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기판;상기 기판 상에 형성되고, 이격 배치된 소스-드레인 전극들;상기 전극들 사이에 형성된 W(Ⅵ) 산화물 박막 및 촉매층을 순차적으로 포함하는 감지막을 포함하고,상기 W(Ⅵ) 산화물 박막은 이중이온빔 스퍼터링 방법에 의해 증착된 것인질소계 가스 감지 센서
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제1항에 있어서,상기 감지막은 W(Ⅴ) 산화물 박막이 배제된 질소계 가스 감지 센서
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제1항에 있어서,상기 W(Ⅵ) 산화물 박막의 두께는 10nm 내지 200nm인 질소계 가스 감지 센서
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제1항에 있어서, 상기 촉매는 금 또는 백금이고, 상기 촉매층의 두께는 1nm 내지 10nm인 질소계 가스 감지 센서
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제1항에 있어서,상기 촉매가 금인 경우, 상기 질소계 가스 감지 센서는 일산화질소 및 이산화질소로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 산화성 가스에 대해 저항값이 증가하고, 암모니아, 트리메틸아민 및 트리에틸아민으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 환원성 가스에 대해 저항값이 감소하는 질소계 가스 감지 센서
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제1항에 있어서,상기 촉매가 금인 경우, 상기 질소계 가스 감지 센서의 공기 중에서 10ppm 농도의 트리에틸아민에 대한 하기 수학식 1에 따른 최대 감도(maximum sensitivity)가 500%이상인 질소계 가스 감지 센서:[수학식 1],상기 수학식 1에서 Rmax는 질소계 가스 감지 후 최대 저항값이고, R0는 질소계 가스 감지 전 저항값이다
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제1항에 있어서,상기 촉매가 백금인 경우, 상기 질소계 가스 감지 센서는 일산화질소, 이산화질소, 암모니아, 트리메틸아민 및 트리에틸아민으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 가스에 대해 저항값이 감소하는 질소계 가스 감지 센서
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제1항에 있어서,상기 촉매가 백금인 경우, 상기 질소계 가스 감지 센서의 공기 중에서 10ppm 농도의 이산화질소에 대한 하기 최대 감도(maximum sensitivity)가 100%이상인 질소계 가스 감지 센서:[수학식 1],상기 수학식 1에서 Rmax는 질소계 가스 감지 후 최대 저항값이고, R0는 질소계 가스 감지 전 저항값이다
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제1항에 있어서,상기 기판 및 상기 전극들 사이에 실리콘 산화물을 포함하는 절연층이 추가로 형성된 질소계 가스 감지 센서
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기판 상에 이격 배치된 소스-드레인 전극들을 형성하는 단계;상기 전극들 사이에 이중이온빔 스퍼터링 방법에 의해 W(Ⅵ) 산화물 박막을 증착시키는 단계; 및상기 W(Ⅵ) 산화물 박막 상에 촉매층을 증착시켜 감지막을 형성하는 단계를 포함하는 질소계 가스 감지 센서의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 이중이온빔 스퍼터링 방법은 텅스텐 타겟을 스퍼터링하기 위한 주이온빔 및 산소 이온을 스퍼터링하기 위한 보조이온빔을 통해 수행되는 질소계 가스 감지 센서의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 주이온빔에서 제1 전력이 90W인 경우, 제1 양극 그리드의 전압은 40~60V 및 제2 음극 그리드의 전압은 40~60V이고; 상기 보조이온빔에서 제2 전력이 120W인 경우, 제2 양극 그리드의 전압은 800~1200V 및 제2 음극 그리드의 전압은 100~500V인 질소계 가스 감지 센서의 제조방법
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전원을 공급하기 위한 전원부;상기 전원부에서 공급된 전원으로부터 센싱부의 동작을 구동시키기 위한 구동부;제1항 내지 제9항 중 어느한 항에 따른 질소계 가스 감지 센서를 포함하는 센싱부; 상기 센싱부에서 검출된 전류의 크기로부터 계산된 저항값으로부터 하기 수학식 2에 따른 감도(sensitivity)를 계산하고, 기준 감도와 비교함으로써 질소계 가스 감지 여부를 판단하기 위한 판단부; 및 상기 판단부에서 판단된 결과를 표시하기 위한 표시부를 포함하는질소계 가스 감지 시스템:[수학식 2],상기 수학식 2에서 R은 현재 저항값이고, R0는 질소계 가스 감지 전 저항값이다
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