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두께가 300 ㎛ ~ 750㎛인 베이스 기판;상기 베이스 기판의 상부에 구비되고, 선형 패턴, 지그재그 패턴, 물결 패턴 및 직사각형 패턴 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 연속적인 패턴의 측면 패턴을 가지며, 단층 구조 또는 다층 구조의 두께가 50㎚ ~ 300㎚인 매개층(medium layer);상기 단층 구조의 매개층 상부면과 하부면 또는 다층 구조의 각각의 매개층의 상부면과 하부면에 형성되는 인터믹싱층;상기 매개층의 상부에 구비되고, 두께가 100㎚ ~ 1㎛인 캡층(cap layer);상기 캡층의 상부에 구비되고, 두께가 500㎚ ~ 2㎛인 버퍼층(buffer layer); 및상기 버퍼층의 상부에 구비되고, 1㎛ ~ 10㎛인 에피층(epi layer);을 포함하고,상기 매개층은 하기 분자식 1을 만족하는 화합물을 포함하며,상기 매개층, 버퍼층 및 에피층은 하기 관계식 1을 만족하는 템플레이트 에피 기판:[분자식 1]Si1-x-yGexSny상기 x, y는 0 003c# x + y 003c# 1, 0 003c# x, 0 003c# y 를 만족하는 유리수이다
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제1항에 있어서, 상기 베이스 기판은 격자상수가 5
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제1항에 있어서, 상기 베이스 기판은 실리콘 및 게르마늄 중에서 선택된 1종 이상을 포함하고, 상기 매개층은 실리콘, 게르마늄, 틴 및 이들의 화합물 중에서 선택된 1종 이상을 포함하며, 상기 캡층은 실리콘, 게르마늄, 틴 및 이들의 화합물 중에서 선택된 1종 이상을 포함하며, 상기 버퍼층은 GaN, AlN 을 포함하는 질화계 물질 포함하고, 상기 에피층은 GaN, AlN 을 포함하는 질화계 물질 포함하는 것을 특징으로 하는 템플레이트 에피 기판
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베이스 기판 상부에 선형 패턴, 지그재그 패턴, 물결 패턴 및 직사각형 패턴 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 연속적인 패턴의 측면 패턴을 갖는, 단층 구조 또는 다층 구조의 매개층을 형성하는 단계;상기 매개층의 상부에 캡층을 성장시키고, 캡층의 상부에 버퍼층을 성장시키는 단계;열처리를 수행하여 매개층 상부 및 하부에 인터믹싱층을 형성시키는 단계; 및상기 버퍼층의 상부에 에피층을 성장시키는 단계;를 포함하고,상기 매개층은 하기 분자식 1을 만족하는 화합물을 포함하며,제조된 템플레이트 에피 기판에 구비되는 상기 베이스 기판은 두께가 300㎛ ~ 750㎛, 상기 매개층은 두께가 50㎚ ~ 300㎚, 상기 캡층은 두께가 100nm ~ 1㎛, 상기 버퍼층은 두께가 500㎚ ~ 2㎛ 및 상기 에피층은 두께가 1㎛ ~ 10㎛이고,상기 매개층, 버퍼층 및 에피층은 하기 관계식 1을 만족하는 템플레이트 에피 기판의 제조방법: [분자식 1]Si1-x-yGexSny상기 x, y는 0 003c# x + y 003c# 1, 0 003c# x, 0 003c# y 를 만족하는 유리수이다
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제8항에 있어서, 상기 버퍼층을 성장시키는 단계는 500℃ ~ 800℃에서 1분 ~ 10시간 동안 수행하고,상기 인터믹싱층을 형성시키는 단계는 800℃ ~ 1500℃에서 1분 ~ 10시간 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 템플레이트 에피 기판의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 인터믹싱층은 베이스 기판, 매개층 및 캡층 중에서 선택된 어느 한 층 이상의 층의 일부 영역이 변형되어 형성된 것을 특징으로 하는 템플레이트 에피 기판의 제조방법
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제1항, 제6항 및 제7항 중 어느 한 항의 템플레이트 에피 기판을 포함하되,매개층 및 상기 매개층의 적어도 일면에 형성된 하나 이상의 인터믹싱층이 측면식각된 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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제8항 내지 제10항 중 어느 한 항의 제조방법으로 템플레이트 에피 기판을 제조하는 단계; 및상기 템플레이트 에피 기판의 매개층 및 상기 매개층의 적어도 일면에 형성된 하나 이상의 인터믹싱층을 측면식각하여 반도체 소자를 제조하는 단계;를 포함하는 반도체 소자 제조방법
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