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시트형 질화규소 기판의 제조방법(Manufacturing method of sheet-type silicon nitride subststrate)

  • 기술번호 : KST2017018346
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, Si 분말, Y2O3 분말 및 MgO 분말을 포함하는 세라믹스 원료를 준비하는 단계와, 상기 세라믹스 원료, 용매, 유기바인더, 분산제 및 가소제를 혼합하여 슬러리를 형성하는 단계와, 상기 슬러리를 사용하여 테이프캐스팅법으로 성형하여 시트 형태의 성형체를 형성하는 단계와, 상기 성형체를 복수 개의 층으로 적층하고 압착하여 적층시트를 형성하는 단계와, 잔류 산소와 탄소의 양을 최소화하기 위하여 산화 분위기에서 상기 적층시트를 탈지 처리하는 단계와, 탈지 처리된 적층시트를 질화 처리하는 단계 및 질화 처리된 적층시트를 소결하는 단계를 포함하는 시트형 질화규소 기판의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 테이프캐스팅을 이용하여 저비용으로 얇은 두께의 시트 형태로 제조할 수 있고, 산화 분위기에서 탈지 처리하고 N2 분위기에서 질화 처리함으로써 잔류 산소와 탄소의 양을 최소화할 수 있고, 이에 따라 질화규소 소결체의 기계적 특성, 특히 파괴인성 및 고온특성을 개선할 수 있고, 열전도도 특성도 개선할 수 있으며, 반응소결을 통해 고품위의 질화규소(Si3N4) 소결체를 얻을 수 있고, 반응소결에 의해 질화 반응 후에도 수축률이 작아 정교한 형상 제조가 가능할 수 있다.
Int. CL C04B 35/622 (2016.06.30) C04B 35/515 (2016.06.30) C04B 37/00 (2016.06.30) C04B 41/00 (2016.06.30) C04B 35/64 (2016.06.30) C04B 35/632 (2016.06.30) B32B 18/00 (2016.06.30)
CPC C04B 35/62218(2013.01) C04B 35/62218(2013.01) C04B 35/62218(2013.01) C04B 35/62218(2013.01) C04B 35/62218(2013.01) C04B 35/62218(2013.01) C04B 35/62218(2013.01) C04B 35/62218(2013.01) C04B 35/62218(2013.01) C04B 35/62218(2013.01) C04B 35/62218(2013.01)
출원번호/일자 1020160066499 (2016.05.30)
출원인 한국세라믹기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0135105 (2017.12.08) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.05.30)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한윤수 대한민국 경기도 수원시 팔달구
2 류성수 대한민국 경기도 용인시 기흥구
3 이성민 대한민국 서울특별시 강동구
4 박지숙 대한민국 인천광역시 연수구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 고길수 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 **, *층 (서초동)(정석국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2016-0518350-70
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.02.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.04.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0055897-09
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.04.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0263339-44
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2017-0554085-43
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.07.13 수리 (Accepted) 1-1-2017-0669271-03
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.08.11 수리 (Accepted) 1-1-2017-0775273-03
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2017-0887468-47
9 지정기간연장 관련 안내서
Notification for Extension of Designated Period
2017.09.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0130965-77
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.10.12 수리 (Accepted) 1-1-2017-0999785-54
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.10.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0999649-53
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.12.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0905652-12
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번호 청구항
1 1
Si 분말, Y2O3 분말 및 MgO 분말을 포함하는 세라믹스 원료를 준비하는 단계;상기 세라믹스 원료, 용매, 유기바인더, 분산제 및 가소제를 혼합하여 슬러리를 형성하는 단계;상기 슬러리를 사용하여 테이프캐스팅법으로 성형하여 시트 형태의 성형체를 형성하는 단계;상기 성형체를 복수 개의 층으로 적층하고 압착하여 적층시트를 형성하는 단계;잔류 산소와 탄소의 양을 최소화하기 위하여 산화 분위기에서 상기 적층시트를 탈지 처리하는 단계;탈지 처리된 적층시트를 질화 처리하는 단계; 및질화 처리된 적층시트를 소결하는 단계를 포함하는 시트형 질화규소 기판의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 Y2O3 분말은 상기 세라믹스 원료에 상기 Si 분말 100중량부에 대하여 0
3 3
제1항에 있어서, 상기 유기바인더는 상기 세라믹스 원료 100중량부에 대하여 5
4 4
제3항에 있어서, 상기 유기바인더는 폴리비닐부티랄(Polyvinylbutyral)을 포함하는 것을 특징으로 하는 시트형 질화규소 기판의 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 분산제는 상기 세라믹스 원료 100중량부에 대하여 0
6 6
제1항에 있어서, 상기 가소제는 상기 세라믹스 원료 100중량부에 대하여 0
7 7
제1항에 있어서, 상기 탈지 처리는 잔류 산소와 탄소의 양을 최소화하기 위하여 300∼500℃에서 수행하는 것을 특징으로 하는 시트형 질화규소 기판의 제조방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 질화 처리는 1350∼1500℃에서 N2 분위기에서 수행하는 것을 특징으로 하는 시트형 질화규소 기판의 제조방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 소결은 질화 처리된 결과물이 Si와 N2로 분해되는 것을 억제하기 위하여 상압보다 높은 압력에서 N2 분위기에서 수행하는 반응소결을 포함하는 것을 특징으로 하는 시트형 질화규소 기판의 제조방법
10 10
제9항에 있어서, 상기 소결은 1800∼1950℃의 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 시트형 질화규소 기판의 제조방법
11 11
제1항에 있어서, 상기 Si 분말은 Si의 스크랩(scrap)을 사용하거나 Si 웨이퍼가 파쇄된 분말을 사용하고, 상기 Si 분말은 0
12 12
제1항에 있어서, 상기 시트 형태의 성형체는 10∼200㎛의 두께로 형성하고,상기 적층시트는 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 (주)월덱스 산업핵심기술개발사업 고효율 조명용 파워디바이스 금속접합 고열전도성 반응소결 질화규소 방열기판 개발