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기판;상기 기판 상에 위치한 게이트 전극;상기 게이트 전극을 포함하는 기판 전면에 걸쳐 위치한 게이트 절연막;상기 게이트 절연막 상의 전면에 위치하는 유기반도체층; 및상기 유기반도체층 상에 서로 이격되어 위치하는 소스 및 드레인 전극을 포함하되,상기 유기반도체층은 플루오린이 치환된 고분자를 이용하는 것을 특징으로 하는 암모니아 가스 감지용 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 플루오린이 치환된 고분자는 고분자에 포함된 수소(H) 원소가 플루오린 원소로 치환된 것으로,폴리 티오펜, 폴리셀레노펜, 폴리 파라페닐렌, 폴리플루오렌, 폴리디켑토파일릴로 파일린, 폴리나프탈렌다이이미드, 폴리아이소인디고 중 1이상이 포함되거나 또는 셀레노펜 (selenophene)의 작용기, 파라페닐렌의 작용기, 플루오렌의 작용기, 디켑토파일리로 파일린 (diketopyrrolopyrrole)의 작용기, 나프탈렌다이이미드 (naphthalene diimide)의 작용기, 아이소인디고 (isoindigo)의 작용기를 공중합한 고분자 중 1 이상 포함된 것을 특징으로 하는 암모니아 가스 감지용 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 플루오린이 치환된 고분자는 플루오린이 치환된 PDFDT(difluorobenzothiadiazole-dithienosilole copolymer) 인 것을 특징으로 하는 암모니아 가스 감지용 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 유기반도체층의 두께는 3~10nm 인 것을 특징으로 하는 암모니아 가스 감지용 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 게이트 절연막은 유기절연막 또는 무기절연막으로 이루어지되,상기 유기절연막은 폴리메타아크릴레이트 (PMMA, polymethylmethacrylate), 폴리스타이렌(PS, polystyrene), 페놀계 고분자, 아크릴계 고분자, 폴리이미드와 같은 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계 고분자, p-자이리렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자, 파릴렌(parylene) 중에서 선택되는 어느 하나 또는 다수개를 사용하며,상기 무기절연막은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, Al2O3, Ta2O5, BST(barium strontium titanate), PZT(lead zirconate titanate) 중에서 선택되는 어느 하나 또는 다수개를 사용하는 것을 특징으로 하는 암모니아 가스 감지용 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 게이트 전극은 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(Al-alloy), 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 합금(Mo-alloy), 실버나노와이어(silver nanowire), 갈륨인듐유태틱(gallium indium eutectic), PEDOT:PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(-styrene sulfonic acid) 중에서 선택되는 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 암모니아 가스 감지용 트랜지스터
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제1항 내지 제6항 중 어느 한항에 따른 트랜지스터를 이용한 암모니아 가스센서
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