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서로 이격 배열된 다수개의 관통형 기공을 갖는 제2금속 막 및 상기 관통형 기공 내부에 각각 위치하는 단위체로, 상기 단위체는 상기 제2금속 막과 나노 갭을 형성하는 공중 부유형 제1금속 나노입자 및 상기 제1금속 나노입자를 지지하는 지지부재를 포함하고,상기 제1금속 나노입자의 제1금속 및 제2금속 막의 제2금속은 각각 표면 플라즈몬이 발생하는 금속이며,상기 제1금속 나노입자에서, 상기 지지부재에 의해 지지되는 측의 면인 제1금속 나노입자의 하부면은 평면이고,상기 관통형 기공 각각에 위치하는 제1금속 나노입자들의 하부면들은 가상의 단일한 평면 내에 위치하는, 표면증강 라만산란 기판
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제 1항에 있어서,상기 제1금속 나노입자;와 상기 관통형 기공의 테두리(edge)를 포함하는 관통형 기공(PP)의 기공면;에 의해 나노 갭이 형성되는 표면증강 라만산란 기판
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제 1항에 있어서,상기 나노 갭은 폐 루프형상인 표면증강 라만산란 기판
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제 1항에 있어서,상기 하부면은 상기 지지부재와 계면을 형성하는 지지 영역과 표면으로 노출되는 미 지지영역이 공존하는 표면증강 라만산란 기판
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제 5항에 있어서,상기 하부면의 면적 기준, 10 내지 80%의 면적이 상기 지지부재와 계면을 이루는 표면증강 라만산란 기판
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제 5항에 있어서, 상기 제1금속 나노입자의 하부면의 미 지지영역을 포함한 제1금속 나노입자, 제2금속 막의 관통형 기공의 기공면, 및 지지부재의 측면에 의해 규정되는 공간에 검출대상물이 위치하는 표면증강 라만산란 기판
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제 1항에 있어서,상기 제1금속 나노입자, 상기 관통형 기공 및 상기 지지부재는 서로 동심구조를 이루는 표면증강 라만산란 기판
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제 1항에 있어서, 상기 기판은 상기 제2금속 막 및 공중 부유형 제1금속 나노입자 하부에 위치하는 하부막을 더 포함하는 표면증강 라만산란 기판
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제 10항에 있어서, 상기 하부막은 상기 지지 부재와 동일한 물질이며, 상기 지지 부재는 상기 하부막으로부터 연장되는 표면증강 라만산란 기판
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제 10항에 있어서,상기 하부막은 금속막인 표면증강 라만산란 기판
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제 10항에 있어서,적어도, 상기 공중 부유형 제1금속 나노입자 하부에 위치하는 상기 하부막의 표면 또는 상기 지지 부재의 측부 표면에 검출 대상 물질과 특이적으로 결합하는 수용체가 형성된 표면증강 라만산란 기판
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제 10항에 있어서,상기 지지 부재는 금속화합물 및 반도체 화합물에서 하나 또는 둘 이상 선택되며, 이와 독립적으로, 상기 하부막은 금속, 금속화합물 및 반도체화합물에서 하나 또는 둘 이상 선택되는 표면증강 라만산란 기판
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제 1항에 있어서,상기 제1금속 나노입자는 잘린 입자 형상(truncated particle shape)인 표면증강 라만산란 기판
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제 1항, 제 3항 내지 제 7항 및 제 9항 내지 제 15항 중 어느 한 항에 있어서,상기 나노 갭의 크기는 1 nm 내지 100nm인 표면증강 라만산란 기판
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제 1항, 제 3항 내지 제 7항 및 제 9항 내지 제 15항 중 어느 한 항에 있어서,상기 지지부재의 길이 및 상기 제2금속 막의 두께 중 하나 이상 선택된 인자(factor)에 의해, 상기 나노 갭의 크기가 조절되는 표면증강 라만산란 기판
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제 1항, 제 3항 내지 제 7항 및 제 9항 내지 제 15항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1금속 나노입자는 투영(projection) 형상 기준, 투영 형상의 평균 지름은 10nm 내지 500nm인 표면증강 라만산란 기판
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제 1항, 제 3항 내지 제 7항 및 제 9항 내지 제 15항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제2금속 막의 두께는 5 내지 100nm인 표면증강 라만산란 기판
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제 1항, 제 3항 내지 제 7항 및 제 9항 내지 제 15항 중 어느 한 항에 있어서,단위 면적당 상기 제1금속 나노입자의 수인 나노구조체 밀도는 1 내지 100 개/ μm2인 표면증강 라만산란 기판
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제 1항, 제 3항 내지 제 7항 및 제 9항 내지 제 15항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판은 상기 공중 부유형 제1금속 나노입자가 형성된 표면증강 라만 산란 활성 영역 및 상기 공중 부유형 제1금속 나노입자가 미형성된 표면증강 라만 산란 비활성 영역을 포함하며, 둘 이상의 상기 표면증강 라만 산란 활성 영역이 이격 배열된 표면증강 라만산란 기판
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제 1항, 제 3항 내지 제 7항 및 제 9항 내지 제 15항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1금속 나노입자의 제1금속 및 상기 제2금속 막의 제2금속은 서로 독립적으로, 은, 금, 백금, 팔라디움, 니켈, 알루미늄, 구리, 크롬 또는 이들의 조합 또는 이들의 합금인 표면증강 라만산란 기판
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제 1항, 제 3항 내지 제 7항 및 제 9항 내지 제 15항 중 어느 한 항에 따른 표면증강 라만산란 기판을 포함하는 분자 검출용 소자
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제 1항에 따른 표면증강 라만산란 기판의 제조방법이며,a) 기재 상 금속 화합물 또는 반도체 화합물인 화합물 막을 형성하는 단계;b) 상기 화합물 막 상 제1금속 막을 형성한 후 열처리하여 화합물 막 상 서로 이격되어 위치하는 제1금속 나노 섬(nano island)를 제조하는 단계;c) 상기 제1금속 나노 섬을 에칭 마스크로, 상기 화합물 막을 일정 깊이까지 등방 에칭하는 단계; 및d) 상기 제1금속 나노 섬을 증착 마스크로, 에칭된 화합물 막 상 제2금속을 증착하여 제2금속 막을 형성하는 단계; 를 포함하는 표면증강 라만산란 기판의 제조방법
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제 24항에 있어서,상기 b) 단계는,b1) 제1금속 막을 형성하는 단계 및 b2) 열처리 단계를 단위 공정으로, 상기 단위 공정을 반복 수행함으로써, 제1금속 나노 섬의 밀도를 제어하는 표면증강 라만산란 기판의 제조방법
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제 24항에 있어서,상기 등방 에칭은 습식 에칭인 표면증강 라만산란 기판의 제조방법
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제 24항에 있어서,상기 c) 단계에서, 상기 등방 에칭 전, 또는 등방 에칭 후, 건식 에칭이 더 수행되는 표면증강 라만산란 기판의 제조방법
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제 24항에 있어서,상기 a) 단계 전,상기 기재 상 금속 막이거나, 상기 화합물 막과 상이한 금속 화합물 또는 반도체 화합물의 막인 하부막을 형성하는 단계(;)를 더 포함하며, 상기 c) 단계의 등방 에칭을 포함하는 에칭에 의해 상기 에칭 마스크로 보호되지 않은 영역에서 하부막이 표면으로 노출되는 표면증강 라만산란 기판의 제조방법
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제 24항에 있어서,상기 c) 단계의 등방 에칭을 포함하는 에칭에 의해, 에칭된 상기 화합물 막이 잔류하는 표면증강 라만산란 기판의 제조방법
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제 24항에 있어서,상기 d) 단계의 증착은 열 증착(Thermal evaporator) 또는 전자 빔 증착(E-beam evaporator)을 포함한 방향성 있는 증착인 표면증강 라만산란 기판의 제조방법
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제 24항에 있어서,상기 c) 단계의 에칭 깊이 및 상기 d) 단계의 증착 두께 중 적어도 하나의 인자를 제어하여, 나노 갭 크기가 조절되는 표면증강 라만산란 기판의 제조방법
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제 24항에 있어서,상기 b) 단계에서, 패턴화된 제1금속 막을 형성하는 표면증강 라만산란 기판의 제조방법
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제 24항에 있어서,상기 b) 단계에서, 제1금속 막의 두께는 1 내지 50nm인 표면증강 라만산란 기판의 제조방법
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제 24항에 있어서,서,상기 c) 단계 후 d) 단계 전, 또는 d) 단계 후, 등방 에칭에 의해 수득되는 하부막과 지지부재의 표면에 검출대상물과 특이적으로 결합하는 수용체를 형성하는 단계를 더 포함하는 표면증강 라만산란 기판의 제조방법
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제 24항에 있어서,상기 b) 단계의 열처리는 급속열처리공정(RTP; rapid thermal process)에 의해 수행되는 표면증강 라만산란 기판의 제조방법
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