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(a) 기재 상에 실리콘 전구체를 공급하여 상기 실리콘 전구체를 상기 기재 상에 흡착시키는 단계; (b) 상기 기재 상에 질소-함유 반응 물질을 공급하여 상기 기재 상에 수소 함유-실리콘 질화막을 형성하는 단계; 및,(c) 상기 수소 함유-실리콘 질화막 상에 질소 플라즈마 처리를 수행하여 상기 수소 함유-실리콘 질화막 표면의 수소 함량을 감소시킴으로써 실리콘 질화막을 형성하는 단계를 포함하는, 실리콘 질화막의 증착 방법으로서,상기 실리콘 전구체는 클로라이드계 실리콘 전구체, 아미드(amide)계 실리콘 전구체 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로 선택되는 것을 포함하며, 상기 클로라이드계 실리콘 전구체는 수소를 포함하지 않거나, 수소를 포함하는 경우 클로라이드의 개수가 수소의 개수와 동일하거나 더 많은 것이고,상기 질소-함유 반응 물질은 NH3, RxNH3-x, N2H4, RxN2H4-x, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것이며, 이때 상기 R은 C1-20의 알킬기를 포함하는 것이고, x는 0 내지 4의 정수인 것이고,상기 수소 함유-실리콘 질화막의 표면은 NH/SiH 또는 NH/SiNH2으로 이루어지는 것이고,상기 수소 함유-실리콘 질화막의 표면의 NH/SiH 또는 NH/SiNH2은 상기 질소 플라즈마 처리에 의해 003e#Si=N으로 전환되어 실리콘 질화막이 형성되는 것이고,단, 상기 (a) 단계와 상기 (b) 단계 사이에 플라즈마 처리된 수소 가스를 공급하지 않는 것인,실리콘 질화막의 증착 방법
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제 1 항에 있어서,상기 실리콘 전구체는 SiH2Cl2, SiHCl3, SiCl4, Si2Cl6, Si3Cl8, Si4Cl10, RxSiCl4-x(0003c#x003c#4인 정수), RxSi2Cl6-x(0003c#x003c#6인 정수), RxSi3Cl8-x(0003c#x003c#8인 정수), RxSi4Cl10-x(0003c#x003c#10인 정수), H2Si[N(C2H5)2]2(BTBAS), SiH2[N(C2H5)2]2(BDEAS), SiH[N(CH3)2]3(TDMAS), SiH3[N(C3H7)2](DIPAS), SiH3[N(CH3)2](DMAS), SiH3[N(CH3C2H5)](EMAS), SiH3[N(C2H5)2](DEAS), (R1R2N)nSiH4-n(0003c#n003c#4인 정수), (R1R2R3Si)nNH3-n(0003c#n003c#3인 정수), (R1R2R3Si)nNxHy(n003e#0, x003e#0, 및 y003e#0인 정수), ((CH3)3Si)2N(SiH(CH3)N(CH3)2) [(dimethylaminomethylsilyl)bis(trimethylsilyl)amine]， (CH3)3SiN(SiH(CH3)N(CH3)2)2 [bis(dimethylaminomethylsilyl)(trimethylsilyl)amine]， C4H17NSi3[Bis(dimethylsilyl)silylamine]， (((CH3)2N)SiH(CH3))3N) [tris(dimethylamino)(methylsilyl)amine]， C7H25N3Si3 [Bis(dimethylaminomethylsilyl)(methylsilyl)amine]， 링구조를 가지는 C8H22N2Si2（1,3-di-isopropylamino-2,4-dimethylcyclosilazane）， C6H18N2Si2(1,2,2,3,4,4-hexamethyl-1,3,2,4-diazadisiletidine)， 알콕사이드, Si(C2H5O)4, Si(NCO)4, SiH4, 및 Si(II) 전구체로서 1,4-다이-아이소프로필-1,3-다이아자부타디엔 실리콘(1,4-di-isopropyl-1,3-diazabutadiene silicon), 1,4-다이-메틸-1,3-다이아자부타디엔 실리콘(1,4-di-methyl-1,3-diazabutadiene silicon), 1,4-다이-에틸-1,3-다이아자부타디엔 실리콘(1,4-di-ethyl-1,3-diazabutadiene silicon), 1,4-다이-아이소프로필-1,3-다이다이아자부타디엔 실리콘(1,4-di-isopropyl-1,3-didiazabutadiene silicon), 1,4-다이-부틸-1,3-다이아자부타디엔 실리콘(1,4-di-butyl-1,3-diazabutadiene silicon), 1,4-다이-아자-부탄-1,4-다이-터트-부틸-2,2-다이-메틸 실리콘(1,4-di-aza-butane-1,4-di-tert-butyl-2,2-di-methyl silicon), 4-터트-부틸-1,4-다이-아자-부탄-3,3-다이-메틸-1-에틸 실리콘(4-tert-butyl-1,4-di-aza-butane-3,3-di-methyl-1-ethyl silicon)， (R1NCH=CHNR2)Si(II)， (R1NR２NR３)Si(II)， 및 이들의 조합들로 이루어진 군로 이루어진 군으로부터 선택되는 실리콘 전구체이며, 여기서 상기 R은 각각 독립적으로 수소, C1-20의 선형 또는 분지형의 알킬기, C3-20의 불포화 또는 방향족 고리기인 것인, 실리콘 질화막의 증착 방법
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