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반도체 나노결정 표면의 리간드가 망목 구조의 실록산 수지와 결합하여, 반도체 나노결정이 상기 망목 구조의 실록산 수지에 의해 캡슐화되어 있는 복합체 수지를 포함하며,상기 망목 구조의 실록산 복합체 수지는 반도체 나노결정의 표면을 캡슐 형태로 둘러싸기 위한 규칙적인 선형 구조와 불규칙한 망목 구조의 매트릭스를 함유한 실록산 수지를 포함하며,상기 실록산 수지는 유기알콕시실란 및 유기실란디올로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 실란계 화합물로부터 유래한 가수 또는 비가수 축합반응물을 포함하는,반도체 나노결정 실록산 복합체 수지 조성물
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제1항에 있어서, 상기 유기알콕시실란은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 또는 이의 1종 이상의 혼합물로부터 선택되는 반도체 나노결정 실록산 복합체 수지 조성물:[화학식 1]R1nSi(OR2)4-n상기 화학식 1 에서,R1은 각각 독립적으로 (C1~C20)알킬, (C3~C8)사이클로알킬, (C3~C8)사이클로알킬로 치환된 (C1~C20)알킬, (C2~C20)알케닐, (C2~C20)알키닐 또는 (C6~C20)아릴기이고, 이때 상기 R1은 아크릴기, (메트)아크릴기, 아릴기, 할로겐기, 아미노기, 머캡토기, 에테르기, 에폭시기, 비닐기, 수소기, 메틸기, 페닐기 및 아이소시아네이트기 중에서 선택된 1종 이상의 작용기를 가질 수 있으며,R2 는 각각 독립적으로 직쇄 또는 분지쇄 C1~C7의 알킬이며,n은 0 내지 3의 정수이다
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 유기알콕시실란은,테트라에톡시실란, 테트라메톡시실란, N-(3-아크릴옥시-2-하이드록시프로필)-3-아미노프로필트리에톡시실란, N-(3-아크릴옥시-2-하이드록시프로필)-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-(3-아크릴옥시-2-하이드록시프로필)-3-아미노프로필트리프로폭시실란, 3-아크릴옥시프로필메틸비스(트리메톡시)실란, 3-아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-아크릴옥시프로필트리에톡시실란, 3-아크릴옥시프로필트리프로폭시실란, 3-(메트)아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-(메트)아크릴옥시프로필트리에톡시실란, 3-(메트)아크릴옥시프로필트리프로폭시실란, 2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트리메톡시실란, 2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트리에톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐트리프로폭시실란, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 메틸다이메톡시실란, 메틸다이에톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 다이페닐다이메톡시실란, 다이페닐다이에톡시실란, N-(아미노에틸-3-아미노프로필)트리메톡시실란, N-(2-아미노에틸-3-아미노프로필)트리에톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-아이소시아네이트프로필트리에톡시실란, 헵타데카플루오로데실트리메톡시실란 및 클로로프로필트리메톡시실란, 클로로프로필트리에톡시실란으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 반도체 나노결정 실록산 복합체 수지
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제1항에 있어서, 상기 유기실란디올은 하기 화학식 2로 표시되는 화합물 또는 이의 1종 이상의 혼합물로부터 선택되는 반도체 나노결정 실록산 복합체 수지 조성물:[화학식 2]R3mR4KSi(OH)4-m-k상기 화학식 2에서,R3 및 R4는 각각 독립적으로 또는 동시에 (C1~C20)알킬, (C3~C8)사이클로알킬, (C3~C8)사이클로알킬로 치환된 (C1~C20)알킬, (C2~C20)알케닐, (C2~C20)알키닐 또는 (C6~C20)아릴기이고, 이때 상기 R3 및 R4는 아크릴기, 메타크릴기, 아릴기, 할로겐기, 아미노기, 머캡토기, 에테르기, (C1~C20)알콕시기, 술폰기, 니트로기, 하이드록시기, 사이클로부텐기, 카르보닐기, 카르복실기, 알키드기, 우레탄기, 비닐기, 니트릴기, 에폭시기, 옥세탄기 및 페닐기로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 작용기를 가질 수 있으며,m 및 k는 각각 0 내지 3의 정수이다
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제1항에 있어서, 상기 유기실란디올은 디페닐실란디올, 디이소부틸실란디올, 및 이들의 혼합물들로 이루어진 군으로부터 선택되는 반도체 나노결정 실록산 복합체 수지 조성물
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제1항에 있어서, 상기 반도체 나노결정은 금속 기반의 코어-쉘 구조를 가지며 표면에 1종 이상의 리간드를 포함하는 반도체 나노결정 실록산 복합체 수지 조성물
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7
제1항에 있어서, 상기 실록산 복합체 수지 조성물은 전체 실록산 복합체 수지 100 중량부를 기준으로 1 내지 50 중량부의 에폭시기, 아크릴기, 또는 옥세탄기를 갖는 반응성 모노머 또는 올리고머를 더 포함하는 반도체 나노결정 실록산 복합체 수지 조성물
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a) 반도체 나노 결정과, 하기 화학식 1로 표시되는 유기알콕시실란 및 하기 화학식 2로 표시되는 유기실란디올로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 실란계 화합물을 함유한 조성물을 제조하는 단계, 및b) 반도체 나노 결정과 실란계 화합물을 함유한 조성물을 교반하면서 축합반응을 수행하여, 반도체 나노결정 실록산 복합체 수지 조성물을 제조하는 단계를 포함하며,상기 b) 단계는, 상기 반도체 나노 결정과 실란계 화합물을 함유한 조성물의 축합 반응에 의해 망목 구조의 실록산 수지를 형성하는 것과 동시에 상기 실록산 수지 내에 반도체 나노결정을 분산시키고 반도체 나노결정의 표면을 실록산 수지로 캡슐화하는 단계를 포함하며,상기 반도체 나노결정은 축합 반응을 통해 형성되는 전체 실록산 복합 수지 100 중량부에 대하여 0
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제8항에 있어서, 상기 b)단계의 축합반응은 가수 축합반응, 또는 비가수 축합반응을 포함하는 반도체 나노결정 실록산 복합체 수지 조성물의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 가수 축합반응은 유기알콕시실란 및 물을 1: 0
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제10항에 있어서, 상기 비가수 축합반응은 유기알콕시실란 및 유기실란디올을 1: 0
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제8항에 있어서, 상기 b) 단계 이후에, 반도체 나노결정 실록산 복합체 수지 조성물에 경화 촉매를 첨가하는 단계를 더 포함하는 반도체 나노결정 실록산 복합체 수지 조성물의 제조방법
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제8항 또는 제13항에 있어서, 상기 b)의 반도체 나노결정 실록산 복합체 수지 조성물에,전체 실록산 복합체 수지 100 중량부를 기준으로 1 내지 50 중량부의 에폭시기, 아크릴기, 또는 옥세탄기를 갖는 반응성 모노머 또는 올리고머를 첨가하는 단계를 더 포함하는 반도체 나노결정 실록산 복합체 수지 조성물의 제조방법
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제1항에 따른 반도체 나노 결정 실록산 복합체 수지 조성물의 광경화 또는 열경화를 통해 얻어진, 반도체 나노결정 실록산 복합체 경화물
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제15항에 있어서,필름, 플레이크, 시트 또는 LED칩에 봉지된 형태를 포함하는 반도체 나노결정 실록산 복합체 경화물
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제15항에 따른 반도체 나노결정 실록산 복합체 경화물을 포함하는 소자
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