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탄소나노튜브 합성 방법에 있어서,기판에 이온형태의 금속 촉매를 주입하는 단계;상기 금속 촉매 중 적어도 일부를 상기 기판 표면에 노출시키는 단계; 및상기 기판 표면에 노출된 상기 금속 촉매 상에서 탄소나노튜브를 합성하는 단계;를 포함하며,상기 기판에 노출된 금속촉매는 입자형태인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 합성 방법
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제1항에 있어서,상기 노출시키는 단계는,열처리(annealing) 및 전자 빔 열처리 (e-beam annealing) 중 어느 하나를 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 합성 방법
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제2항에 있어서,상기 열처리는 아르곤 가스, 암모니아 가스, 헬륨 가스, 질소 가스 중 어느 하나의 비활성 가스 분위기에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 합성 방법
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제1항에 있어서,상기 노출시키는 단계는,식각법(etching)으로 수행되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 합성 방법
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제1항에 있어서,상기 기판은 Al2O3, TiO2, SiO2, CoSi2, TiSi2, ZrSi2, TiN, TaN 중 적어도 어느 하나 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 합성 방법
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제1항에 있어서,상기 금속 촉매는 철, 니켈 및 코발트 중 적어도 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 합성 방법
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제1항에 있어서,상기 주입은 이온 주입으로 수행되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 합성 방법
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제6항에 있어서,상기 이온 주입은 10 ~ 150 KeV 범위의 가속 전압으로 수행되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 합성 방법
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제6항에 있어서,상기 이온 주입은 1010 ~ 1020 /cm2 범위의 조사량으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 합성 방법
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제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 입자 형태의 금속 촉매의 크기는 나노 사이즈인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 합성 방법
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제1항에 있어서,상기 탄소나노튜브 합성 단계는,아세틸렌, 메탄, 에탄, 부탄, 프로판, 벤젠, 아세톤 및 에탄올 중 적어도 어느 하나 이상을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 합성 방법
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탄소나노튜브 합성 방법에 있어서,기판에 금속 촉매를 이온 주입하는 단계;상기 이온 주입된 금속 촉매를 나노 입자로 형성하여 상기 금속 촉매 입자 중 적어도 일부를 상기 기판 표면에 노출시키는 단계; 및상기 기판 표면에 노출된 상기 금속 촉매 입자상에서 탄소나노튜브를 합성하는 단계;를 포함하는 탄소나노튜브 합성 방법
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제12항에 있어서,상기 이온 주입된 금속 촉매를 나노 입자로 형성하여 상기 금속 촉매 입자 중 적어도 일부를 상기 기판 표면에 노출시키는 단계는,열처리(annealing), 전자 빔 열처리 (e-beam annealing) 중 어느 하나를 이용하여 수행되며,상기 열처리는 아르곤 가스, 암모니아 가스, 헬륨 가스, 질소 가스 중 어느 하나의 비활성 가스 분위기에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 합성 방법
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제12항에 있어서,상기 이온 주입된 금속 촉매를 나노 입자로 형성하여 상기 금속 촉매 입자 중 적어도 일부를 상기 기판 표면에 노출시키는 단계는,식각법(etching)을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 합성 방법
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제12항에 있어서,상기 형성된 금속 촉매의 나노 입자는,상기 이온 주입 단계에서 조사량 및 가속 전압 중 적어도 하나 이상을 조절하여 수행되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 합성 방법
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제15항에 있어서,상기 조사량은 1010 ~ 1020 /cm2 범위에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 합성 방법
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제15항에 있어서,상기 가속 전압은 20 ~ 60 KeV 범위에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 합성 방법
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제12항에 있어서,상기 탄소나노튜브를 합성하는 단계;는,아세틸렌, 메탄, 에탄, 부탄, 프로판, 벤젠, 아세톤 및 에탄올 중 적어도 어느 하나 이상을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 합성 방법
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제12항에 있어서,상기 탄소나노튜브 합성 단계;는600℃ 내지 1000℃ 사이의 온도 범위에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 합성 방법
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