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주쇄 또는 측쇄에 이온성 작용기를 갖고,나노미터 범위의 직경을 갖는 고분자 섬유로 형성되되,상기 이온성 작용기의 전하에 대해 반대부호의 전하를 갖는 반대 이온으로서 Ag+ 또는 I-를 함유하는 고분자 부직웹
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제1항에 있어서,상기 이온성 작용기는 설포네이트기, 암모늄기, 아자나이드기, 포스페이트기, 또는 이들 중 두 개가 연결된 쯔비터 이온기를 포함하는 고분자 부직웹
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제2항에 있어서,상기 암모늄기는 4차 암모늄기인 고분자 부직웹
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제2항에 있어서,상기 아자나이드기를 포함하는 이온성 작용기는 설파다이아지닐기(sulfadiazinyl group)인 고분자 부직웹
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제2항에 있어서,상기 쯔비터 이온기를 포함하는 이온성 작용기는 포스포릴콜린 기(phosphorylcholine group)인 고분자 부직웹
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삭제
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제1항에 있어서,상기 고분자는 폴리스티렌, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리아릴렌에테르, 폴리우레탄 또는 이들 중 둘 이상의 공중합체인 고분자 부직웹
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제1항에 있어서,상기 고분자는 이온성 작용기를 구비하는 단위체와 이온성 작용기를 구비하지 않는 단위체의 공중합체인 고분자 부직웹
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제8항에 있어서,상기 단위체들은 서로에 관계없이 스티렌계 단위체, 메틸메타크릴레이트계 단위체, 아릴렌에테르계 단위체, 또는 우레탄계 단위체인 고분자 부직웹
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나노미터 범위의 직경을 갖는 고분자 섬유로 형성되되,상기 고분자는 하기 화학식 1에 나타낸 고분자인 고분자 부직웹:[화학식 1]상기 화학식 1에서,n은 0 내지 10000의 정수이고, m은 2 내지 10000의 정수이고, l1은 1 내지 4의 정수이고, 12는 1 내지 3의 정수이고,R1은 서로에 관계없이 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C4의 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C12의 아릴기이고,R2은 서로에 관계없이 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C4의 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C12의 아릴기이고,R3는 결합, 카보닐기, 카르복시기, 아미드기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C12의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C12의 알킬렌카보닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C12의 카보닐알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C12의 알킬렌카르복시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C12의 카르복시알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C12의 알킬렌아미드기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C12의 아미드알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C12의 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C12의 아릴렌카보닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C12의 카보닐아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C12의 아릴렌카르복시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C12의 카르복시아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C12의 아릴렌아미드기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C12의 아미드아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C4 내지 C12의 아릴렌알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C4 내지 C12의 알킬렌아릴기이고,IG는 설포네이트기, 카르복실레이트기, 암모늄기, 아자나이드기, 포스포네이트기, 포스페이트기, 또는 이들 중 두 개가 연결된 쯔비터 이온기를 포함하는 이온성 작용기이다
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나노미터 범위의 직경을 갖는 고분자 섬유로 형성되되,상기 고분자는 하기 화학식 2에 나타낸 고분자인 고분자 부직웹:[화학식 2]상기 화학식 2에서,n은 0 내지 10000의 정수이고,m은 2 내지 10000의 정수이고,Ra1, Ra2, Rb1, 및 Rb2는 서로에 관계없이 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C12의 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C12의 아릴기이고,Ra3는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C12의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C12의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C12의 알킬카르복시기이고,Rb3는 결합, 카보닐기, 카르복시기, 아미드기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C12의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C12의 알킬렌카보닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C12의 카보닐알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C12의 알킬렌카르복시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C12의 카르복시알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C12의 알킬렌아미드기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C12의 아미드알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C12의 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C12의 아릴렌카보닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C12의 카보닐아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C12의 아릴렌카르복시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C12의 카르복시아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C12의 아릴렌아미드기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C12의 아미드아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C4 내지 C12의 아릴렌알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C4 내지 C12의 알킬렌아릴기이고,IG는 설포네이트기, 카르복실레이트기, 암모늄기, 아자나이드기, 포스포네이트기, 포스페이트기, 또는 이들 중 두 개가 연결된 쯔비터 이온기를 포함하는 이온성 작용기이다
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나노미터 범위의 직경을 갖는 고분자 섬유로 형성되되,상기 고분자는 하기 화학식 3에 나타낸 고분자인 고분자 부직웹:[화학식 3]상기 화학식 3에서,l은 0 내지 10000의 정수이고,n은 1 내지 10000의 정수이고,m1과 m2는 m1 + m2가 1 내지 10000을 만족하는 정수들이고,Ra1, Ra2, Rb1, Rb2, Rc1, Rc2, Rd1, Rd2는 서로에 관계없이 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C12의 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C12의 아릴기이고,Ra3 및 Rc3는 서로에 관계없이 치환 또는 비치환된 C1 내지 C12의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C12의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C12의 알킬카르복시기이고,Rb3 및 Rd3는 서로에 관계없이 결합, 카보닐기, 카르복시기, 아미드기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C12의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C12의 알킬렌카보닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C12의 카보닐알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C12의 알킬렌카르복시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C12의 카르복시알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C12의 알킬렌아미드기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C12의 아미드알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C12의 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C12의 아릴렌카보닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C12의 카보닐아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C12의 아릴렌카르복시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C12의 카르복시아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C12의 아릴렌아미드기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C12의 아미드아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C4 내지 C12의 아릴렌알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C4 내지 C12의 알킬렌아릴기이고,IG1 및 IG2는 서로에 관계없이 설포네이트기, 카르복실레이트기, 암모늄기, 아자나이드기, 포스포네이트기, 포스페이트기, 또는 이들 중 두 개가 연결된 쯔비터 이온기이다
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제1항, 제10항, 제11항, 및 제12항 중 어느 한 항에 있어서,상기 섬유는 100 내지 900㎚의 직경을 갖는 고분자 부직웹
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제1항, 제10항, 제11항, 및 제12항 중 어느 한 항에 있어서,상기 고분자 부직웹은 기체 필터인 고분자 부직웹
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주쇄 또는 측쇄에 이온성 작용기를 갖는 고분자를 전기방사하여, 나노미터 범위의 직경을 갖는 고분자 섬유로 형성된 부직웹을 제조하는 단계; 및상기 부직웹을 이온교환용액에 침지하여, 상기 이온성 작용기의 전하에 대해 반대부호의 전하를 갖는 반대 이온인 Ag+ 또는 I-를 도입하는 단계를 포함하는 를 포함하는 고분자 부직웹 제조방법
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제15항에 있어서,상기 이온성 작용기는 설포네이트기, 암모늄기, 아자나이드기, 포스페이트기, 또는 이들 중 두 개가 연결된 쯔비터 이온기를 포함하는 고분자 부직웹 제조방법
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삭제
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베이스층;커버층; 및상기 베이스층과 상기 커버층 사이에 배치된 제1항, 제10항, 제11항, 및 제12항 중 어느 한 항의 고분자 부직웹을 구비하는 호흡 마스크
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