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.