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게이트 전극부, 소스 전극부, 드레인 전극부, 절연층, 반도체층, 및 기판을 포함하고,상기 게이트 전극부, 상기 소스 전극부, 및 상기 드레인 전극부는, 각각 산화전극, 전해질층, 이온교환막, 및 환원전극을 포함하고,상기 전해질층은, 탄소나노튜브를 함유하는 하이드로젤 및 조류세포를 포함하는 것인, 미생물 유기 반도체
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제1항에 있어서,상기 게이트 전극부 및 상기 드레인 전극부는, 전극부의 산화전극이 상기 절연층 또는 상기 기판에 접촉하도록 배치되고, 상기 소스 전극부는, 전극부의 환원전극이 상기 기판에 접촉하도록 배치되는 것인, 미생물 유기 반도체
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제1항에 있어서,상기 산화전극은, 그래핀 전극이거나, 또는 그래핀 막을 포함하는 것인, 미생물 유기 반도체
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제1항에 있어서,상기 하이드로젤 중 탄소나노튜브의 함량은 0
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제1항에 있어서,상기 조류세포는, 남조류 또는 녹조류인, 미생물 유기 반도체
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제1항에 있어서,상기 조류세포는, 아나베나 (Anabeana), 노스톡 (Nostoc), 마이크로콜러스 (Microcolous), 스키조트릭스 (Schizothrix), 시네초코커스 (Synechococcus), 클로렐라 (chlorella), 장구말 (desmid), 파래(green laver) 및 해캄 (spirogyra)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나인, 미생물 유기 반도체
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제5항에 있어서,상기 조류세포가 녹조류인 경우, 상기 하이드로젤은 벤조퀴논을 더 포함하는 것인, 미생물 유기 반도체
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탄소나노튜브 및 조류세포를 포함하는 하이드로젤을 제조하는 단계; 및게이트 전극부, 소스 전극부 및 드레인 전극부를 제조하는 단계;를 포함하고,상기 게이트 전극부, 소스 전극부 및 드레인 전극부는 각각, 산화전극, 이온교환막, 환원전극, 및 상기 하이드로젤을 포함하는 것인, 미생물 유기 반도체 제조방법
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제8항에 있어서,상기 게이트 전극부 및 상기 드레인 전극부는, 전극부의 산화전극이 절연층 또는 기판에 접촉하도록 배치하고, 상기 소스 전극부는, 전극부의 환원전극이 기판에 접촉하도록 배치하는 단계를 더 포함하는, 미생물 유기 반도체 제조방법
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제8항에 있어서,상기 산화전극은, 그래핀 전극이거나, 또는 그래핀 막을 포함하는 것인, 미생물 유기 반도체 제조방법
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제8항에 있어서,상기 하이드로젤 중 탄소나노튜브의 함량은 0
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제8항에 있어서,상기 조류세포는, 아나베나 (Anabeana), 노스톡 (Nostoc), 마이크로콜러스 (Microcolous), 스키조트릭스 (Schizothrix), 시네초코커스 (Synechococcus), 클로렐라 (chlorella), 장구말 (desmid), 파래(green laver) 및 해캄 (spirogyra)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나인, 미생물 유기 반도체 제조방법
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