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Si를 포함하는 기판을 전처리하는 제1단계;Sn이 도핑된 In-Zn 산화물계 열전재료를 준비하는 제2단계;상기 열전재료를 기상 증착법으로 상기 기판에 증착하여 비정질 구조의 필름을 제조하는 제3단계; 및상기 증착된 필름을 200 내지 500℃의 온도에서 열처리하는 제4단계;를 포함하여 제조되고, 상기 Sn이 도핑된 In-Zn 산화물계 열전박막의 두께는 380 내지 420nm이며, 역률은 250 내지 300 ㎼/m·K2인 것을 특징으로 하는, Sn이 도핑된 In-Zn 산화물계 열전박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 Sn이 도핑된 In-Zn 산화물계 열전재료는 In2O3, InO 및 이들의 혼합물로 이루어진 군 중 1종 이상의 화합물과 ZnO계 화합물 및 Sn계 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는, Sn이 도핑된 In-Zn 산화물계 열전박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 Sn이 도핑된 In-Zn 산화물계 열전박막의 비저항은 3
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Si를 포함하는 기판을 전처리하고,Sn이 도핑된 In-Zn 산화물계 열전재료를 준비하고,상기 열전재료를 기상 증착법으로 상기 기판에 증착하여 비정질 구조의 필름을 제조한 후,상기 증착된 필름을 200 내지 500℃의 온도에서 열처리하여 제조되고,상기 Sn이 도핑된 In-Zn 산화물계 열전박막의 두께는 380 내지 420nm이며, 역률은 250 내지 300 ㎼/m·K2인 것을 특징으로 하는, Sn이 도핑된 In-Zn 산화물계 열전박막
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제7항에 있어서, 상기 열전박막의 비저항은 3
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제7항 또는 제8항에 따른 Sn이 도핑된 In-Zn 산화물계 열전박막을 포함하는 플렉시블 디바이스
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