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EWT 태양전지 기판용 실리콘 박막 제조방법(MANUFACTURING METHOD OF SILICON THIN FILM FOR EMITTER WRAP-THROUGH SOLAR CELL SUBSTRATE)

  • 기술번호 : KST2017017112
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 EWT 태양전지 기판용 실리콘 박막, 특히 P-N 접합까지 형성된 다공성 실리콘 박막을 간단한 공정으로 획득하는 것이 목적이다.이를 위하여 본 발명에서는, 실리콘 모재에 다수의 홀을 형성하는 단계; 상기 실리콘 모재 표면에 스트레스층을 증착하는 단계; 상기 스트레스층의 응력에 의해 상기 스트레스층과 상기 실리콘 모재의 표면층이 박막으로서 박리되는 단계를 포함하는 EWT 태양전지 기판용 실리콘 박막 제조 방법을 제공한다.
Int. CL H01L 31/0224 (2017.05.02) H01L 31/18 (2017.05.02) H01L 31/0236 (2017.05.02) H01L 31/0392 (2017.05.02)
CPC
출원번호/일자 1020170054020 (2017.04.27)
출원인 한양대학교 에리카산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0124458 (2017.11.10) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020160052955   |   2016.04.29
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.04.27)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 에리카산학협력단 대한민국 경기도 안산시 상록구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유봉영 대한민국 경기 성남시 분당구
2 이정호 대한민국 서울 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한)유일하이스트 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **, *층(역삼동, 옥산빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 에리카산학협력단 경기도 안산시 상록구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2017-0411546-25
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.06.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.08.09 수리 (Accepted) 9-1-2017-0027109-98
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2017.11.15 수리 (Accepted) 1-1-2017-1134388-66
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0065641-74
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.03.26 수리 (Accepted) 1-1-2018-0296648-08
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.03.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0296636-50
8 등록결정서
Decision to grant		 2018.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0438768-12
9 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2018.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2018-1317599-19
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 모재에 다수의 홀을 형성하는 단계; 상기 홀 내벽에 도핑층을 형성하는 단계;상기 실리콘 모재 표면에 스트레스층을 증착하는 단계;상기 스트레스층의 응력에 의해 상기 스트레스층과 상기 실리콘 모재의 표면층이 박막으로서 박리되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 EWT 태양전지용 실리콘 박막 제조 방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 홀이 전해 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 EWT 태양전지용 실리콘 박막 제조 방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 홀의 깊이 방향으로 폭이 넓어지는 광폭부가 하나 이상 형성되는 것을 특징으로 하는 EWT 태양전지용 실리콘 박막 제조 방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 광폭부는 전류 밀도를 조절함으로써 형성되는 포함하는 것을 특징으로 하는 EWT 태양전지용 실리콘 박막 제조 방법
6 6
제4항에 있어서, 상기 실리콘 모재의 박리가 상기 광폭부를 중심으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 EWT 태양전지용 실리콘 박막 제조 방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 실리콘 모재는 P형이고 상기 도핑층은 N+층인 것을 특징으로 하는 EWT 태양전지용 실리콘 박막 제조 방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 스트레스층이 전해 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 EWT 태양전지용 실리콘 박막 제조 방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 스트레스층이 니켈층인 것을 특징으로 하는 EWT 태양전지용 실리콘 박막 제조 방법
10 10
제1항에 있어서, 상기 도핑은 POCl3 가스를 전구체로 하여 P가 상기 홀 내벽으로 확산되도록 함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 EWT 태양전지용 실리콘 박막 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국기계연구원 부설 재료연구소 산업기술혁신사업 / 에너지기술개발사업 / 에너지기술개발사업 전기화학공정 및 레이저를 이용한 초박형 (두께 50㎛이하) kerfless 실리콘 웨이퍼링 및 핸들링 기술 개발
2 산업통상자원부 한양대학교 에리카산학협력단 산업기술혁신사업 / 국제공동기술개발사업 / 에너지국제공동연구사업 셀모듈 일체형 단결정 실리콘 (10um급) 멤브레인 태양전지 개발
3 과학기술정보통신부(2017Y) 한양대학교 에리카산학협력단 이공분야기초연구사업 / 중견연구자지원사업 / 중견연구(총연구비5억 초과) 태양광-폐열 에너지 융합 고전력 ( ＞50 mW) Pt-free 광전기화학-열전 융합소자 개발
4 산업통상자원부 한양대학교 에리카산학협력단 산업기술혁신사업 / 에너지인력양성사업 / 에너지인력양성사업(RCMS) 3-D 프린팅용 자성코어 소재부품 고급 트랙