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발광다이오드용 반사전극 및 이의 제조방법(Reflecting electrode for light emitting diode and preparation method thereof)

  • 기술번호 : KST2017017389
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 목적은 반사도가 우수하면서도 반도체 층과의 오믹컨택을 유지할 수 있는 발광다이오드용 반사전극 및 이의 제조방법을 제공하는데 있다. 상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 반도체 층 상에 형성되는 전도체 홀 어레이 층; 상기 전도체 홀 어레이 층 상에 형성되는 도전성층; 및 상기 도전성층 상부에 형성되는 알루미늄 금속 층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드용 반사전극 및 반도체 층을 형성하는 단계; 상기 반도체 층 상부로 전도체 홀 어레이 층을 형성하는 단계; 상기 전도체 홀 어레이층 상부로 도전성층을 형성하는 단계; 상기 도전성층 상부로 알루미늄 금속 층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드용 반사전극의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 반사전극으로 본 발명에서 제시한 구조를 사용함으로써 가시광 영역 뿐만 아니라 자외선 영역에서도 반사도가 우수하여 광추출 효율이 향상되며, 나아가 반도체 층과의 오믹컨택을 유지할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 33/36 (2016.06.22) H01L 33/40 (2016.06.22) H01L 33/38 (2016.06.22) H01L 33/44 (2016.06.22)
CPC H01L 33/36(2013.01) H01L 33/36(2013.01) H01L 33/36(2013.01) H01L 33/36(2013.01) H01L 33/36(2013.01) H01L 33/36(2013.01)
출원번호/일자 1020160056907 (2016.05.10)
출원인 재단법인대구경북과학기술원, 광주과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0127088 (2017.11.21) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.05.10)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현
2 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조창희 대한민국 대구광역시 달성군 현풍면 상리 대구
2 송보경 대한민국 대구광역시 달성군 현풍면 테크노
3 박성주 대한민국 광주광역시 북구
4 오세미 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대구 달성군 현
2 광주과학기술원 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.05.10 수리 (Accepted) 1-1-2016-0443808-42
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.09.20 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.11.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0020855-83
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.02.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0099785-35
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.03.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0303098-16
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2017-0303089-16
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0602074-58
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.09.29 수리 (Accepted) 1-1-2017-0963085-25
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2017.09.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0963101-79
10 등록결정서
Decision to Grant Registration
2017.10.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0747436-94
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5260250-39
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.18 수리 (Accepted) 4-1-2020-5134633-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 층 상에 형성되고, 광 추출 효율 향상을 위한 관통된 홀이 주기적으로 형성되며, 반도체 층과 오믹 컨택을 유지하는 은 전도체 홀 어레이 층;상기 전도체 홀 어레이 층 상에 형성되는 도전성층; 및상기 도전성층 상부에 형성되는 알루미늄 금속 층;을 포함하되,상기 홀 어레이 층은 50 내지 150 nm 크기의 정사각형 홀을 포함하고, 상기 홀은 도전성층 방향으로 볼록한 형태인 것을 특징으로 하는 발광다이오드용 반사전극
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 전도체 홀 어레이 층의 홀과 홀 사이의 간격은 80 내지 2000 nm인 것을 특징으로 하는 발광다이오드용 반사전극
4 4
제1항에 있어서, 상기 전도체 홀 어레이 층의 두께는 10 내지 1000 nm인 것을 특징으로 하는 발광다이오드용 반사전극
5 5
제1항에 있어서, 상기 전도체 홀 어레이 층의 홀은 삼각 격자 또는 사각 격자로 형성되는 것을 특징으로하는 발광다이오드용 반사전극
6 6
삭제
7 7
제1항에 있어서,상기 반도체 층은 갈륨나이트라이드(GaN) 층인 것을 특징으로 하는 발광다이오드용 반사전극
8 8
제1항에 있어서,상기 도전성층은 그래핀 층인 것을 특징으로 하는 발광다이오드용 반사전극
9 9
제1항에 따라 형성된 반사전극을 포함하는 발광다이오드
10 10
반도체 층을 형성하는 단계;상기 반도체 층 상부로 광 추출 효율 향상을 위한 관통된 홀이 주기적으로 형성되고, 반도체 층과 오믹 컨택을 유지하는 은 전도체 홀 어레이 층을 형성하는 단계;상기 전도체 홀 어레이 층 상부로 도전성층을 형성하는 단계;상기 도전성층 상부로 알루미늄 금속 층을 형성하는 단계;를 포함하되,상기 홀 어레이 층은 50 내지 150 nm 크기의 정사각형 홀로 형성되고, 상기 홀은 도전성층 방향으로 볼록하게 형성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드용 반사전극의 제조방법
11 11
제10항에 있어서, 상기 도전성층은 그래핀 층인 것을 특징으로 하는 발광다이오드용 반사전극의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 광주과학기술원 달빛상생상용화연구개발 나노 기공 구조가 적용된 고효율 전방향 반사전극 개발