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전원 공급부, 플라즈마 생성부, 가스 공급로 및 하우징을 구비하고,상기 플라즈마 생성부는 전극, 메탈 전극, 유전체 및 반응부를 구비하며,상기 전원 공급부와 플라즈마 생성부는 종축 방향으로 연결되며,상기 가스 공급로는 상기 전극의 양측에 배치되며,상기 플라즈마 생성부로부터 발생되는 플라즈마의 접촉 대상은 생체인, 비열 플라즈마 발생 장치
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제 1항에 있어서,상기 반응부는 상기 전극에 대하여 가스가 360°방향으로 분사될 수 있도록 회전 가능한, 비열 플라즈마 발생 장치
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제 2항에 있어서,상기 회전은 반응부와 전극이 함께 회전하거나, 또는 반응부만 회전하는, 비열 플라즈마 발생 장치
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제 1항에 있어서, 상기 가스 공급로의 단부는 플라즈마 생성부의 양측에 구비되는, 비열 플라즈마 발생 장치
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제 4항에 있어서,상기 가스 공급로의 양측 단부는 분사되는 가스의 와류 형성을 위해서 서로 마주보는 상태와 서로 일직선인 상태 사이의 어느 각도로 가스가 분사되도록 구비되는, 비열 플라즈마 발생 장치
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제 5항에 있어서,상기 각도는 30 내지 60도인, 비열 플라즈마 발생 장치
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제 4항에 있어서, 상기 가스 공급로의 단부는 플라즈마 발생 방향과 90도 이내의 각도를 형성하는, 비열 플라즈마 발생 장치
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제 1항에 있어서, 상기 가스 공급로에서 공급되는 가스는 청정건조공기(Clean dry air, CDA), 공기(Air), 아르곤(Argon), 네온(Neon), 헬륨(Helium) 또는 혼합가스(Mixture gas)인, 비열 플라즈마 발생 장치
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제 1항에 있어서,상기 메탈 전극의 형성 면적은 20 내지 80mm2인, 비열 플라즈마 발생 장치
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제 1항에 있어서,상기 유전체는 알루미나(Al2O3), 산화 지르코니아ZrO2), 질화 규소(Si3N4), 이산화 규소(SiO2), 질화붕소(BN), 이트리아(Y2O3), 알루미늄 질화물(AlN), 탄화 규소(SiC), 실리콘 카본 옥사이드 및 세라믹 증착 하이브리드 폴리머 필름으로 구성된 그룹으로부터 선택된 어느 하나 이상인, 비열 플라즈마 발생 장치
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제 10항에 있어서,상기 세라믹 증착 하이브리드 폴리머 필름은 폴리머의 일면 또는 양면에 산화물을 적층하고, 추가로 세라믹을 증착한 것인, 비열 플라즈마 발생 장치
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제 11항에 있어서,상기 폴리머는 폴리에스테르 필름(PET) 또는 폴리이미드 필름(PI)인, 비열 플라즈마 발생 장치
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제 1항 내지 12항 중 어느 하나 이상에 의한 비열 플라즈마 발생 장치를 목적하는 대상의 표면에 접촉시켜서 플라즈마 처리하는, 목적하는 대상의 성질을 개질하는 방법
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제 13항에 있어서,상기 플라즈마 처리의 필요 전원은 30 내지 99 kHz의 저주파로 조절하는, 목적하는 대상의 성질을 개질하는 방법
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제 13항에 있어서,상기 플라즈마 처리의 소비전력은 1 내지 15 W로 조절하는, 목적하는 대상의 성질을 개질하는 방법
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제 13항에 있어서, 상기 플라즈마 처리의 접지 전류는 0
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제 13항에 있어서, 상기 플라즈마 처리의 전류량은 0
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