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산화 그라핀과 산화철의 적층구조를 저항층으로 사용한 비휘발성 메모리 소자(ReRAM Using Stacking Structure of Iron Oxide Graphene Oxide)

  • 기술번호 : KST2017018794
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 비휘발성 메모리 소자는 반도체 기판 상에 마련되는 하부 전극, 상기 하부 전극 상에 마련되는 저항층 및 상기 저항층 상에 마련되는 상부 전극을 포함하고, 상기 저항층은 산화 그라핀(Graphene Oxide) 박막과 산화철(Iron Oxide) 박막을 포함하고, 상기 산화 그라핀 박막 상에 상기 산화철 박막이 적층된 구조이며, 상기 상부 전극에 인가되는 전압에 따라 상기 저항층의 저항값이 변화되는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 45/00 (2016.07.15)
CPC H01L 45/1253(2013.01) H01L 45/1253(2013.01) H01L 45/1253(2013.01) H01L 45/1253(2013.01)
출원번호/일자 1020160074866 (2016.06.16)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0141889 (2017.12.27) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.06.16)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장재형 대한민국 광주광역시 북구
2 아눕 라니 인도 광주광역시 북구
3 오세이 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김기문 대한민국 서울시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동 현죽빌딩)(한미르특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.06.16 수리 (Accepted) 1-1-2016-0577894-12
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.05.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.07.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0106830-36
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.07.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0509528-70
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.09.19 수리 (Accepted) 1-1-2017-0912353-83
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.10.19 수리 (Accepted) 1-1-2017-1034118-33
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.10.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1034119-89
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0141497-56
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.03.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0289799-18
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.03.22 수리 (Accepted) 1-1-2018-0289798-73
11 등록결정서
Decision to grant
2018.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0363924-02
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번호 청구항
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반도체 기판 상에 마련되는 하부 전극;상기 하부 전극 상에 마련되는 저항층; 및 상기 저항층 상에 마련되는 상부 전극을 포함하고, 상기 저항층은 산화 그라핀(Graphene Oxide)과 산화철(Iron Oxide)로 이루어진 하이브리드 박막층이며, 상기 하이브리드 박막층은 상기 산화 그라핀으로 이루어진 산화 그라핀 박막 상에 상기 산화철을 구성하는 나노입자가 산화철 박막의 형태로 임베디드된 구조로 형성되고,상기 상부 전극에 인가되는 전압에 따라 상기 저항층의 저항값이 변화되며,상기 상부 전극에 소정 크기의 음의 전압이 걸리면, 상기 산화철의 환원 작용에 의해 상기 산화철 박막은 도전성의 Fe3O4 이온이 우세한 상태가 되어 도전성 채널이 형성되어 저항값이 변화하고, 상기 상부 전극에 소정 크기의 양의 전압이 걸리면, 상기 산화철의 산화 작용에 의해 상기 산화철 박막은 비전도성의 γ-Fe2O3 이온이 우세한 상태가 되어 도전성 채널들이 단절되어 저항값이 변화하는 비휘발성 메모리 소자
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삭제
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제 1항에 있어서, 상기 산화 그라핀과 산화철의 하이브리드 박막층은 용액 공정을 통해 상기 하부 전극 상에 스핀 분사되어 형성되는 비휘발성 메모리 소자
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삭제
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비휘발성 저항변화 메모리 소자의 제조 방법은, 기판 상에 하부 전극을 형성하는 단계; 상기 하부 전극 상에 용액 공정을 통해 산화 그라핀과 산화철로 구성되는 하이브리드 박막층을 형성하는, 여기에서 상기 하이브리드 박막층은 상기 산화 그라핀으로 이루어진 산화 그라핀 박막 상에 상기 산화철을 구성하는 나노입자가 산화철 박막의 형태로 임베디드된 구조로 형성되는, 단계; 및 상기 하이브리드 박막층 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 상부 전극에 인가되는 전압에 따라 상기 하이브리드 박막층의 저항값이 변화되며,상기 상부 전극에 소정 크기의 음의 전압이 걸리면, 상기 산화철의 환원 작용에 의해 상기 산화철 박막은 도전성의 Fe3O4 이온이 우세한 상태가 되어 도전성 채널이 형성되어 저항값이 변화하고, 상기 상부 전극에 소정 크기의 양의 전압이 걸리면, 상기 산화철의 산화 작용에 의해 상기 산화철 박막은 비전도성의 γ-Fe2O3 이온이 우세한 상태가 되어 도전성 채널들이 단절되어 저항값이 변화하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
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제 6항에 있어서, 상기 용액 공정은 상기 산화 그라핀과 상기 산화철이 포함된 용액을 소정의 온도로 어닐링하는 과정을 포함하며, 상기 용액을 상기 하부 전극 상에 스핀 코팅하여 하이브리드 박막을 제조하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
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9 9
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1 미래창조과학부 광주과학기술원 도약연구지원사업(도전) 화합물 반도체 나노전자소자 및 테라헤르츠 변조기 응용연구