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제 1 도전형으로 도핑된 기판;상기 기판 상에 배치되는 에피층;상기 에피층 상에 제공된 일 방향으로 연장되는 게이트; 및상기 게이트 및 상기 에피층 사이에 제공되는 게이트 절연막을 포함하되,상기 에피층은:상기 기판 상에 배치되는 제 1 도전형의 드리프트층, 상기 드리프트층은 상기 기판 상에 배치되는 제 1 드리프트 영역 및 상기 제 1 드리프트 영역 상에 평면적으로 상기 게이트와 오버랩되도록 상기 일 방향으로 연장되는 바 형상을 갖는 제 2 드리프트 영역을 포함하고;상기 제 1 드리프트 영역 상에 배치되어 상기 제 2 드리프트 영역을 둘러싸는 제 2 도전형의 바디 영역; 및상기 제 2 드리프트 영역의 양측에 인접한 상기 바디 영역 내에 배치되고 상기 일 방향으로 연장되는 바 형상을 갖는 제 1 도전형의 소스 영역들을 포함하고,상기 제 2 드리프트 영역은 상기 소스 영역들보다 상기 일 방향으로 더 돌출되는 반도체 소자
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제 1 항에 있어서,상기 기판, 상기 드리프트층, 상기 바디 영역, 및 상기 소스 영역들은 실리콘 카바이드(SiC)를 포함하는 반도체 소자
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제 1 항에 있어서,상기 바디 영역의 상부에 형성되는 제 1 도핑 영역들을 더 포함하되,상기 제 1 도핑 영역들은 상기 소스 영역들 사이에 두고 상기 제 2 드리프트 영역으로부터 이격되도록 배치되는 반도체 소자
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제 3 항에 있어서,상기 제 1 도핑 영역들은 제 2 도전형을 갖되,상기 제 1 도핑 영역들의 도펀트 농도는 상기 바디 영역의 도펀트 농도보다 높은 반도체 소자
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제 1 항에 있어서,상기 바디 영역의 상부에 형성되는 제 2 도핑 영역을 더 포함하되,상기 제 2 도핑 영역은 상기 제 2 드리프트 영역의 상기 일 방향으로 배치되는 반도체 소자
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제 5 항에 있어서,상기 제 2 도핑 영역은 상기 바디 영역보다 상기 제 2 드리프트 영역의 상부로 더 연장되는 반도체 소자
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제 5 항에 있어서,상기 제 2 도핑 영역은 제 2 도전형을 갖되,상기 제 2 도핑 영역의 도펀트 농도는 상기 바디 영역의 도펀트 농도보다 높은 반도체 소자
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기판 상에 에피층을 형성하는 것;상기 에피층 상에 평면적 관점에서 일 방향으로 연장되는 바(bar) 형상의 제 1 마스크를 형성하는 것;상기 제 1 마스크에 의해 노출된 상기 에피층에 이온 주입 공정을 수행하여 바디 영역을 형성하는 것, 상기 바디 영역에 의해 상기 제 1 마스크의 아래에 드리프트 영역이 정의되고;상기 에피층 상에 배치되는 제 2 마스크 및 상기 제 1 마스크의 측면을 덮는 스페이서를 형성하는 것;상기 제 2 마스크 및 상기 스페이서에 의해 노출되는 상기 바디 영역에 도펀트를 주입하여 소스 영역들을 형성하는 것;상기 제 1 및 제 2 마스크들과 상기 스페이서를 제거하는 것; 및상기 드리프트 영역 상에 게이트 절연막 및 게이트를 형성하는 것을 포함하되,상기 제 2 마스크 및 상기 스페이서에 의해 노출되는 상기 바디 영역의 일부는 상기 제 1 마스크의 양측에 제공되며, 상기 일 방향으로 연장되고,상기 제 2 마스크는 상기 제 1 마스크의 상기 일 방향의 일단을 덮는 반도체 소자의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 제 2 마스크 및 상기 스페이서를 형성하는 것은:상기 에피층 및 상기 제 1 마스크를 덮는 마스크막을 형성하는 것; 및상기 마스크막을 패터닝하는 것을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 마스크막을 패터닝하는 것은,이방성 식각 공정을 통해 수행되는 반도체 소자의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 소스 영역들을 형성하기 전에,상기 스페이서를 등방성 식각하여, 상기 스페이서의 폭을 감소시키는 것을 더 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 게이트 절연막 및 상기 게이트를 형성하기 전에,상기 소스 영역들 및 상기 드리프트 영역을 덮는 제 3 마스크를 형성하는 것; 및상기 제 3 마스크에 의해 노출된 상기 바디 영역에 이온 주입 공정을 수행하여 제 1 도핑 영역을 형성하는 것을 더 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
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제 12 항에 있어서,상기 제 3 마스크는 상기 드리프트 영역의 상기 일 방향의 일단를 더 노출하되,상기 제 3 마스크에 의해 노출된 상기 바디 영역에 이온 주입 공정을 수행하는 것은 제 2 도핑 영역을 형성하는 것을 더 포함하고,상기 제 1 도핑 영역은 상기 제 2 드리프트 영역의 상기 일 방향에 배치되는 제 2 도핑 영역과 동시에 형성되는 반도체 소자의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 게이트 절연막 및 상기 게이트를 형성하기 전에,상기 에피층 상에 어닐링 공정을 수행하여 상기 소스 영역들을 활성화하는 것을 더 포함하는 반도체 장치의 제조 방법
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