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스퍼터링 챔버 내부에 투입되어 증착되는 불소계고분자 복합 타겟으로서, 상기 불소계고분자 복합 타겟은 불소계고분자와 도전성 기능화제 입자를 포함하는 혼합물을 열성형하여 제조되어 상기 불소계고분자 복합 타겟에 도전성 기능화제가 분산되어 있으며, MF 또는 DC 스퍼터링 챔버 내부의 전극면에 접착되어 MF 또는 DC 스퍼터링에 의해 플라즈마화된 불소계고분자의 증착막을 제공하는, MF 또는 DC 스퍼터링용 불소계고분자 복합 타겟
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제1항에 있어서,상기 기능화제는 전도성입자, 전도성 고분자 및 금속성분에서 선택되는 하나 이상인 MF 또는 DC 스퍼터링용 불소계고분자 복합 타겟
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제2항에 있어서,상기 전도성입자는 카본나노튜브, 카본나노섬유, 카본블랙, 그래핀, 그라파이트 및 탄소섬유에서 선택되는 하나 이상인 MF 또는 DC 스퍼터링용 불소계고분자 복합 타겟
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제2항에 있어서,상기 전도성 고분자는 폴리아닐린, 폴리아세틸렌, 폴리티오펜, 폴리피롤, 폴리플루렌, 폴리피렌, 폴리아줄렌, 폴리나프탈렌, 폴리페닐렌, 폴리페닐렌비닐렌, 폴리카르바졸, 폴리인돌, 폴리아제핀, 폴리에틸렌, 폴리에틸렌비닐렌, 폴리페닐렌설파이드, 폴리퓨란, 폴리셀레노펜 및 폴리텔루로펜에서 선택되는 하나 이상인 MF 또는 DC 스퍼터링용 불소계고분자 복합 타겟
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제2항에 있어서,상기 금속성분은 Cu, Al, Ag, Au, W, Mg, Ni, Mo, V, Nb, Ti, Pt, Cr 및 Ta 에서 선택되는 하나 이상인 MF 또는 DC 스퍼터링용 불소계고분자 복합 타겟
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제1항에 있어서,상기 불소계고분자 복합 타겟은 금속유기물, 금속산화물, 금속탄소체, 금속수산화물, 금속카보네이트, 금속바이카보네이트, 금속질화물 및 금속불화물에서 선택되는 하나 이상의 금속화합물을 더 포함하는 것인 MF 또는 DC 스퍼터링용 불소계고분자 복합 타겟
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제6항에 있어서,상기 금속화합물은 SiO2, Al2O3, ITO, IGZO, ZnO, In2O3, SnO2, TiO2, AZO, ATO, SrTiO3, CeO2, MgO, NiO, CaO, ZrO2, Y2O3, MgF2, CuF2, Si3N4, CuN 및 AlN에서 선택되는 하나 이상인 MF 또는 DC 스퍼터링용 불소계고분자 복합 타겟
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제1항에 있어서,상기 불소계고분자는 폴리테트라 플루오로에틸렌, 폴리클로로트리플루오로에틸렌, 폴리비닐리덴디플루오라이드, 플로린화 에틸렌 프로필렌 공중합체, 에틸렌-테트라플루오로에틸렌 공중합체, 에틸렌-클로로트리플루오로 에틸렌 공중합체, 퍼플루오로알콕시 공중합체, 비닐플루오라이드 단일중합체 고무, 비닐플루오라이드 공중합체 고무, 비닐리덴플루오라이드 단일중합체 고무 및 비닐리덴플루오라이드 공중합체 고무에서 선택되는 하나 이상 인 MF 또는 DC 스퍼터링용 불소계고분자 복합 타겟
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제1항에 있어서,상기 불소계고분자 복합 타겟은 두께 방향으로 상기 기능화제의 함량 구배를 갖는 MF 또는 DC 스퍼터링용 불소계고분자 복합 타겟
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제10항에 있어서,상기 구배는 전극면을 향하여 기능화제의 함량이 높고, 피착체의 방향으로는 기능화제의 함량이 감소되도록 전극면상에 접착되는 것이거나 또는 그 반대로 접착된 것인 MF 또는 DC 스퍼터링용 불소계고분자 복합 타겟
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제10항에 있어서,상기 불소계고분자 복합 타겟의 구배는 2 단 이상의 복합 타겟이 적층된 형태로 열성형되어 제조되거나 연속적인 함량의 구배를 가지는 것인 MF 또는 DC 스퍼터링용 불소계고분자 복합 타겟
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MF 또는 DC 스퍼터링을 위한 스퍼터링 챔버, 상기 챔버 내부에 형성되는 제 1전극 인가부, 상기 제 1전극 인가부 상부면에 위치하는 제1항 내지 제8항 및 제10항 내지 제12항에서 선택되는 어느 한 항의 MF 또는 DC 스퍼터링용 불소계고분자 복합 타겟, 제 2전극 인가부, 상기 불소계고분자 복합 타겟과 제 2전극 인가부 사이에 위치하는 피착체를 포함하는 스퍼터링 증착시스템
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제1항 내지 제8항 및 제10항 내지 제12항에서 선택되는 어느 한 항의 불소계고분자 복합 타겟을 챔버 내에 전극면과 접촉하는 단계와 전극면과 접촉된 상기 불소계고분자 복합 타겟에 MF 또는 DC를 인가하여 증착하는 단계를 포함하는 MF 또는 DC인가에 의한 불소계고분자의 증착막 형성방법
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