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질소-도핑된 3 차원 탄소 나노구조체, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 수퍼커패시터 전극(N-DOPED THREE DIMENSIONAL CARBON NANOSTRUCTURE, PREPARING METHOD THEREOF, AND SUPERCAPACITOR ELECTRODE INCLUDING THE SAME)

  • 기술번호 : KST2017018064
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 질소-도핑된 3 차원 탄소 나노구조체, 상기 질소-도핑된 3 차원 탄소 나노구조체의 제조 방법, 및 상기 3 차원 탄소 나노구조체를 포함하는 수퍼커패시터 전극에 관한 것이다.
Int. CL C01B 31/02 (2016.06.08) B01J 6/00 (2016.06.08) H01G 11/36 (2016.06.08)
CPC C01B 32/15(2013.01) C01B 32/15(2013.01) C01B 32/15(2013.01) C01B 32/15(2013.01) C01B 32/15(2013.01)
출원번호/일자 1020160062207 (2016.05.20)
출원인 서강대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0131053 (2017.11.29) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.05.20)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서강대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 문준혁 대한민국 서울특별시 양천구
2 강다영 대한민국 인천광역시 남동구
3 김철호 대한민국 전라북도 익산
4 박규림 대한민국 경기도 파주시 미래로 ***, ***동

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.05.20 수리 (Accepted) 1-1-2016-0486907-16
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.11 수리 (Accepted) 4-1-2017-5005781-67
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.09.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0634863-59
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.11.10 수리 (Accepted) 1-1-2017-1118246-16
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.11.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1118268-10
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.12.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0905753-14
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.01.26 수리 (Accepted) 1-1-2018-0091288-67
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2018.01.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0091320-31
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.02.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0106053-33
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.01.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5014626-89
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
3 차원 다공성 고분자 패턴을 제조하는 단계;상기 3 차원 다공성 고분자 패턴을 용액 열처리하는 단계; 및상기 용액 열처리된 3 차원 다공성 고분자 패턴을 질소 소스와 함께 소결함으로써 탄화 및 질소 도핑을 동시에 수행하여 질소-도핑된 3 차원 탄소 나노구조체를 수득하는 단계를 포함하는, 질소-도핑된 3 차원 탄소 나노구조체의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 3 차원 다공성 고분자 패턴을 용액 열처리하는 단계는, 상기 3 차원 다공성 고분자 패턴을 유기 용매를 함유하는 용액에 담지시킨 뒤 열처리한 후, 상기 다공성 고분자 패턴의 표면에 남아있는 용액을 세척하는 것을 포함하는 것인, 질소-도핑된 3 차원 탄소 나노구조체의 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 용액 열처리는 상기 고분자의 유리 전이 온도 이상에서 수행되는 것인, 질소-도핑된 3 차원 탄소 나노구조체의 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 용액 열처리는 100℃ 내지 200℃의 온도 범위에서 수행되는 것인, 질소-도핑된 3 차원 탄소 나노구조체의 제조 방법
5 5
제 2 항에 있어서,상기 유기 용매는 상기 고분자를 용해시키지 않는 것인, 질소-도핑된 3 차원 탄소 나노구조체의 제조 방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 3 차원 다공성 고분자 패턴 또는 상기 3 차원 탄소 나노구조체는 3 차원으로 배열된 동공(pore)을 포함하는 것인, 질소-도핑된 3 차원 탄소 나노구조체의 제조 방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 소결은 700℃ 이상의 온도 범위에서 수행되는 것인, 질소-도핑된 3 차원 탄소 나노구조체의 제조 방법
8 8
질소 도핑률이 10% 이상인, 질소-도핑된 3 차원 탄소 나노구조체
9 9
제 8 항에 따른 질소-도핑된 3 차원 탄소 나노구조체를 포함하는, 수퍼커패시터 전극
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US10297397 US 미국 FAMILY
2 US20170338057 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US10297397 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US2017338057 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 서강대학교 산학협력단 나노소재기술개발사업 제한공간내 자기조립을 이용한 계층형 광전변환소재 구조제어 및 광전특성 분석