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전자빔과 축전결합 플라즈마를 이용한 플라즈마 처리 장치(Plasma Processing Apparatus with Electron Beams and Capacitively Coupled Plasma)

  • 기술번호 : KST2017017376
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 이 플라즈마 처리 장치는 제1 압력을 가지는 전자 방출 영역과 상기 제1 압력보다 높은 압력으로 유지되고 플라즈마가 생성되고 기판이 배치되는 처리 영역을 구비한 진공 용기; 상기 전자 방출 영역에 배치되고 열전자를 방출하는 열전자 방출 수단; 접지되고 상기 열전자 방출 수단에서 방출된 전자를 상기 처리 영역으로 추출하는 그리드 전극; 상기 진공 용기의 하부에 배치되고 상기 처리 영역에 배치되고 상기 기판을 장착하는 기판 홀더; 상기 기판 홀더에 RF 전력을 인가하여 플라즈마를 발생시키는 RF 전원; 상기 전자 방출 영역과 연결되는 제1 진공 펌프; 및 상기 처리 영역에 연결되는 제2 진공 펌프를 포함한다.
Int. CL H01J 37/32 (2016.06.11) H05H 1/46 (2016.06.11)
CPC H01J 37/32091(2013.01) H01J 37/32091(2013.01) H01J 37/32091(2013.01) H01J 37/32091(2013.01) H01J 37/32091(2013.01) H01J 37/32091(2013.01) H01J 37/32091(2013.01)
출원번호/일자 1020160056764 (2016.05.10)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0126578 (2017.11.20) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.05.10)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장홍영 대한민국 대전광역시 유성구
2 배인식 대한민국 대전광역시 유성구
3 박기정 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 누리 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 **-*(역삼동, IT빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.05.10 수리 (Accepted) 1-1-2016-0442362-13
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2017.02.23 수리 (Accepted) 1-1-2017-0186013-90
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.05.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0072352-82
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.05.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0339508-79
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.06.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0593138-23
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2017-0593139-79
8 등록결정서
Decision to grant
2017.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0827627-62
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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제1 압력을 가지는 전자 방출 영역과 상기 제1 압력보다 높은 압력으로 유지되고 플라즈마가 생성되고 기판이 배치되는 처리 영역을 구비한 진공 용기;상기 전자 방출 영역에 배치되고 열전자를 방출하는 열전자 방출 수단;접지되고 상기 열전자 방출 수단에서 방출된 전자를 상기 처리 영역으로 추출하는 그리드 전극; 상기 진공 용기의 하부에 배치되고 상기 처리 영역에 배치되고 상기 기판을 장착하는 기판 홀더; 상기 기판 홀더에 RF 전력을 인가하여 플라즈마를 발생시키는 RF 전원;상기 전자 방출 영역과 연결되는 제1 진공 펌프; 및상기 처리 영역에 연결되는 제2 진공 펌프를 포함하고,상기 전자 방출 수단은:구불구불한 구조를 가지는 그래파이트 가열부;상기 그래파이트 가열부의 하부에 배치되고 상기 그래파이트 가열부와 열접촉하여 열전자를 방출하는 전자 방출부; 상기 전자 방출부의 하부면을 노출시키도록 개방된 개구부를 포함하고 상기 전자 방출부 및 그래파이트 가열부를 감싸도록 배치된 그래파이트 커버부; 및상기 그래파이트 커버부의 상부면과 상기 그래파이트 가열부 사이에 배치되어 스페이서를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치
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삭제
3 3
제1 항에 있어서,상기 전자 방출부는 LaB6 혹은 CeB6 인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치
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제1 항에 있어서,상기 그래파이트 가열부의 양단에 연결되어 직류 전류를 제공하는 직류 가열 전원; 및상기 그래파이트 커버부에 연결되어 방출된 전자의 포텐셜 에너지를 조절하는 에너지 조절 전원을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치
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제3 항에 있어서,상기 처리 영역에 공정 가스를 제공하는 공정 가스 제공부; 및상기 전자 방출부의 노출된 부위가 상기 공정 가스에 의하여 반응하여 변성된 경우 영역에 상기 전자 방출부의 노출된 부위를 재생하는 재생 가스를 제공하는 재생 가스 제공부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20170330773 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2017330773 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국과학기술원 미래반도체 산업핵심기술개발사업 저온 공정용 고밀도 다중 플라즈마 원 및 공정 기술 개발
2 미래창조과학부 충남대학교 신기술융합형 성장동력사업 생산 장비용 저압플라즈마원 시제품 개발