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저방사유리의 버스전극형성방법 및 저방사유리(Low-e glass and forming method of Bus electrode of Low-e glass)

  • 기술번호 : KST2017017773
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 다층의 저방사유리에서 전도층 연결을 위한 버스전극형성이 용이한 저방사유리의 버스전극형성방법 및 이를 이용하여 제조된 저방사유리가 제안된다. 본 발명에 따른 저방사유리는 유리기판 상에 적어도 하나의 금속전도층 및 적어도 하나의 금속산화물절연층을 적층하여 저방사코팅층을 형성하는 단계; 저방사코팅층 상에 전극금속산화물로 버스전극패턴을 형성하는 단계; 및 버스전극패턴에 광조사를 수행하여 버스전극패턴이 저방사코팅층으로 용융되어 금속전도층과 접촉하도록 하여 저방사코팅층내부에 버스전극을 형성하는 단계;를 포함한다.
Int. CL C03C 17/23 (2016.06.26) C03C 17/06 (2016.06.26) H01B 1/02 (2016.06.26) H01B 5/14 (2016.06.26)
CPC C03C 17/23(2013.01) C03C 17/23(2013.01) C03C 17/23(2013.01) C03C 17/23(2013.01) C03C 17/23(2013.01) C03C 17/23(2013.01)
출원번호/일자 1020160063585 (2016.05.24)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0132563 (2017.12.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장세홍 대한민국 서울특별시 서초구
2 박성대 대한민국 서울특별시 송파구
3 김형근 대한민국 경기도 용인시 수지구
4 김예경 대한민국 경기도 광명시 도

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남충우 대한민국 서울 강남구 언주로 ***, *층(역삼동, 광진빌딩)(알렉스국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.05.24 수리 (Accepted) 1-1-2016-0498968-16
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
유리기판 상에 적어도 하나의 금속전도층 및 적어도 하나의 금속산화물절연층을 적층하여 저방사코팅층을 형성하는 단계;상기 저방사코팅층 상에 전극금속산화물로 버스전극패턴을 형성하는 단계; 및상기 버스전극패턴에 광조사를 수행하여 상기 버스전극패턴이 상기 저방사코팅층으로 용융되어 상기 금속전도층과 접촉하도록 하여 상기 저방사코팅층내부에 버스전극을 형성하는 단계;를 포함하는 저방사유리의 버스전극형성방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 금속전도층은 은, 구리, 금, 알루미늄, 몰리브덴, 팔라듐 및 이들의 합금 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 저방사유리의 버스전극형성방법
3 3
청구항 1에 있어서,상기 금속산화물은 Si3N4, SnO2, NiCrO2 및 TiO2 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 저방사유리의 버스전극형성방법
4 4
청구항 1에 있어서,상기 전극금속산화물은 CuO인 것을 특징으로 하는 저방사유리의 버스전극형성방법
5 5
청구항 1에 있어서,상기 광조사는 IPL(Intensed pulsed light, 백색단파장) 및 레이저광 중 적어도 하나를 조사하여 수행되는 것을 특징으로 하는 저방사유리의 버스전극형성방법
6 6
내부유리기판;상기 내부유리기판 상에 적어도 하나의 금속전도층 및 적어도 하나의 금속산화물절연층이 적층된 저방사코팅층;상기 저방사코팅층 상의 상기 금속전도층을 전기적으로 연결하는 버스전극;상기 저방사코팅층 상에 위치하는 접착층; 및상기 접착층 상의 외부유리기판;을 포함하는 저방사유리로서,상기 버스전극은 광조사에 의해 상기 저방사코팅층으로 용융되어 상기 금속전도층과 전기적으로 접촉하는 것인 저방사유리
7 7
청구항 6에 있어서,상기 버스전극은 상기 광조사에 의해 환원된 것을 특징으로 하는 저방사유리
8 8
청구항 6에 있어서,상기 버스전극은 Cu인 것을 특징으로 하는 저방사유리
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 주식회사 피치 산업융합기술산업핵심기술개발 다층 나노 박막을 이용한 자동차용 고성능 투명 발열소자 개발