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불소계고분자와 도전성 기능화제 및 금속화합물에서 선택되는 하나 이상의 입자 성분을 포함하는 혼합물을 열성형하여 제조된 RF 스퍼터링용 불소계고분자 복합 타겟을 RF 스퍼터링 챔버 내에 전극면과 접촉하는 단계와 전극면과 접촉된 상기 불소계고분자 복합 타겟에 RF를 인가하여 증착하는 단계를 포함하는 RF스퍼터링에 의해 플라즈마화된 불소계고분자의 증착막 형성방법
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제1항에 있어서,상기 기능화제는 전도성입자, 전도성고분자, 및 금속성분에서 선택되는 하나 이상이고, 상기 금속화합물은 금속유기물, 금속산화물, 금속탄소체, 금속수산화물, 금속카보네이트, 금속바이카보네이트, 금속질화물 및 금속불화물에서 선택되는 하나 이상인 RF스퍼터링에 의해 플라즈마화된 불소계고분자의 증착막 형성방법
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제2항에 있어서,상기 전도성입자는 카본나노튜브, 카본나노섬유, 카본블랙, 그래핀, 그라파이트 및 탄소섬유에서 선택되는 하나 이상인 RF스퍼터링에 의해 플라즈마화된 불소계고분자의 증착막 형성방법
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제2항에 있어서,상기 전도성 고분자는 폴리아닐린, 폴리아세틸렌, 폴리티오펜, 폴리피롤, 폴리플루렌, 폴리피렌, 폴리아줄렌, 폴리나프탈렌, 폴리페닐렌, 폴리페닐렌비닐렌, 폴리카르바졸, 폴리인돌, 폴리아제핀, 폴리에틸렌, 폴리에틸렌비닐렌, 폴리페닐렌설파이드, 폴리퓨란, 폴리셀레노펜 및 폴리텔루로펜에서 선택되는 하나 이상인 RF스퍼터링에 의해 플라즈마화된 불소계고분자의 증착막 형성방법
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제2항에 있어서,상기 금속성분은 Cu, Al, Ag, Au, W, Mg, Ni, Mo, V, Nb, Ti, Pt, Cr 및 Ta 에서 선택되는 하나 이상인 RF스퍼터링에 의해 플라즈마화된 불소계고분자의 증착막 형성방법
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제2항에 있어서,상기 금속화합물은 SiO2, Al2O3, ITO, IGZO, ZnO, In2O3, SnO2, TiO2, AZO, ATO, SrTiO3, CeO2, MgO, NiO, CaO, ZrO2, Y2O3, Al2O3, MgF2, CuF2, Si3N4, CuN 및 AlN에서 선택되는 하나 이상인 RF스퍼터링에 의해 플라즈마화된 불소계고분자의 증착막 형성방법
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제1항에 있어서,상기 불소계고분자는 폴리테트라 플루오로에틸렌, 폴리클로로트리플루오로에틸렌, 폴리비닐리덴디플루오라이드, 플로린화 에틸렌 프로필렌 공중합체, 에틸렌-테트라플루오로에틸렌 공중합체 , 에틸렌-클로로트리플루오로 에틸렌 공중합체, 퍼플루오로알콕시 공중합체, 비닐플루오라이드 단일중합체 고무, 비닐플루오라이드 공중합체 고무, 비닐리덴플루오라이드 단일중합체 고무 및 비닐리덴플루오라이드 공중합체 고무에서 선택되는 하나 이상인 RF스퍼터링에 의해 플라즈마화된 불소계고분자의 증착막 형성방법
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제1항에 있어서,상기 불소계고분자 복합 타겟은 불소계고분자 100 중량부에 대하여 상기 기능화제 또는 기능화제와 금속화합물의 혼합성분을 0
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제1항에 있어서,상기 불소계고분자 복합 타겟은 두께 방향으로 상기 기능화제 또는 기능화제와 금속화합물의 혼합성분의 함량 구배를 가지도록 제조되는 것인 RF스퍼터링에 의해 플라즈마화된 불소계고분자의 증착막 형성방법
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제9항에 있어서,상기 구배는 전극면을 향하여 기능화제 또는 기능화제와 금속화합물의 혼합성분의 함량이 높고, 피착체의 방향으로는 기능화제 또는 기능화제와 금속화합물의 혼합성분의 함량이 감소되도록 전극면상에 접착되는 것이거나 또는 그 반대로 접착된 것인 RF스퍼터링에 의해 플라즈마화된 불소계고분자의 증착막 형성방법
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제 9항에 있어서,상기 불소계고분자 복합 타겟의 구배는 2 단 이상의 복합 타겟이 적층된 형태로 열성형되어 제조되거나 연속적인 함량의 구배를 가지는 것인 RF스퍼터링에 의해 플라즈마화된 불소계고분자의 증착막 형성방법
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제 1항에 있어서,상기 불소계고분자 복합 타겟은 불소계고분자 100 중량부에 대하여 0
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제 12항에 있어서,상기 기능화제는 전도성입자, 전도성 고분자 및 금속성분에서 선택되는 하나 이상인 RF스퍼터링에 의해 플라즈마화된 불소계고분자의 증착막 형성방법
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