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복수 n 콘택 구조가 구비된 발광 다이오드 소자(Light Emitting Diode With Multiple n Contact Structure)

  • 기술번호 : KST2017017878
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 수평형 발광 다이오드 소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 이 수평형 발광 다이오드 소자는 사파이어 기판; 상기 사파이어 기판 상에 배치된 n형 GaN 층; 상기 n 형 GaN 층 상에 배치된 활성층; 상기 활성층 상에 배치된 p형 GaN 층; 상기 p형 GaN층 상에 배치된 전류 퍼짐층; 상기 전류 퍼짐층 상에 배치된 p 전극; 상기 전류 퍼짐층, 상기 p형 GaN 층, 및 상기 활성층을 관통하여 상기 n형 GaN층을 노출시키는 복수의 홀들; 및 상기 노출된 n형 GaN 층 상에 배치되고 상기 복수의 홀들의 하부면에서 상기 노출된 n형 GaN 층과 복수의 위치에서 오믹 접합하는 n 전극을 포함한다.
Int. CL H01L 33/36 (2016.07.06) H01L 33/02 (2016.07.06) H01L 33/38 (2016.07.06) H01L 33/00 (2016.07.06)
CPC H01L 33/36(2013.01) H01L 33/36(2013.01) H01L 33/36(2013.01) H01L 33/36(2013.01) H01L 33/36(2013.01) H01L 33/36(2013.01)
출원번호/일자 1020160068311 (2016.06.01)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0136348 (2017.12.11) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.06.01)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성태연 대한민국 서울특별시 서초구
2 김기석 대한민국 경기도 화성
3 진준영 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 누리 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 **-*(역삼동, IT빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.06.01 수리 (Accepted) 1-1-2016-0530366-82
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.02.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.04.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0057968-99
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.04.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0276836-28
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.06.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0571461-51
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.06.15 수리 (Accepted) 1-1-2017-0571462-07
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2017.10.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0747437-39
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2017.11.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-1186466-82
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2017-1186886-44
10 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2017.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0891815-84
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
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번호 청구항
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메사구조와 제1 방향으로 연장되는 p 전극 핑거들 사이에 n 전극 핑거를 구비한 수평형 발광 다이오드의 특성을 조사하여 상기 수평형 발광 다이오드의 전류 밀도 공간 분포 또는 발광 세기 공간 분포를 추출하는 단계;상기 전류 밀도 공간 분포 또는 발광 세기 공간 분포에서, 상기 전류 밀도의 세기 또는 상기 발광 세기의 일정한 차이를 가지는 등고선들과 상기 제1 방향의 직선과 교차하는 위치들을 선정하는 단계; 및상기 선정된 위치들 사이에 홀들을 배치하고 메사구조와 제1 방향으로 연장되는 p 전극 핑거들 사이에 n 전극 핑거를 구비한 수평형 발광 다이오드를 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수평형 발광 다이오드 소자의 제조 방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US10177279 US 미국 FAMILY
2 US20170352784 US 미국 FAMILY

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1 US10177279 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US2017352784 US 미국 DOCDBFAMILY
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