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베이스 기판;상기 베이스 기판 위에 형성되는 은나노와이어들을 포함하고, 상기 은나노와이어들이 서로 접촉되어 네트워크 구조를 형성하는 은나노와이어층; 및상기 은나노와이어들의 표면에 금속 산화물이 자기조립적층(self-assembly layer-by-layer deposition) 방법으로 코팅된 금속 산화물 코팅층;을 포함하고,상기 은나노와이어는 직경 5~100nm와, 길이 1~500㎛의 큰 종횡비를 갖고,상기 금속 산화물 코팅층은 상기 은나노와이어층이 형성된 상기 베이스 기판의 면과 상기 은나노와이어층의 표면에 코팅되되, 상기 은나노와이어의 직경보다는 작은 수nm의 두께로 형성되고,상기 금속 산화물 코팅층의 금속 산화물은 티타늄 산화물 또는 지르코늄 산화물인 것을 특징으로 하는 은나노와이어 전도막
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제1항에 있어서,상기 금속 산화물 코팅층은 복수의 층으로 상기 은나노와이어들의 표면에 코팅되는 것을 특징으로 하는 은나노와이어 전도막
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베이스 기판 위에 은나노와이어 분산액을 코팅하여 상기 은나노와이어 분산액에 포함된 은나노와이어들이 서로 접촉되어 네트워크 구조를 형성하는 은나노와이어층을 형성하는 단계; 및상기 은나노와이어들의 표면에 자기조립적층(self-assembly layer-by-layer deposition) 방법으로 금속 산화물을 코팅하여 금속 산화물 코팅층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 은나노와이어는 직경 5~100nm와, 길이 1~500㎛의 큰 종횡비를 갖고,상기 금속 산화물 코팅층은 상기 은나노와이어층이 형성된 상기 베이스 기판의 면과 상기 은나노와이어층의 표면에 코팅되되, 상기 은나노와이어의 직경보다는 작은 수nm의 두께로 형성되고,상기 금속 산화물 코팅층의 금속 산화물은 티타늄 산화물 또는 지르코늄 산화물인 것을 특징으로 하는 은나노와이어 전도막의 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 금속 산화물 코팅층을 형성하는 단계는,상기 은나노와이어층이 형성된 베이스 기판을 양이온성 고분자 전해질 용액에 침지한 후 증류수로 세척하여 양이온을 상기 은나노와이어층에 도입하는 단계; 및양이온이 도입된 상기 은나노와이어층이 형성된 베이스 기판을 티타늄 착화합물 또는 지르코늄 착화합물에 침지한 후 증류수로 세척하여 상기 양이온이 도입된 상기 은나노와이어층에 음이온성을 갖는 티타늄 산화물 전구체 또는 지르코늄 산화물 전구체를 이온간의 정전기적 인력을 이용한 자기조립적층으로 코팅하는 단계;를 포함하고,상기 양이온을 상기 은나노와이어층에 도입하는 단계와, 티타늄 산화물 전구체 또는 지르코늄 산화물 전구체를 코팅하는 단계를 복수 회 반복하는 것을 특징으로 하는 은나노와이어 전도막의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 양이온성 고분자 전해질 용액의 양이온성 고분자 전해질은 흡착성을 부여하기 위한 물질로서 poly(diallydimethylammonium chloride), poly(allyamine hydrochloride), poly(3,4-ethylenedioxythiophene)(PEDOT), poly(2-vinylpyridine) poly(ethylenenimine), poly(acrylamide-co-diallylmethylammonium chloride), cationic polythiophene, polyaniline 및 poly(vinylalcohol) 중에 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 은나노와이어 전도막의 제조 방법
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제9항에 있어서, 상기 금속 산화물 코팅층을 형성하는 단계는,상기 은나노와이어층에 복수 층으로 형성되는 티타늄 산화물 전구체 또는 지르코늄 산화물 전구체를 반응시켜 상기 금속 산화물 코팅층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 은나노와이어 전도막의 제조 방법
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베이스 기판;상기 베이스 기판 위에 형성되는 은나노와이어들을 포함하고 상기 은나노와이어들이 서로 접촉되어 네트워크 구조를 형성하는 은나노와이어층, 및 상기 은나노와이어들의 표면에 금속 산화물이 자기조립적층(self-assembly layer-by-layer deposition) 방법으로 코팅된 금속 산화물 코팅층을 구비하는 은나노와이어 발열층; 및상기 은나노와이어 발열층의 양쪽에 형성되며, 상기 은나노와이어 발열층에 전원을 인가하는 한 쌍의 전극;을 포함하고,상기 은나노와이어는 직경 5~100nm와, 길이 1~500㎛의 큰 종횡비를 갖고,상기 금속 산화물 코팅층은 상기 은나노와이어층이 형성된 상기 베이스 기판의 면과 상기 은나노와이어층의 표면에 코팅되되, 상기 은나노와이어의 직경보다는 작은 수nm의 두께로 형성되고,상기 금속 산화물 코팅층의 금속 산화물은 티타늄 산화물 또는 지르코늄 산화물인 것을 특징으로 하는 발열체
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제12항에 있어서,상기 은나노와이어 발열층의 은나노와이어들은 한 쪽으로 방향성을 가지고 형성되며,상기 한 쌍의 전극은 상기 은나노와이어들이 형성된 방향에 수직한 방향으로 형성된 것을 특징으로 하는 발열체
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제12항에 있어서,상기 은나노와이어 발열층을 덮거나, 상기 은나노와이어 발열층과 상기 한 쌍의 전극을 덮는 고분자 또는 무기물 소재의 절연 코팅층;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발열체
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베이스 기판 위에 은나노와이어 분산액을 코팅하여 상기 은나노와이어 분산액에 포함된 은나노와이어들이 서로 접촉되어 네트워크 구조를 형성하는 은나노와이어층을 형성하는 단계;상기 은나노와이어층의 은나노와이어들의 표면에 자기조립적층(self-assembly layer-by-layer deposition) 방법으로 금속 산화물을 코팅하여 금속 산화물 코팅층이 형성된 은나노와이어 발열층을 형성하는 단계; 및상기 은나노와이어 발열층의 양쪽에 상기 은나노와이어 발열층에 전원을 인가하는 한 쌍의 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 은나노와이어는 직경 5~100nm와, 길이 1~500㎛의 큰 종횡비를 갖고,상기 금속 산화물 코팅층은 상기 은나노와이어층이 형성된 상기 베이스 기판의 면과 상기 은나노와이어층의 표면에 코팅되되, 상기 은나노와이어의 직경보다는 작은 수nm의 두께로 형성되고,상기 금속 산화물 코팅층의 금속 산화물은 티타늄 산화물 또는 지르코늄 산화물인 것을 특징으로 하는 발열체의 제조 방법
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제16항에 있어서, 상기 은나노와이어층을 형성하는 단계에서,은나노와이어 0
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