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서로 이격 배치되어 간격을 형성하고 있으며, 팔라듐, 백금, 금, 은, 구리, 루테늄, 로듐, 이리듐, 레늄 및 오스뮴으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 촉매 금속을 포함하는 한 쌍의 도전성 로드 및 상기 한 쌍의 도전성 로드에 각각 전압을 인가하는 전원부를 포함하는 방전부; 및상기 도전성 로드에서 발생된 촉매 금속 나노 입자에 수용성 염을 분사하여 상기 수용성 염에 촉매 금속 나노 입자를 부착시키는 분무부를 포함하고,다각형 형태의 나노 패턴을 형성하는 나노 패턴 형성 장치
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제 1 항에 있어서, 수용성 염은 질산나트륨(NaNO3), 질산칼륨(KNO3), 질산암모늄(NH4NO3), 질산마그네슘(Mg(NO3)2), 질산바륨(Ba(NO3)2), 질산칼슘(Ca(NO3)2), 질산납(Pb(NO3)2), 질산은(AgNO3), 염화나트륨(NaCl), 염화칼륨(KCl), 염화암모늄(NH4Cl), 염화마그네슘(MgCl2), 염화바륨(BaCl2), 염화칼슘(CaCl2), 황화나트륨(Na2S), 황화칼륨(K2S), 황화암모늄((NH4)2S), 황화마그네슘(MgS), 황화바륨(BaS), 황화칼슘(CaS), 황산나트륨(Na2SO4), 황산칼륨(K2SO4), 황산암모늄((NH4)2SO4), 황산마그네슘(MgSO4), 탄산나트륨(Na2CO3), 탄산칼륨(K2CO3) 및 탄산암모늄((NH4)2CO3)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 나노 패턴 형성 장치
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제 1 항에 있어서, 촉매 금속 나노 입자가 부착된 수용성 염이 부착되는 부착부를 추가로 포함하는 나노 패턴 형성 장치
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제 3 항에 있어서, 촉매 금속 나노 입자가 부착된 수용성 염은 기판 상에 부착되며, 상기 기판은, 실리콘, 유리, 금속, 아크릴 수지, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리이미드(PI), 폴리아미드(PA), 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE), 폴리우레탄(PU), 폴리아릴레이트(PA), 폴리에테르설폰(PES), 플루오렌 폴리에스터(FPE), 사이클로 올레핀 수지, 에폭시 수지 및 에스테르 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 나노 패턴 형성 장치
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제 3 항에 있어서, 수용성 염이 부착된 기판을 건조하고 상기 수용성 염을 제거하여 상기 기판 상에 촉매 금속 나노 입자의 패턴을 형성하는 패턴 형성부를 추가로 포함하는 나노 패턴 형성 장치
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제 5 항에 있어서, 촉매 금속 나노 입자의 패턴의 단면은 삼각형, 사각형, 오각형 및 육각형으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 다각형인 나노 패턴 형성 장치
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제 5 항에 있어서, 타겟 금속을 포함하는 용액이 저장되어 있고, 상기 용액에 촉매 금속 나노 입자의 패턴이 형성된 기판이 함침되도록 마련된 반응조를 추가로 포함하는 나노 패턴 형성 장치
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제 7 항에 있어서, 타겟 금속은, 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 구리(Cu), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 철(Fe), 코발트(Co), 스칸듐(Sc), 이트륨(Y), 하프늄(Hf), 러더포듐(Rf), 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 탄탈(Ta), 더브늄(Db), 바나듐(V), 니오브(Nb), 텅스텐(W), 시보르기움(Sg), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 레늄(Re), 보륨(Bh), 망간(Mn), 테크네튬(Tc), 오스뮴(Os), 하슘(Hs), 철(Fe), 루테늄(Ru), 이리듐(Ir), 마이트너륨(Mt), 로듐(Rh), 다름슈타튬(Ds), 팔라듐(Pd), 뢴트게늄(Rg), 수은(Hg), 코페르니슘(Cn), 아연(Zn) 및 카드뮴(Cd)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 나노 패턴 형성 장치
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9
서로 이격 배치되어 간격을 형성하고 있으며, 팔라듐, 백금, 금, 은, 구리, 루테늄, 로듐, 이리듐, 레늄 및 오스뮴으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 촉매 금속을 포함하는 한 쌍의 도전성 로드에 각각 전압을 인가하여 상기 한 쌍의 도전성 로드로부터 촉매 금속 나노 입자를 발생시키는 단계; 및상기 발생된 촉매 금속 나노 입자에 수용성 염을 포함하는 용액을 분사하여 상기 수용성 염에 촉매 금속 나노 입자를 부착시키는 부착 단계를 포함하고,다각형 형태의 나노 패턴을 형성하는 나노 패턴의 형성 방법
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제 9 항에 있어서, 수용성 염은 질산나트륨(NaNO3), 질산칼륨(KNO3), 질산암모늄(NH4NO3), 질산마그네슘(MG(NO3)2), 질산바륨(Ba(NO3)2), 질산칼슘(Ca(NO3)2), 질산납(Pb(NO3)2), 질산은(AgNO3), 염화나트륨(NaCl), 염화칼륨(KCl), 염화암모늄(NH4Cl), 염화마그네슘(MgCl2), 염화바륨(BaCl2), 염화칼슘(CaCl2), 황화나트륨(Na2S), 황화칼륨(K2S), 황화암모늄((NH4)2S), 황화마그네슘(MgS), 황화바륨(BaS), 황화칼슘(CaS), 황산나트륨(Na2SO4), 황산칼륨(K2SO4), 황산암모늄((NH4)2SO4), 황산마그네슘(MgSO4), 탄산나트륨(Na2CO3), 탄산칼륨(K2CO3) 및 탄산암모늄((NH4)2CO3)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 나노 패턴의 형성 방법
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11
제 9 항에 있어서, 촉매 금속 나노 입자가 부착된 수용성 염을 기판 상에 부착하는 단계를 추가로 포함하는 나노 패턴의 형성 방법
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제 11 항에 있어서, 기판은, 실리콘, 유리, 금속, 아크릴 수지, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리이미드(PI), 폴리아미드(PA), 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE), 폴리우레탄(PU), 폴리아릴레이트(PA), 폴리에테르설폰(PES), 플루오렌 폴리에스터(FPE), 사이클로 올레핀 수지, 에폭시 수지 및 에스테르 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함하는 나노 패턴의 형성 방법
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13
제 11 항에 있어서, 수용성 염이 부착된 기판을 건조하고 상기 수용성 염을 제거하여 상기 기판 상에 촉매 금속 나노 입자의 패턴을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 나노 패턴의 형성 방법
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14
제 13 항에 있어서, 촉매 금속 나노 입자의 패턴의 단면은 삼각형, 사각형, 오각형 및 육각형으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 다각형인 나노 패턴의 형성 방법
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15
제 13 항에 있어서, 촉매 금속 나노 입자의 패턴이 형성된 기판 상에 타겟 금속을 반응시키는 단계를 추가로 포함하고, 상기 반응시키는 단계는 상기 촉매 금속 나노 입자를 촉매 금속으로 하는 무전해 도금법에 의해 수행되는 나노 패턴의 형성 방법
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제 15 항에 있어서, 타겟 금속은, 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 구리(Cu), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 철(Fe), 코발트(Co), 스칸듐(Sc), 이트륨(Y), 하프늄(Hf), 러더포듐(Rf), 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 탄탈(Ta), 더브늄(Db), 바나듐(V), 니오브(Nb), 텅스텐(W), 시보르기움(Sg), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 레늄(Re), 보륨(Bh), 망간(Mn), 테크네튬(Tc), 오스뮴(Os), 하슘(Hs), 철(Fe), 루테늄(Ru), 이리듐(Ir), 마이트너륨(Mt), 로듐(Rh), 다름스타튬(Ds), 팔라듐(Pd), 뢴트게늄(Rg), 수은(Hg), 코페르니슘(Cn), 아연(Zn) 및 카드뮴(Cd)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 나노 패턴의 형성 방법
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