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Au 나노입자를 이용한 다공성 GaN의 제조방법에 있어서,상기 다공성 GaN의 제조방법은,GaN층 상에 일정두께의 Au를증착하여 Au 증착된 GaN층을 형성하는 단계; 및상기 Au 증착된 GaN층에 대하여 열처리 공정을 수행하여 표면에 나노홀을 형성하는 단계; 를 포함하고,상기 Au의 증착두께, 상기 열처리 공정에서의 열처리 온도 및 열처리 시간 중 어느 하나 이상을 변화시켜서 상기 나노홀의 형상, 크기 및 밀도 중 어느 하나 이상을 제어하는 것을 특징으로 하되,상기 Au의 증착두께를 3nm로 하고, 상기 열처리 온도 900℃에서 상기 열처리 시간 450s 동안 열처리 과정을 수행하여 생성된 상기 나노홀은 지름 69
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Au 나노입자를 이용한 다공성 GaN의 제조방법에 있어서,상기 다공성 GaN의 제조방법은,GaN층 상에 일정두께의 Au를 증착하여 Au 증착된 GaN층을 형성하는 단계; 및상기 Au 증착된 GaN층에 대하여 열처리 공정을 수행하여 표면에 나노홀을 형성하는 단계; 를 포함하고,상기 Au의 증착두께, 상기 열처리 공정에서의 열처리 온도 및 열처리 시간 중 어느 하나 이상을 변화시켜서 상기 나노홀의 형상, 크기 및 밀도 중 어느 하나 이상을 제어하는 것을 특징으로 하되,상기 열처리 온도 900℃ 및 상기 열처리 시간을 450초로 설정한 상태에서 상기 Au의 증착두께를 2nm에서 25nm로 증가시킬 때, 상기 나노홀의 지름은 35±10%에서 835±10% nm로 증가되는 특징을 이용하여 제어하는 것을 특징으로 하는 Au 나노 입자를 이용한 다공성 GaN의 제조방법
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Au 나노입자를 이용한 다공성 GaN의 제조방법에 있어서,상기 다공성 GaN의 제조방법은,GaN층 상에 일정두께의 Au를 증착하여 Au 증착된 GaN층을 형성하는 단계; 및상기 Au 증착된 GaN층에 대하여 열처리 공정을 수행하여 표면에 나노홀을 형성하는 단계; 를 포함하고,상기 Au의 증착두께, 상기 열처리 공정에서의 열처리 온도 및 열처리 시간 중 어느 하나 이상을 변화시켜서 상기 나노홀의 형상, 크기 및 밀도 중 어느 하나 이상을 제어하는 것을 특징으로 하되,상기 열처리 온도 900℃ 및 상기 열처리 시간을 450초로 설정한 상태에서 상기 Au의 증착두께를 2nm에서 25nm로 증가시킬 때, 상기 나노홀의 밀도가 (8
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Au 나노입자를 이용한 다공성 GaN의 제조방법에 있어서,상기 다공성 GaN의 제조방법은,GaN층 상에 일정두께의 Au를 증착하여 Au 증착된 GaN층을 형성하는 단계; 및상기 Au 증착된 GaN층에 대하여 열처리 공정을 수행하여 표면에 나노홀을 형성하는 단계; 를 포함하고,상기 Au의 증착두께, 상기 열처리 공정에서의 열처리 온도 및 열처리 시간 중 어느 하나 이상을 변화시켜서 상기 나노홀의 형상, 크기 및 밀도 중 어느 하나 이상을 제어하고, 상기 Au의 증착두께를 2 ~ 50nm 범위에서 제어하는 것을 특징으로 하되,상기 열처리 온도 900℃ 및 상기 열처리 시간을 450초로 설정한 상태에서 상기 Au의 증착두께가 3 ~ 7nm에서는 상기 나노홀이 규칙적인 육각형 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 Au 나노 입자를 이용한 다공성 GaN의 제조방법
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Au 나노입자를 이용한 다공성 GaN의 제조방법에 있어서,상기 다공성 GaN의 제조방법은,GaN층 상에 일정두께의 Au를 증착하여 Au 증착된 GaN층을 형성하는 단계; 및상기 Au 증착된 GaN층에 대하여 열처리 공정을 수행하여 표면에 나노홀을 형성하는 단계; 를 포함하고,상기 Au의 증착두께, 상기 열처리 공정에서의 열처리 온도 및 열처리 시간 중 어느 하나 이상을 변화시켜서 상기 나노홀의 형상, 크기 및 밀도 중 어느 하나 이상을 제어하고, 상기 Au의 증착두께를 2 ~ 50nm 범위에서 제어하는 것을 특징으로 하되,상기 열처리 온도 900℃ 및 상기 열처리 시간을 450초로 설정한 상태에서 상기 Au의 증착두께가 10nm 이상에서는 상기 나노홀이 원형 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 Au 나노 입자를 이용한 다공성 GaN의 제조방법
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Au 나노입자를 이용한 다공성 GaN의 제조방법에 있어서,상기 다공성 GaN의 제조방법은,GaN층 상에 일정두께의 Au를 증착하여 Au 증착된 GaN층을 형성하는 단계; 및상기 Au 증착된 GaN층에 대하여 열처리 공정을 수행하여 표면에 나노홀을 형성하는 단계; 를 포함하고,상기 Au의 증착두께, 상기 열처리 공정에서의 열처리 온도 및 열처리 시간 중 어느 하나 이상을 변화시켜서 상기 나노홀의 형상, 크기 및 밀도 중 어느 하나 이상을 제어하는 것을 특징으로 하되,상기 Au의 증착두께가 10nm이며, 상기 열처리 시간을 3600초로 설정한 상태에서, 상기 열처리 온도를 900℃로 열처리 한 경우에 상기 나노홀은 지름 361±10%nm로 형성되는 것을 특징으로 하는 Au 나노 입자를 이용한 다공성 GaN의 제조방법
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Au 나노입자를 이용한 다공성 GaN의 제조방법에 있어서,상기 다공성 GaN의 제조방법은,GaN층 상에 일정두께의 Au를 증착하여 Au 증착된 GaN층을 형성하는 단계; 및상기 Au 증착된 GaN층에 대하여 열처리 공정을 수행하여 표면에 나노홀을 형성하는 단계; 를 포함하고,상기 Au의 증착두께, 상기 열처리 공정에서의 열처리 온도 및 열처리 시간 중 어느 하나 이상을 변화시켜서 상기 나노홀의 형상, 크기 및 밀도 중 어느 하나 이상을 제어하는 것을 특징으로 하되,상기 Au의 증착두께가 10nm이며, 상기 열처리 시간을 3600초로 설정한 상태에서, 상기 열처리 온도를 950℃로 열처리 한 경우에 상기 나노홀은 지름 487±10%nm로 형성되는 것을 특징으로 하는 Au 나노 입자를 이용한 다공성 GaN의 제조방법
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