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질화갈륨계 고효율 발광다이오드 및 그의 제조방법(HIGH-EFFICIENCY GaN-BASED LIGHT-EMITTING DIODES AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME)

  • 기술번호 : KST2017018124
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판; 질화갈륨 계열의 제 1 도전형 반도체층; 질화갈륨 계열의 제 2 도전형 반도체층; 및 상기 제 1 도전형 반도체층과 상기 제 2 도전형 반도체층 사이에 개재된 활성층; 상기 제 2 도전형 반도체층에 접촉되는 투명전극을 포함하며, 투명전극이 전자빔 증발법(electron-beam evaporator)으로 증착된 제 1 전극층 및 스퍼터(sputter)로 증착된 제 2 전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 고효율 발광다이오드 및 그의 제조방법을 제공한다.본 발명의 질화갈륨계 고효율 발광다이오드는 높은 광투과도와 낮은 면저항을 가질 수 있다.
Int. CL H01L 33/36 (2016.07.07) H01L 33/40 (2016.07.07) H01L 33/38 (2016.07.07) H01L 33/14 (2016.07.07) H01L 33/00 (2016.07.07)
CPC H01L 33/36(2013.01) H01L 33/36(2013.01) H01L 33/36(2013.01) H01L 33/36(2013.01) H01L 33/36(2013.01) H01L 33/36(2013.01) H01L 33/36(2013.01)
출원번호/일자 1020160070408 (2016.06.07)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0138247 (2017.12.15) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.06.07)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김현수 대한민국 전라북도 전주시 완산구
2 오문식 대한민국 전라북도 군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 천지 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층(역삼동, 신한빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.06.07 수리 (Accepted) 1-1-2016-0545701-25
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.03.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0178390-91
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2017-0420203-92
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.04.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0420204-37
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0605245-84
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.09.26 수리 (Accepted) 1-1-2017-0937873-32
7 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2017.09.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0937875-23
8 등록결정서
Decision to Grant Registration
2017.10.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0747440-77
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
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번호 청구항
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기판 상에 제 1 도전형 반도체층을 증착하는 단계;상기 제 1 도전형 반도체층 상에 활성층을 증착하는 단계;상기 활성층 상에 제 2 도전형 반도체층을 증착하는 단계;상기 제 2 도전형 반도체층 상에 전자빔 증발법(e-beam evaporator)으로 지름이 1 내지 10 ㎛ 크기이며, 두께는 10 내지 200 nm의 반구 렌즈 형태인 도트(dot) 구조의 패턴이 형성된 제 1 전극층을 증착하는 단계; 및상기 제 1 전극층 상에 스퍼터법(sputtered)으로 제 2 전극층을 증착하는 단계;를 포함하고,상기 제 1 전극층 및 제 2 전극층은 ITO 및 IZO로 구성된 군에서 선택되는 어느 하나의 투명 도전성 물질을 포함하고,상기 제 1 전극층 상에 스퍼터법으로 제 2 전극층을 증착하는 단계 이후에, 질소 및 산소 분위기에서 300 내지 600 ℃ 의 온도로 30 내지 600초 동안 상기 제 1 전극층 및 제 2 전극층을 열처리하는 단계를 더 포함하는 것인 질화갈륨계 고효율 발광다이오드의 제조방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101986548 KR 대한민국 FAMILY
2 WO2017213403 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 전북대학교 산학협력단 수송기기 특화조명 핵심기술개발 전문인력양성 사업 수송기기특화조명용 LED융합부품소재 핵심기술개발 전문인력양성
2 미래창조과학부 전북대학교 산학협력단 신진연구지원사업(후속지원) 고신뢰도 수직형 질화갈륨 발광다이오드 제조 및 특성평가연구