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제1음극;상기 제1음극을 둘러싸며, 상기 제1음극과 사이에 이온빔 인출부를 형성하는 제2음극;상기 이온빔 인출부 하부에서 제1음극 및 제2음극 사이에 이격되도록 배치된 양극을 포함하며, 상기 양극이 자성체로 이루어지고,상기 제1음극과 상기 제2음극이 마주보는 벽면 내측에 구비되고, 제1음극 및 제2음극의 상면보다 높게 돌출된 형태인, 절연층을 더 포함하며,상기 제1음극 및 상기 제2음극은 상면이 외부로 노출된 형태인, 아킹이 제어된 이온빔 소스
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제1음극;상기 제1음극을 둘러싸며, 상기 제1음극과 사이에 이온빔 인출부를 형성하는 제2음극;상기 이온빔 인출부 하부에서 제1음극 및 제2음극 사이에 이격되도록 배치된 제1양극 및 제2양극을 포함하며,상기 제1양극 및 제2양극의 하부에 자성체가 구비되고,상기 제1음극과 상기 제2음극이 마주보는 벽면 내측에 구비되고, 제1음극 및 제2음극의 상면보다 높게 돌출된 형태인, 절연층을 더 포함하며,상기 제1음극 및 상기 제2음극은 상면이 외부로 노출된 형태인, 아킹이 제어된 이온빔 소스
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제2항에 있어서,상기 제2음극의 외측에 구비되는 자성체를 더 포함하는 아킹이 제어된 이온빔 소스
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제2항에 있어서,상기 자성체는 전자석 코일 또는 영구자석인 아킹이 제어된 이온빔 소스
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 자성체에 의해 상기 이온빔 인출부와 상기 양극 사이의 공간에 형성되는 방전 영역 내 자기장이 우물형으로 형성되는 아킹이 제어된 이온빔 소스
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 자성체는 Fe, Ni, Cr, Co, Si, 마르텐사이트계 스테인리스 스틸 및 이의 혼합물로부터 선택되는 것인 아킹이 제어된 이온빔 소스
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7
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 자성체의 투자율(permeability, μr)은 1 내지 30000인 아킹이 제어된 이온빔 소스
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삭제
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9
삭제
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삭제
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 이온빔 형성을 위해 제1양극 및 제2양극에 인가되는 방전개시전압은 2kV 이하인 아킹이 제어된 이온빔 소스
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12
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 이온빔 소스의 운전압력이 0
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 이온빔 소스의 자기 거울 비율이 1 내지 20인 아킹이 제어된 이온빔 소스
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 이온빔 형성을 위해 제1양극 및 제2양극에 인가되는 방전전압이 1 kHz 내지 13
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