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제1 면 및 상기 제1 면에 대향하는 제2 면을 갖는 실리콘 기판을 준비하는 단계;상기 제1 면 내에 제1 도전형의 반도체층을 형성하는 단계;상기 제2 면 내에 제2 도전형의 반도체층을 형성하는 단계;상기 제1 도전형의 반도체층 상에 비정질 실리콘을 포함하는 보호막(passivation film)을 형성하는 단계;상기 보호막 상에 상부 전극을 형성하는 단계; 및상기 보호막 및 상기 상부 전극을 열처리하는 단계를 포함하되,상기 보호막 및 상기 상부 전극을 열처리하는 단계는,상기 보호막에 포함된 비정질 실리콘이 산화되어 상기 제1 도전형의 반도체층 및 상기 보호막 사이에 보호막 확산층이 생성되는 것을 포함하는 태양전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 보호막 및 상기 상부 전극을 열처리하는 온도는, 상기 보호막에 포함된 비정질 실리콘이 결정질 실리콘으로 변환되는 온도보다 낮은 온도인 것을 포함하는 태양전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 보호막 및 상기 상부 전극을 열처리하는 단계는,상기 상부 전극에 포함된 금속이 상기 보호막 확산층으로 확산되고 산화되어, 상기 보호막 확산층 및 상기 상부 전극 사이에 전극 확산층을 생성하는 단계를 더 포함하는 태양전지의 제조 방법
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제3항에 있어서,상기 보호막 확산층은 비정질 실리콘 산화물을 포함하고,상기 전극 확산층은, 상기 상부 전극에 포함된 금속, 산소, 및 실리콘의 화합물을 포함하는 태양전지의 제조 방법
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제3항에 있어서,상기 보호막 및 상기 상부 전극을 열처리하는 단계는, 상기 제1 도전형의 반도체층 및 상기 보호막 사이에 보호막 확산층을 생성하는 것을 포함하되,상기 보호막 및 상기 상부 전극을 열처리하는 온도는, 상기 보호막 확산층이 비정질 실리콘 산화물을 포함하도록 제어되는 것을 포함하는 태양전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 상부 전극은, 상기 보호막이 형성된 직후(directly after) 형성되는 것을 포함하는 태양전지의 제조 방법
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제1 도전형의 반도체층 및 제2 도전형의 반도체층을 포함하는 실리콘 기판;상기 실리콘 기판의 상기 제1 도전형의 반도체층 상에 배치되고 비정질 실리콘 산화물을 포함하는 보호막 확산층;상기 보호막 확산층 상에 배치되고, 금속, 실리콘, 및 산소를 포함하는 전극 확산층; 및상기 전극 확산층 상의 상부 전극을 포함하는 태양전지
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제7항에 있어서,상기 보호막 확산층은, 상기 전극 확산층 및 상기 상부 전극이 배치되는 제1 영역, 및 제2 영역을 포함하고,상기 보호막 확산층의 상기 제2 영역에 배치되고, 비정질 실리콘을 포함하는 보호막을 더 포함하는 태양전지
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제7항에 있어서,상기 전극 확산층에 포함된 금속 원소와, 상기 상부 전극에 포함된 금속 원소는 동일한 것을 포함하는 태양전지
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제7항에 있어서,상대적으로 상기 상부 전극에 인접한 제1 부분 내의 실리콘 농도는, 상대적으로 제1 도전형의 반도체층에 인접한 제2 부분 내의 실리콘 농도보다 낮고,상기 제1 부분 내의 금속 원소의 농도는, 상기 제2 부분 내의 금속 원소의 농도보다 높은 것을 포함하는 태양전지
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제7항에 있어서,상기 전극 확산층 내의 제3 부분의 산소의 농도는, 상기 상부 전극 내의 제4 부분, 및 상기 제1 도전형 반도체층 내의 제5 부분의 산소의 농도보다 높은 것을 포함하는 태양전지
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제7항에 있어서,상기 전극 확산층은, 상기 상부 전극에 인접한 상부면, 및 상기 보호막 확산층에 인접한 하부면을 포함하고, 상대적으로 상기 전극 확산층의 상기 상부면에 인접한 제6 부분의 금속 원소의 농도는, 상기 하부면에 인접한 제7 부분의 금속 원소의 농도보다 높은 것을 포함하는 태양전지
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제7항에 있어서,상기 상부 전극은 알루미늄을 포함하는 태양전지
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