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하부 패키지 기판을 제공하는 것;상기 하부 패키지 기판 상에 제1 메탈 로드를 형성하는 것; 및상기 제1 메탈 로드 상에 상부 패키지 기판을 형성하는 것을 포함하되,상기 제1 메탈 로드 및 상기 상부 패키지 기판을 형성하는 것은 3D 프린팅 공정을 포함하고,상기 상부 패키지 기판은 상기 제1 메탈 로드의 직경보다 작은 직경을 갖는 제1 도전성 라인 및 상기 제1 도전성 라인을 둘러싸는 절연층을 포함하며,상기 제1 도전성 라인은 상기 절연층을 관통하여 상기 제1 메탈 로드에 전기적으로 연결되는 반도체 패키지 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제1 도전성 라인은 제1 노즐을 통해 상기 제1 메탈 로드 상에 도전 물질을 토출하여 형성되고, 상기 절연층은 제2 노즐을 통해 상기 제1 메탈 로드 상에 제1 절연 물질을 토출하여 형성되는 반도체 패키지 제조 방법
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제 2 항에 있어서,상기 제1 및 제2 노즐들은 상기 하부 패키지 기판의 상면에 평행한 방향으로 이동하며, 상기 도전 물질 및 상기 제1 절연 물질을 토출하는 반도체 패키지 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제1 메탈 로드를 형성하는 것은 상기 하부 패키지 기판 상에 제1 노즐을 제공하여, 상기 제1 노즐을 통해 상기 도전 물질을 토출하는 것을 포함하는 반도체 패키지 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 하부 패키지 기판 및 상기 상부 패키지 기판 사이에서, 상기 제1 메탈 로드를 둘러싸는 캡핑막을 형성하는 것을 더 포함하되,상기 캡핑막을 형성하는 것은 상기 하부 패키지 기판 상에 제2 노즐을 제공하여, 상기 제2 노즐을 통해 제2 절연 물질을 토출하는 것을 포함하는 반도체 패키지 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 상부 패키지 기판 상에 상기 제1 도전성 라인에 전기적으로 연결되는 제2 메탈 로드를 형성하는 것을 더 포함하되,상기 제2 메탈 로드를 형성하는 것은 상기 상부 패키지 기판 상에 제1 노즐을 제공하여, 상기 제1 노즐을 통해 도전 물질을 토출하는 것을 포함하는 반도체 패키지 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 하부 패키지 기판을 제공하는 것은:제1 노즐을 통해 도전 물질을 토출하여 제2 도전성 라인을 형성하는 것; 및제2 노즐을 통해, 상기 제2 도전성 라인을 둘러싸는 제1 절연 물질을 토출하는 것을 포함하는 반도체 패키지 제조 방법
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하부 패키지 기판을 제공하는 것;제1 노즐을 통해 상기 하부 패키지 기판 상에 도전 물질을 토출하여 제1 메탈 로드들을 형성하는 것;제2 노즐을 이용하여 상기 제1 메탈 로드들 사이에 제2 절연 물질을 토출하여 캡핑막을 형성하는 것;상기 제1 노즐을 이용하여 상기 제1 메탈 로드들의 각각의 상에 상기 도전 물질을 토출하여 제1 도전성 라인들의 각각을 형성하는 것; 및상기 제2 노즐을 이용하여 상기 캡핑막 상에 제1 절연 물질을 토출하여 제1 절연층을 형성하는 것을 포함하되,상기 제1 메탈 로드들은 상기 제1 도전성 라인들과 각각 전기적으로 연결되는 반도체 패키지 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 제1 및 제2 노즐들은 상기 하부 패키지 기판의 상면에 평행한 방향으로 이동하며, 상기 도전 물질, 상기 제1 절연 물질, 및 상기 제2 절연 물질을 토출하는 반도체 패키지 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 도전 물질, 상기 제1 절연 물질, 상기 제2 절연 물질들은 상기 제1 및 제2 노즐들 각각의 내부에서 용융되어, 상기 제1 및 제2 노즐들 각각의 외부로 토출되는 반도체 패키지 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 제1 절연층은 휘어진 형상을 갖는 반도체 패키지 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 제1 도전성 라인들은 상기 하부 패키지 기판의 상면에 수직한 방향을 따라 상기 제1 절연층을 관통하는 반도체 패키지 제조 방법
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13
제 8 항에 있어서,상기 제1 도전성 라인들 상에, 상기 제1 도전성 라인들과 각각 전기적으로 연결되는 제2 메탈 로드들을 형성하는 것을 더 포함하는 반도체 패키지 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 하부 패키지 기판은 그 상부에 제공되는 패드들을 포함하되,상기 패드들은 상기 제1 메탈 로드들과 각각 전기적으로 연결되는 반도체 패키지 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 제1 절연층은 그 바닥면이 상기 하부 패키지 기판의 상면에 대하여 경사지도록 연장되는 반도체 패키지 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 하부 패키지 기판을 제공하는 것은:상기 제1 노즐을 통해 상기 도전 물질을 토출하여 제2 도전성 라인들을 형성하는 것; 및상기 제2 노즐을 통해 상기 제1 절연 물질을 토출하여 상기 제2 도전성 라인들을 둘러싸는 제2 절연층을 형성하는 것을 포함하되,상기 제2 도전성 라인들은 상기 제1 메탈 로드들에 각각 전기적으로 연결되는 반도체 패키지 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 제1 절연 물질은 세라믹 물질, 폴리머, 실리콘, 또는 글라스를 포함하고,상기 제2 절연 물질은 NCP(non conductive paste)를 포함하는 반도체 패키지 제조 방법
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