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고효율 열전 나노소결체 및 그의 제조방법(High efficiency nanostructured thermoelectric sintered body and method for fabricating the same)

  • 기술번호 : KST2017017890
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 열전 나노분말로 급속소결 공정을 이용하여 형성된 열전 나노소결체 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 결정립 크기가 나노스케일로 제어된 미세구조에 의하여 열전도도가 기존 상용 열전소재에 비하여 크게 저하되어 고밀도 및 열전효율의 증대를 기대할 수 있다.
Int. CL H01L 35/12 (2016.07.14) H01L 35/34 (2016.07.14) H01L 35/16 (2016.07.14) H01L 35/18 (2016.07.14)
CPC H01L 35/12(2013.01) H01L 35/12(2013.01) H01L 35/12(2013.01) H01L 35/12(2013.01)
출원번호/일자 1020160072305 (2016.06.10)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0139842 (2017.12.20) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.06.10)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성윤모 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 이주원 대한민국 서울특별시 중랑구
3 조기현 대한민국 경기도 부천시 원미구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김종선 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로*길 **, 광성빌딩 **층 (역삼동)(케이엘피특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.06.10 수리 (Accepted) 1-1-2016-0558366-26
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.06.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0424563-42
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.08.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0806944-47
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2017-0806915-23
5 보정요구서
Request for Amendment
2017.09.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0123219-71
6 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2017.09.06 수리 (Accepted) 1-1-2017-0866358-97
7 보정요구서
Request for Amendment
2017.09.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0126482-87
8 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2017.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2017-0876682-54
9 등록결정서
Decision to grant
2018.01.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0044540-24
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
PbTe 열전 나노분말을 열처리하여 형성된 결정립의 크기가 50 ~ 500 ㎚ 이내이며,열전 나노소결체의 이론밀도 8
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
열전 나노분말을 전처리하는 단계;상기 전처리된 열전 나노분말을 500 내지 700℃에서 급속소결을 진행시켜 제1열처리하는 단계; 및상기 제1열처리단계보다 100 내지 400℃의 범위의 낮은 온도에서 열처리하는 제2열처리단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 고효율 열전 나노소결체의 제조방법
5 5
제4항에 있어서,상기 전처리하는 단계는 300 내지 400℃에서 5분 내지 40분 동안 이루어지는 것을 특징으로 하는 고효율 열전 나노소결체의 제조방법
6 6
삭제
7 7
제4항에 있어서,상기 열처리를 통하여 형성된 결정립의 크기가 50 ~ 500 ㎚ 이내인 것을 특징으로 하는 고효율 열전 나노소결체의 제조방법
8 8
제4항에 있어서,상기 열전 나노분말은 PbTe, Bi2Te3, ZnO 및 Cu2S를 포함하는 그룹 중에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 고효율 열전 나노소결체의 제조방법
9 9
제8항에 있어서,상기 열전 나노분말이 PbTe일 때, 열전 나노소결체의 이론밀도는 8
10 10
제4항에 있어서,상기 제1열처리단계는, 1 내지 2시간 동안 진공 분위기에서 압력을 유지한 후, Ar 분위기로 치환하여 열처리하는 것을 특징으로 하는 고효율 열전 나노소결체의 제조방법
11 11
제4항에 있어서,상기 제1열처리단계 및 제2열처리단계는 80 내지 100 MPa의 압력 조건으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고효율 열전 나노소결체의 제조방법
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패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 중소기업청 고려대학교산학협력단 산학연협력기술개발 냉각 및 열전발전용 고효율 열전복합체 개발