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대상체; 및상기 대상체의 표면에 부착되어 적외선을 흡수하고 발생한 열 에너지를 상기 대상체로 전달하는 박막형 적외선 흡수체를 포함하되,상기 박막형 적외선 흡수체는,기판;상기 기판상에 증착되는 Ti 금속 층; 및상기 Ti 금속 층상에 증착되는 MgF2 유전체 층을 포함하고,상기 Ti 금속 층 및 상기 MgF2 유전체 층은 교대로 복수 회 반복하여 증착되어 복층 구조를 가지는 것을 특징으로 하는, 적외선 흡수 부재
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제1항에 있어서,상기 Ti 금속 층 및 MgF2 유전체 층의 복층 구조는 10층인 것을 특징으로 하는, 적외선 흡수 부재
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제1항에 있어서,상기 Ti 금속 층의 두께는 10 nm인 것을 특징으로 하는, 적외선 흡수 부재
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제1항에 있어서,상기 MgF2 유전체 층의 두께는 320 nm인 것을 특징으로 하는, 적외선 흡수 부재
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제1항에 있어서,상기 대상체는 섬유 또는 열전소자인 것을 특징으로 하는, 적외선 흡수 부재
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기판 표면에 Ti를 증착하여 금속 층을 형성하는 단계;상기 금속 층 표면에 MgF2를 증착하여 유전체 층을 형성하는 단계;상기 Ti와 상기 MgF2의 증착을 복수 회 반복 수행하여, 상기 금속 층과 상기 유전체 층을 복층으로 형성함으로써 복수의 상기 금속 층 및 복수의 상기 유전체 층을 포함하는 박막형 적외선 흡수체를 형성하는 단계; 및상기 박막형 적외선 흡수체를 대상체에 부착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 적외선 흡수 부재의 제조 방법
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9
제8항에 있어서,상기 Ti는 전자선 증착(Electron Beam Evaporation) 공법으로 증착되는 것을 특징으로 하는, 적외선 흡수 부재의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 MgF2는 전자선 증착(Electron Beam Evaporation) 공법으로 증착되는 것을 특징으로 하는, 적외선 흡수 부재의 제조 방법
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11
제8항에 있어서, 상기 Ti와 상기 MgF2가 교대로 증착되어, 상기 금속 층과 상기 유전체 층이 10층을 이루는 것을 특징으로 하는, 적외선 흡수 부재의 제조 방법
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12
제8항에 있어서,상기 Ti는 10 nm의 두께로 증착되는 것을 특징으로 하는, 적외선 흡수 부재의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 MgF2는 320 nm의 두께로 증착되는 것을 특징으로 하는, 적외선 흡수 부재의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 대상체는 섬유 또는 열전소자인 것을 특징으로 하는, 적외선 흡수 부재의 제조 방법
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